-
公开(公告)号：CN109728122B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910003336.6
申请日：2019-01-03
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种基于FTO/TiO2/MoO3异质结的紫外探测器及其制备方法，属于无机半导体光电探测器技术领域。从下到上依次由SiO2/FTO衬底、TiO2纳米线、MoO3纳米层、Ag电极组成；待测的紫外光从SiO2/FTO一侧入射；其中SiO2/FTO衬底的厚度为2～3mm，TiO2纳米线的厚度为2～3μm，MoO3纳米层的厚度为2～5nm，Ag电极的厚度为1～3mm。本发明制备的低暗电流、高光暗抑制比、高响应度的紫外探测器具有操作简单，成本较低，且基底材料均为无机半导体材料、无毒环保的特点，具有一定的发展前景和应用价值，对波长330nm～400nm的紫外线具有良好的检测性能。
-
公开(公告)号：CN109728122A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910003336.6
申请日：2019-01-03
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种基于FTO/TiO2/MoO3异质结的紫外探测器及其制备方法，属于无机半导体光电探测器技术领域。从下到上依次由SiO2/FTO衬底、TiO2纳米线、MoO3纳米层、Ag电极组成；待测的紫外光从SiO2/FTO一侧入射；其中SiO2/FTO衬底的厚度为2～3mm，TiO2纳米线的厚度为2～3μm，MoO3纳米层的厚度为2～5nm，Ag电极的厚度为1～3mm。本发明制备的低暗电流、高光暗抑制比、高响应度的紫外探测器具有操作简单，成本较低，且基底材料均为无机半导体材料、无毒环保的特点，具有一定的发展前景和应用价值，对波长330nm～400nm的紫外线具有良好的检测性能。
-
公开(公告)号：CN106356421B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610910686.7
申请日：2016-10-20
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于垂直导电方向的TiO2‑NiO异质P‑N结所形成光控传输沟道的紫外探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由衬底、采用溶胶‑凝胶法在衬底上制备的纳米TiO2薄膜、采用蒸镀法在纳米TiO2薄膜上制备的一对Au引线点、采用蒸镀法及控制氧化法在纳米TiO2薄膜表面和Au引线点上制备的Au/Ni叉指电极、采用蒸镀法及控制氧化法在TiO2薄膜表面和Au/Ni叉指电极上制备的NiO薄膜构成，其中NiO薄膜的厚度为20～60nm。叉指电极间形成垂直于器件导电方向的TiO2‑NiO异质P‑N结，在暗态下空间电荷区较宽，器件传输沟道较窄，有效限制暗电流；在紫外光照下，P‑N结内建电场减弱，空间电荷区变窄，光控传输沟道变宽，实现器件的高光电流。
-
公开(公告)号：CN107359217A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710568283.3
申请日：2017-07-13
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/0324 , H01L31/035209 , H01L31/18
Abstract: 一种快速响应紫外光探测器及其制备方法，属于半导体光电探测器技术领域。从下到上由石英片衬底、Ag NPs内部修饰的纳米TiO2薄膜有源层基体、在该有源层基体上制备的Au插指电极组成，待测的紫外光从石英片衬底底部入射。首先采用溶胶凝胶技术制备TiO2溶胶，并在石英衬底上依次制备TiO2薄膜、蒸镀Ag NPs、制备TiO2薄膜，得到Ag NPs内部修饰的纳米TiO2薄膜有源层基体材料；接着进行光刻、磁控溅射、剥离金属在薄膜表面形成插指图案的Au电极。本发明制备的快速响应紫外光探测器采用的工艺简单，而且Ag和TiO2资源丰富，易于大规模生产，能够实现对波长250～350nm的紫外光的优良检测。
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.107 seconds)
