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公开(公告)号：CN110055502A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910374278.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种带隙可调的半导体硼碳薄膜的制备方法属于非晶半导体薄膜材料制备的技术领域。在磁控溅射设备上以玻璃为基底材料，使用高纯的硼靶和碳靶，基底与靶材间的距离均是55mm，以氩气为工作气体，在1.0Pa工作气压下，控制硼靶功率在160W～240W变化、碳靶功率在50W～80W变化、基底温度在200～400℃变化，进行磁控溅射，得到带隙不同的半导体硼碳薄膜。本发明利用磁控溅射方法，通过对基底温度、硼靶功率和碳靶功率的控制，有效调控了a-C:B中碳原子的sp2杂化态和sp3杂化态的比例含量，最终探索出一种有效调控a-C:B的Eopt的方法，为进一步开发可应用的a-C具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109928400B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201910374280.5
申请日：2019-05-07
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明的一种无粘接剂的纳米聚晶一硼化钛块体材料的制备方法属于硬质导体纳米块体材料制备的技术领域，以纳米c‑TiB粉末为原料，首先对原料进行真空干燥处理，然后将原料在大于或等于3Gpa压力下1000K温度烧结30分钟，之后冷却卸压，得到纳米聚晶一硼化钛块体材。本发明在不使用粘接剂的情况下，利用高温高压烧结方法，制备出高性能的纳米聚晶块体材料，制备的材料致密高硬度高，本发明不仅对提高c‑TiB的硬度有意义，而且对制备其他无粘接剂的高致密纳米体材料有重要参考价值。
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公开(公告)号：CN110055502B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910374278.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种带隙可调的半导体硼碳薄膜的制备方法属于非晶半导体薄膜材料制备的技术领域。在磁控溅射设备上以玻璃为基底材料，使用高纯的硼靶和碳靶，基底与靶材间的距离均是55mm，以氩气为工作气体，在1.0Pa工作气压下，控制硼靶功率在160W～240W变化、碳靶功率在50W～80W变化、基底温度在200～400℃变化，进行磁控溅射，得到带隙不同的半导体硼碳薄膜。本发明利用磁控溅射方法，通过对基底温度、硼靶功率和碳靶功率的控制，有效调控了a‑C:B中碳原子的sp2杂化态和sp3杂化态的比例含量，最终探索出一种有效调控a‑C:B的Eopt的方法，为进一步开发可应用的a‑C具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109701447A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910170585.4
申请日：2019-03-07
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明的一种无触媒的低压制备纳米聚晶金刚石的方法属于超硬材料制备的技术领域。以纳米石墨为原料，首先将原料压成圆柱状，在压力范围为1～5GPa，温度范围为500～700℃条件下保温10分钟，然后冷却卸压；将预压后的将样品取出并用六角氮化硼包裹，在压力大于或等于9GPa，温度大于或等于1800℃条件下，保温5-30分钟，冷却卸压，得到纳米聚晶金刚石。本发明不需要任何粘接剂，以廉价纳米石墨为原料，直接合成NPD，制备方法简单。所需压力低，制备的样品致密性好，硬度高。本发明的方法对聚晶金刚石的实际应用具有重要意义。
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