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公开(公告)号:CN100462378C
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200480021479.1
申请日:2004-07-23
Applicant: 富士胶片株式会社 , 和光纯药工业株式会社
CPC classification number: C07C69/54 , C07B2200/05 , C07C67/14 , C07C2603/68 , C08F20/18 , G02B6/02033
Abstract: 本发明公开了一种由结构式[1]表示的新型化合物,式中,R1和R2各自表示重或轻氢原子,R3表示重或轻氢原子或其中三个氢原子分别地为重或轻氢原子的甲基,R4表示由降冰片烷环和C5-7的烃环组成的稠环基团,前提条件是,包含在所述稠环基团中的至少一个氢原子是重氢原子;和公开了通过包括所述化合物的组合物的聚合而制备的新型聚合物。
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公开(公告)号:CN100384792C
公开(公告)日:2008-04-30
申请号:CN200380107483.5
申请日:2003-11-07
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07B59/00 , C07C29/00 , C07C31/02 , C07C35/08 , C07C35/29 , C07C35/37 , C07C49/433 , C07C49/453 , C07C51/00 , C07C53/10 , C07C53/124 , C07C57/04
CPC classification number: C07B59/00 , C07B2200/05 , C07C29/00 , C07C45/00 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C2603/68 , C07C31/125 , C07C35/08 , C07C35/29 , C07C35/37
Abstract: 本发明涉及把以通式[1]表示的化合物:R1-X-R2[1];(式中,R1表示烷基等,R2表示烷基、羟基等,X表示羰基或羟基亚甲基),在选自活化的钯、铂、铑、钌、镍及钴催化剂存在下,通过与重氢源反应,使以通式[1]表示的化合物重氢化的方法。采用本发明的方法,使过去在苛刻条件下进行的重氢化变成可在中性条件下进行。另外,即使是含不饱和键的化合物,不饱和键可不被还原而进行重氢化。
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公开(公告)号:CN100376606C
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:CN200480021481.9
申请日:2004-07-23
Applicant: 富士胶片株式会社 , 和光纯药工业株式会社
CPC classification number: C08F20/18 , C07B2200/05 , C07C69/54 , C07C2602/42 , G02B6/02033
Abstract: 本发明公开了一种由结构式[1]表示的新型化合物,式中,R1和R2各自表示轻或重氢原子,R3表示轻或重氢原子或其中三个氢原子分别地为轻或重氢原子的甲基,R4为降冰片基,前提条件是,在所述降冰片基中的四个或更多个氢原子是重氢原子;和公开了通过包括所述化合物的组合物的聚合而制备的新型聚合物。
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公开(公告)号:CN100343232C
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN02823446.4
申请日:2002-11-28
Applicant: 和光纯药工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D487/04 , G03F7/039
CPC classification number: C07D209/48 , C07D487/04 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/121
Abstract: 本发明涉及作为在半导体元件等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物的酸产生剂或用于耐热性高分子合成原料有用的新的双二酰亚胺化合物,使用它们的酸产生剂和抗蚀剂组合物以及用该组合物的图案形成方法,进一步涉及作为双二酰亚胺化合物的合成中间体,例如耐热性高分子化合物,感光材料等的功能性化合物的中间体等有用的双(N-羟基)苯邻二甲酰亚胺化合物,即提供通式[1]所示的双二酰亚胺化合物:[式中,R,A1分别如权利要求1定义]使用它们的酸产生剂以及抗蚀剂组合物和用该组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号:CN104254906B
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:CN201380022014.7
申请日:2013-04-26
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/36
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/3218 , C11D7/36 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的目的在于提供一种钨配线或钨合金配线的耐腐蚀性优异、在化学机械抛光工序后的半导体基板表面、特别是TEOS膜等硅氧化膜表面残存的二氧化硅或氧化铝等研磨微粒(颗粒)的除去性优异的半导体基板用清洗剂、以及半导体基板表面的处理方法。本发明涉及一种半导体基板用清洗剂以及半导体基板表面的处理方法,该半导体基板用清洗剂的特征在于,其为在具有钨配线或钨合金配线和硅氧化膜的半导体基板的化学机械抛光工序的后工序中使用的清洗剂,含有(A)膦酸系螯合剂、(B)分子内具有至少1个烷基或羟基烷基的一元伯胺或一元仲胺和(C)水,pH超过6且小于7。
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公开(公告)号:CN1957019A
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN200580016299.9
申请日:2005-05-17
Applicant: 和光纯药工业株式会社
CPC classification number: C07D487/04 , C07D209/48 , C08G73/10 , C08G73/1007 , G02B6/1221
Abstract: 本发明涉及一种透明性、低吸湿性和耐热性优异、光传送损失少、折射率高、与基体·基板等的附着性优异、用作光波导路用聚合物原料等有用的聚酰亚胺化合物及其衍生物、以及其应用。本发明的聚酰亚胺化合物,是使可被重氢化的酸酐与重氢化二胺化合物反应得到的通式[2]所示的重氢化聚酰胺酸化合物、发生闭环反应而形成的通式[1]所示的重氢化聚酰亚胺化合物。(式中,R1表示可含有重氢原子的4价脂环状烃基或芳香族烃基,R2表示含有重氢原子的2价芳香族烃基,m表示1以上的整数。)(式中,n表示1以上的整数,R1和R2与上述相同。)
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公开(公告)号:CN1829748A
公开(公告)日:2006-09-06
申请号:CN200480021481.9
申请日:2004-07-23
Applicant: 富士胶片株式会社 , 和光纯药工业株式会社
CPC classification number: C08F20/18 , C07B2200/05 , C07C69/54 , C07C2602/42 , G02B6/02033
Abstract: 本发明公开了一种由结构式[1]表示的新型化合物,式中,R1和R2各自表示轻或重氢原子,R3表示轻或重氢原子或其中三个氢原子分别地为轻或重氢原子的甲基,R4为降冰片基,前提条件是,在所述降冰片基中的四个或更多个氢原子是重氢原子;和公开了通过包括所述化合物的组合物的聚合而制备的新型聚合物。
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公开(公告)号:CN1829747A
公开(公告)日:2006-09-06
申请号:CN200480021479.1
申请日:2004-07-23
Applicant: 富士胶片株式会社 , 和光纯药工业株式会社
CPC classification number: C07C69/54 , C07B2200/05 , C07C67/14 , C07C2603/68 , C08F20/18 , G02B6/02033
Abstract: 本发明公开了一种由结构式[1]表示的新型化合物,式中,R1和R2各自表示重或轻氢原子,R3表示重或轻氢原子或其中三个氢原子分别地为重或轻氢原子的甲基,R4表示由降冰片烷环和C5-7的烃环组成的稠环基团,前提条件是,包含在所述稠环基团中的至少一个氢原子是重氢原子;和公开了通过包括所述化合物的组合物的聚合而制备的新型聚合物。
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公开(公告)号:CN1578766A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN02821640.7
申请日:2002-11-01
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07C381/12 , C08F2/50 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C381/12 , C08F2/50 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及,例如用于阳离子性光聚合引发剂、化学放大保护膜用酸发生剂的、1分子中具有碘鎓盐和锍盐的杂化鎓盐,提供一种以通式[1]表示的杂化鎓盐:[式中,R1~R3分别独立且表示卤原子、烷基、卤代烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基或可被取代的氨基;Q1表示键接、氧原子、硫原子或低级亚烷基链;T1表示可具有取代基的亚烷基或亚芳基;R4表示可具有取代基的烷基、链烯基、芳基、芳烷基等;A1及A2分别独立且表示对阴离子,m表示0~4的整数,2个n分别独立且表示0~5的整数]。
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