公开(公告)号：CN106298637B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510293278.7

申请日：2015-06-01

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘继全 ,  周鸣 ,  汪民武

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5329

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层；在所述介质层中形成开口，开口底部暴露出所述半导体基底表面；形成填充满开口的金属层，且金属层还覆盖于介质层顶部表面；研磨去除高于介质层顶部表面的金属层，且研磨后的金属层顶部表面形成有金属氧化物层；去除金属氧化物层；在研磨后的金属层表面形成金属阻挡层，且金属阻挡层的厚度均匀性大于金属氧化物层的厚度均匀性，金属阻挡层的致密度大于金属氧化物层的致密度；向金属阻挡层表面通入硅源气体，将金属阻挡层转化为金属帽层。本发明在改善半导体结构抗电迁移能力的同时，避免金属层的电阻率升高，从而提高半导体结构的电学性能。

公开(公告)号：CN108496242A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201680063165.0

申请日：2016-09-29

Applicant: 太阳能爱迪生半导体有限公司

Inventor： 王慧 ,  A·朱 ,  A·格拉贝

IPC: H01L21/321

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595

Abstract: 一种处理半导体晶片的方法包含在所述半导体晶片上沉积硅层。将第一浆液施加到所述半导体晶片且对所述硅层进行抛光以使所述硅层平滑。将第二浆液施加到所述半导体晶片。所述第二浆液包含比所述第一浆液更大量的腐蚀剂。

公开(公告)号：CN108473918A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680075224.6

申请日：2016-12-20

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： C·达施莱茵 ,  M·西伯特 ,  M·劳特尔 ,  P·普日贝尔斯基 ,  J·普罗尔斯 ,  A·克里普 ,  H·O·格文茨 ,  L·勒尼森 ,  R-P·鲍曼 ,  魏得育

IPC: C11D3/37 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/3707 ,  C11D3/3719 ,  C11D3/3765 ,  C11D3/378 ,  C11D3/3784 ,  C11D11/0035 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明描述了一种化学机械抛光后(CMP后)清洁组合物，其包含或由以下组成：(A)质量平均摩尔质量(Mw)在400至8,000g/mol范围内的聚乙二醇(PEG)，(B)选自由如下组成的组的阴离子聚合物：聚(丙烯酸)(PAA)、丙烯酸-马来酸共聚物、聚天冬氨酸(PASA)、聚谷氨酸(PGA)、聚乙烯基膦酸、聚乙烯基磺酸、聚(苯乙烯磺酸)、聚羧酸酯醚(PCE)、PEG-亚磷酸和这些聚合物的共聚物，和(C)水，其中所述组合物的pH在7.0至10.5范围内。

公开(公告)号：CN107393867A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710345544.5

申请日：2017-05-16

Applicant: ASM知识产权私人控股有限公司

Inventor： 李忠满 ,  刘龙珉 ,  金永宰 ,  千承珠 ,  金仙子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295

Abstract: 本发明揭示一种形成金属内连线的方法和使用其制造半导体装置的方法，所述形成金属内连线的方法包含：沉积低介电常数介电层、在所述低介电常数介电层中形成沟槽、在所述沟槽中形成势垒层、在所述势垒层上填充金属、使所述金属平坦化和在经平坦化的所述金属上形成罩盖层，其中所述罩盖层包含至少两个层。本揭示的半导体装置中的罩盖层具有更薄的厚度且具有优异的密封性质。

公开(公告)号：CN107208007A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680008165.0

申请日：2016-01-05

Applicant: 恩特格里斯公司 ,  恩特格里斯台湾公司

Inventor： E·托马斯 ,  D·弗赖伊 ,  刘俊 ,  M·怀特 ,  D·怀特 ,  王朝鈺

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  H01L21/02

CPC classification number: C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/26 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/349 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明揭示一种用于从上面具有化学机械抛光CMP后残余物及污染物的微电子装置清除所述残余物及污染物的清洁组合物及方法。所述清洁组合物基本上没有碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物及四甲基氢氧化铵。所述组合物实现了在不危害低k电介质材料或铜互连材料的情况下从所述微电子装置的表面高效地清除所述CMP后残余物及污染物材料。

公开(公告)号：CN106536668A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039281.4

申请日：2015-07-17

Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司

Inventor： R.伊万诺夫 ,  柯政远 ,  F.孙

IPC: C09K3/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3272 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供了在各种应用中用作原料的经稳定化的溶液以及使用包含一种或多种二烷基羟胺或者其无机或有机酸盐的稳定剂来使这样的水性溶液稳定化的方法。经稳定化的溶液以及用于使其水性溶液稳定化的方法包括，例如，三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵(THEMAH)和/或碳酰肼(CHZ)的那些。

公开(公告)号：CN105143517A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480022958.9

申请日：2014-04-22

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 刘俊 ,  孙来生 ,  史蒂文·梅德 ,  杰弗里·A·巴尔内斯 ,  彼得·弗热施卡 ,  伊丽莎白·托马斯

IPC: C23G1/00 ,  C23G1/18

CPC classification number: C11D3/0073 ,  C11D3/0042 ,  C11D3/30 ,  C11D11/0041 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/18 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明公开了一种用于从其上具有化学机械抛光(CMP)后的残留物和污染物的微电子器件清除所述残留物和污染物的清洁组合物和方法。所述清洁组合物包括腐蚀抑制剂和表面活性剂。所述组合物实现所述CMP后的残留物和污染物材料从所述微电子器件表面的高效清洁，而不损害所述低k值介电材料或铜互连材料。

公开(公告)号：CN102770524B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201180010737.6

申请日：2011-01-28

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 中西睦 ,  吉持浩 ,  小路祐吉

IPC: C11D7/32 ,  C11D3/37 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/0042 ,  C11D3/044 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/28 ,  C11D7/06 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3281 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及附有金属布线的微电子装置用清洗剂，其具有用于移除源自抛光剂的抛光颗粒残留物的优异能力及移除绝缘薄膜上的金属残留物的优异能力，且具有对金属布线的优异抗腐蚀性。该清洗剂是在其中形成金属布线(例如，铜或钨)的微电子装置的生产方法中在化学机械抛光后的步骤使用。

公开(公告)号：CN104241131A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310231964.2

申请日：2013-06-09

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘焕新

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种金属栅极晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底正面上形成伪栅极；在衬底正面上形成第一层间介质层，进行平坦化直至露出伪栅极；去除伪栅极以形成沟槽；形成金属栅极叠层，覆盖第一层间介质层并填充沟槽，进行平坦化以在沟槽内形成金属栅极；形成金属栅极之后，对衬底正面进行边缘清洁处理，以使衬底侧壁至预定距离的环形区域上的金属栅极叠层被去除。由于增加了对衬底正面进行边缘清洁处理的步骤，使得衬底侧壁至预定距离的环形区域上的金属栅极叠层有被去除，且形成第二层间介质层之后，第二层间介质层能够牢靠地附着在衬底上，因此消除了第二层间介质层的边缘部分和金属栅极叠层剥离的问题，进而能够提高晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104093824A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380007434.8

申请日：2013-01-24

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： Y·李 ,  S·S·文卡塔拉曼 ,  M·钟

IPC: C11D7/22 ,  H01L21/02

CPC classification number: C11D3/3427 ,  C11D1/722 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/349 ,  C11D3/3757 ,  C11D7/261 ,  C11D7/268 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0064 ,  H01L21/02074

Abstract: 一种化学机械抛光后(CMP后)清洗组合物，包含：(A)至少一种化合物，其包含至少一个硫醇基(-SH)、硫醚基(-SR1)或硫羰基(>C＝S)，其中R1为烷基、芳基、烷芳基或芳烷基；(B)至少一种糖醇，其包含至少3个羟基(-OH)且不包含任何羧酸基(-COOH)或羧酸酯基(-COO-)；和(C)水性介质。