公开(公告)号：CN104987078A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510391020.0

申请日：2015-07-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张茜 ,  杨治华 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: Co@SiNBC陶瓷材料的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的Co@PDCs材料工艺复杂、合成条件有局限性的技术问题。本方法：一、合成聚硅硼氮烷；二、制备钴金属配合物晶体；三、制备陶瓷前驱体；四、将陶瓷前驱体放入管式炉中，保温，然后随炉冷却至室温，即得。本发明反应条件温和，操作简单，产率较高，污染少。本发明的Co@SiNBC陶瓷材料为灰色固体，在200～800nm可见光区均有紫外吸收，室温下以330nm在激发波长显示出良好的荧光性能，表现出了良好的光学半导体特性。本发明应用于硅基功能陶瓷材料领域。

公开(公告)号：CN104987078B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201510391020.0

申请日：2015-07-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张茜 ,  杨治华 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: Co@SiNBC陶瓷材料的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的Co@PDCs材料工艺复杂、合成条件有局限性的技术问题。本方法：一、合成聚硅硼氮烷；二、制备钴金属配合物晶体；三、制备陶瓷前驱体；四、将陶瓷前驱体放入管式炉中，保温，然后随炉冷却至室温，即得。本发明反应条件温和，操作简单，产率较高，污染少。本发明的Co@SiNBC陶瓷材料为灰色固体，在200～800nm可见光区均有紫外吸收，室温下以330nm在激发波长显示出良好的荧光性能，表现出了良好的光学半导体特性。本发明应用于硅基功能陶瓷材料领域。

公开(公告)号：CN104591741B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510086371.0

申请日：2015-02-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  张茜 ,  蔡德龙 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 一种SiNCB陶瓷材料的制备方法，涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的SiNCB陶瓷材料容易析晶，高温下不稳定的问题。方法：一、将氮源、硅源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中，室温条件下反应；二、将反应产物真空抽滤，与硼烷四氢呋喃混合，放入反应器中反应；三、向反应器中加入三氯化硼正己烷溶液，反应后升温至室温；四、将产物抽滤，真空旋转蒸发，得到陶瓷前驱体；五、将陶瓷前驱体放入管式炉中，热解，随炉冷却至室温，即得到SiNCB陶瓷材料。在1450℃下具有优良的抗氧化性，可长期使用不分解，不晶化。本发明应用于硅基陶瓷材料领域。

公开(公告)号：CN104591741A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510086371.0

申请日：2015-02-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  张茜 ,  蔡德龙 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 一种SiNCB陶瓷材料的制备方法，涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的SiNCB陶瓷材料容易析晶，高温下不稳定的问题。方法：一、将氮源、硅源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中，室温条件下反应；二、将反应产物真空抽滤，与硼烷四氢呋喃混合，放入反应器中反应；三、向反应器中加入三氯化硼正己烷溶液，反应后升温至室温；四、将产物抽滤，真空旋转蒸发，得到陶瓷前驱体；五、将陶瓷前驱体放入管式炉中，热解，随炉冷却至室温，即得到SiNCB陶瓷材料。在1450℃下具有优良的抗氧化性，可长期使用不分解，不晶化。本发明应用于硅基陶瓷材料领域。

公开(公告)号：CN103803957A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410089785.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  蔡德龙 ,  杨治华 ,  王胜金 ,  张茜 ,  段小明 ,  苗洋 ,  李权 ,  周玉

IPC: C04B35/185 ,  C04B35/622

Abstract: 一种超低热膨胀系数的堇青石陶瓷材料及其制备方法，涉及一种堇青石陶瓷材料及其制备方法。本发明是要解决现有堇青石陶瓷材料制备过程复杂，制备的堇青石陶瓷材料中α型堇青石含量低，弯曲强度低，热膨胀系数高的技术问题。一种超低热膨胀系数的堇青石陶瓷材料由氧化镁粉末、纳米氧化铝粉末和非晶二氧化硅粉末混合制成。制备方法为：一、称量；二、球磨制浆；三、干燥制粉；四、烧结处理，即得堇青石陶瓷材料。本发明的堇青石陶瓷材料的致密度达99.9％，抗弯强度可达到220.5～332.7MPa，介电常数达到4.81～6.75，热膨胀系数为0.5×10-6～1.8×10-6℃-1。本发明应用于堇青石陶瓷材料的制备领域。