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公开(公告)号：CN111128928A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911047763.0
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L21/50
Abstract: 制造半导体器件的方法包括：在一个或多个芯片的表面上形成焊料层。在一个或多个芯片中的每个上的焊料层上方放置盖。施加热量和压力以熔化焊料层，并将每个盖附接至相应的焊料层。焊料层具有≥50W/mK的热导率。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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