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公开(公告)号：CN117929127B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410105653.X
申请日：2024-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多层陶瓷电容断裂测试装置及断裂分析方法，涉及多层陶瓷电容设计技术领域。支架包括底板和并列固定在底板两侧的两个立柱，两个立柱顶端开设插槽并设置紧固件用于PCB板两相对端的插装和紧固，竖向伸缩滑台固定在底板中心位置，辊子安装在竖向伸缩滑台顶端，能够使PCB板底部中心弯曲变形，应变传感器安装在多层陶瓷电容底部与PCB板表面之间中心位置，实时测量PCB板的应变值表征多层陶瓷电容受到的应变载荷，LCR表连接多层陶瓷电容实时测量电容值的变化。适用于分析PCB板上多层陶瓷电容的断裂失效板弯应变与失效过程，基于Griffith模型和相场理论，建立考虑制造参数的多层陶瓷电容断裂计算模型。
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公开(公告)号：CN116754163A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310698171.5
申请日：2023-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种适用于陶瓷电容弯曲载荷试验系统及测试方法，属于陶瓷电容技术领域。包括：振动模块，负责为被测样品提供设定的模拟载荷环境；上位机，负责设置样品数量、测试需求的应变载荷、测试周期、采样频率、失效阈值参数，测量模块，用于在试验过程中监测被测样品的电容值参数变化，并发送给控制模块，最终送达至上位机完成试验过程中的数据记录；本发明通过三点弯曲式载荷为陶瓷电容提供给定频率与载荷的弯曲应变，实现可控载荷、可控频率与数据检测的陶瓷电容结构失效测试。本发明通过系统控制与应变片检测，实现将传统的等效曲率转换为样品实际受到的弯曲应变，能够避免板弯试验中的变形不均匀引发的试验误差。
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公开(公告)号：CN114329845A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210006837.1
申请日：2022-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F30/27 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F119/02 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于制造参数的微型断路器动作可靠性预测方法，所述方法如下：1)确定造成产品动作特性退化的关键铰链、失效阈值；2)将孔与轴的初始间隙作为初始制造参数；3)建立多体动力学模型；4)计算第一周期内磨损造成的孔与轴间隙增长量；5)将孔与轴间隙增长量与初始间隙加和作为新的制造参数；6)计算本周期内磨损造成的孔与轴间隙增长量；7)将孔与轴间隙增长量与初始间隙加和作为新的制造参数，记录工作周期内断路器的动作特性退化情况；8)结合阈值计算该批次断路器的动作可靠性。本发明能根据断路器生产过程中所记录的零件制造参数预测产品的动作可靠性，将产品的退化预测与生产过程紧密连接。
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公开(公告)号：CN110441663A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910777464.6
申请日：2019-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 一种基于频域阶段性比值判断直流串联电弧故障的方法，它属于直流电弧故障检测技术领域。本发明通过计算直流供电回路电流频谱中12个频段各自的幅值和，形成6组比值关系作为特征值Rarc1～Rarc4、S_Rarc1、S_Rarc2，同时找出回路电流频谱中第75～125共51点中的幅值最大值，计算幅值最大值的50倍与其他50个点和的比值，将比值作为特征值E。当7组特征值在四次数据采集周期中，有两次或两次以上满足阈值条件，即可确认直流供电系统中发生了直流串联电弧故障。本发明可以应用于直流供电系统中的直流串联电弧故障检测。
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公开(公告)号：CN109726467A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811601812.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种适用于断路器机构内各零件间相互作用力的快速计算方法，所述方法步骤如下：步骤一、根据断路器内部各零部件的工作关系，构建断路器的各零件间的约束关系；步骤二、依照各零件间的约束关系确定关键零件，并忽略次要零部件，简化断路器整机模型，得到物理模型；步骤三、将物理模型简化为力学模型；步骤四、将力学模型转化为数学模型；步骤五、利用数学模型对集合中的元素进行处理，得到n个力学指标；步骤六、利用最小二乘法进行多项式拟合，得到某一影响因素的改变对机构中某力学指标的影响。该方法兼顾了计算效率和计算精度，通过最小二乘法可以准确、快速地评估公差对断路器内重要零部件的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106644259A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611219217.7
申请日：2016-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L25/00
CPC classification number: G01L25/00
Abstract: 本发明公开一种悬臂梁式传感器姿态影响的补偿方法，包括：S1：将悬臂梁式传感器固定安装在底座上；S2：搭建传感器姿态检测电路板，并将所述电路板固定在所述底座上，使所述电路板的平面与所述悬臂梁式传感器的其中一个面相平行；其中所述传感器姿态检测电路包括微控制器、模数转换器和运动处理组件；S3：记录所述传感器输出的电信号；S4：令所述整体装置绕水平方向转动至其它多个位置状态，记录每个位置状态下所述传感器输出的电信号；S5：根据不同位置状态下传感器输出的不同的电信号，获取位置状态与传感器输出的电信号之间的关系式；S6：利用所述关系式对传感器输出的电信号进行补偿，从而得到悬臂梁式传感器输出信号的精确数值。
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公开(公告)号：CN103294853B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310177920.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 贵州振华群英电器有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 基于蒙特卡洛模拟的接触器吸合时间合格率预测方法，属于接触器检测技术领域。本发明解决了现有接触器设计过程中对吸合时间参数进行检验的方法存在的需要加工制作样品导致设计和测试成本高和设计周期长的问题。本发明根据接触器设计文件确定对吸合时间有影响的三种参数设计值及上下限、采用独立同分布的中心极限定理利用MATLAB产生N组参数组合；然后根据该N组参数组合获得N组吸合时间特性参数；进而获得吸合时间参数的分布特性；最后根据该分布特性和接触器的吸合时间设计参数利用Simpson法则获得接触器吸合时间合格率。本发明适用于在接触器的设计环节对接触器吸合时间的合格率进行预测分析，进而为接触器的设计者提供修正设计参数的依据。
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公开(公告)号：CN103311051B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310263219.6
申请日：2013-06-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种直动式上置永磁T型衔铁结构，包括外壳、上轭铁、永磁体、线圈骨架、线圈、下轭铁、衔铁、连杆以及弹簧，其中所述外壳、所述上轭铁、所述下轭铁和所述衔铁均为导磁材料。所述上轭铁为圆环形，设置所述外壳的上端开口处；所述永磁体与所述上轭铁的内圆周紧密连接；所述线圈骨架为圆环型，与所述外壳底面固定连接；所述线圈缠绕在所述线圈骨架上；所述下轭铁为圆环型，位于所述上轭铁以下、所述线圈骨架以上的位置处；所述衔铁包括固定连接的衔铁上底和衔铁柱体，用以在所述上轭铁和所述下轭铁之间垂直上下移动。本发明采用对称结构，安装简单，能够有效提高产品的装配效率，降低废品率。
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公开(公告)号：CN100470258C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610151148.0
申请日：2006-12-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01S15/08
Abstract: 超声波测量距离的方法及装置，它涉及一种距离测量的方法及装置。本发明解决了目前的超声波测量距离的方法中存在的由于对回波起振点确认不准确而导致的测量精度低的问题。本发明的超声波测量距离的方法包括发送测量信号；接收回波信号；回波信号的滤波放大处理；对放大的回波信号的A/D转换及转换结果存储；对检波信号和峰值信号进行比较处理；根据比较结果，停止A/D采样；分析存储的A/D转换结果数据，寻找回波起振点；根据A/D转换速度，计算回波起振点的时间，进而得到测量距离。本发明超声波测量距离的方法及装置能够应用到各种超声波测量距离的领域中。
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公开(公告)号：CN117929127A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410105653.X
申请日：2024-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多层陶瓷电容断裂测试装置及断裂分析方法，涉及多层陶瓷电容设计技术领域。支架包括底板和并列固定在底板两侧的两个立柱，两个立柱顶端开设插槽并设置紧固件用于PCB板两相对端的插装和紧固，竖向伸缩滑台固定在底板中心位置，辊子安装在竖向伸缩滑台顶端，能够使PCB板底部中心弯曲变形，应变传感器安装在多层陶瓷电容底部与PCB板表面之间中心位置，实时测量PCB板的应变值表征多层陶瓷电容受到的应变载荷，LCR表连接多层陶瓷电容实时测量电容值的变化。适用于分析PCB板上多层陶瓷电容的断裂失效板弯应变与失效过程，基于Griffith模型和相场理论，建立考虑制造参数的多层陶瓷电容断裂计算模型。
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