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公开(公告)号：CN101403053A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810137525.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于纳米晶氢化态镁合金粉末制备块体纳米晶镁合金材料的装置和方法，涉及块体纳米晶镁合金材料的制备领域。解决了目前没有制备块体纳米晶镁合金材料的装置和方法。本发明由底和侧壁组成的外壳固定在底座上，外壳、隔板和压头组成密封空间，内座固定在所述密封空间内的外壳底部，隔热板固定在内座上，凹模固定在隔热板上，加热圈固定在凹模外侧壁的四周，热电偶插入凹模内，隔板与外壳的侧壁通过密封圈固定连接，压头嵌入所述隔板上的通孔内，并压在凸模的正上方，密封圈固定在隔板与压头之间的缝隙处，真空泵接口固定在外壳侧壁的通孔内。本发明的方法将纳米晶氢化态镁合金粉末在一定温度下进行真空脱氢处理后立即加压，冷却后得到块体纳米晶镁合金材料。
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公开(公告)号：CN101090014A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710072138.2
申请日：2007-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01F1/057 , H01F1/06 , C04B35/622
Abstract: 一种制备纳米晶NdFeB各向异性磁粉的方法，它涉及一种制备纳米晶各向异性磁粉的方法。本发明解决了现有制备纳米晶NdFeB各向异性磁粉工艺过程复杂，生产成本高，难以推向实际应用的问题。本发明方法的步骤如下：a.将NdFeB铸态合金破碎成粗粉；b.将粗粉在室温、氢气氛下进行高能球磨，实现氢化－歧化；c.进行镦锻变形；d.将变形坯进行脱氢－再结合处理；e.将脱氢－再结合处理后的材料进行机械破碎得到纳米晶NdFeB各向异性磁粉。本发明突破了现有HDDR工艺无法制备纳米晶各向异性磁粉的不足，能够制备纳米晶各向异性NdFeB磁粉，与快淬－热变形法相比工艺简单、过程易于控制、成本低，而且获得的纳米晶粒的尺寸更加细小，组织均匀，磁性能高，适于实际运用。
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公开(公告)号：CN115961169B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111171127.6
申请日：2021-10-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Nb相增韧高强高塑型γ‑TiAl基合金及其制备方法，属于γ‑TiAl基材料制备加工技术领域。本发明解决了现有γ‑TiAl基合金室温塑性低、且强度和塑性不能兼得的问题。本发明首先通过高能球磨细化Nb粉颗粒尺寸，然后再将细化的Nb粉弥散分布于γ‑TiAl基合金粉末表面，最后通过真空热压烧结技术获得Nb相增韧高强高塑型γ‑TiAl基合金。本发明方法的生产成本低、可实现对增韧相Nb的含量与分布规律、Nb与γ‑TiAl基体中的固溶量及界面反应程度、γ‑TiAl基合金微观组织的有效调控，制备出高强高塑的γ‑TiAl基合金，其室温压缩性能达到：强度大于1.6GPa、断裂应变大于25％。
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公开(公告)号：CN103922284B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201410100374.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B6/06
Abstract: 一种AlH3/MgCl2纳米复合物粉末的制备方法，它涉及一种含有AlH3相先驱体材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的含有AlH3相的先驱体材料存在工艺复杂，脱氢量低，AlH3的晶粒尺寸大，反应条件苛刻和成本高的缺点。步骤：一、制备纳米晶MgH2粉末；二、球磨、反应。优点：一、制备的AlH3/MgCl2纳米复合物粉末中AlH3的晶粒尺寸为5.5～6.5nm，具有热活性高，易脱氢的优点，在真空脱氢试验表明AlH3/MgCl2复合物粉末的脱氢量可达8.5wt%～9wt%；二、本发明具有工艺简单，成本低，反应条件容易达到和危险性低的优点。本发明适用于工业化制备AlH3的先驱体材料。
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公开(公告)号：CN103922284A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410100374.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B6/06
Abstract: 一种AlH3/MgCl2纳米复合物粉末的制备方法，它涉及一种含有AlH3相先驱体材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的含有AlH3相的先驱体材料存在工艺复杂，脱氢量低，AlH3的晶粒尺寸大，反应条件苛刻和成本高的缺点。步骤：一、制备纳米晶MgH2粉末；二、球磨、反应。优点：一、制备的AlH3/MgCl2纳米复合物粉末中AlH3的晶粒尺寸为5.5～6.5nm，具有热活性高，易脱氢的优点，在真空脱氢试验表明AlH3/MgCl2复合物粉末的脱氢量可达8.5wt%～9wt%；二、本发明具有工艺简单，成本低，反应条件容易达到和危险性低的优点。本发明适用于工业化制备AlH3的先驱体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103551583A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310594099.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种Mg-Ti合金粉末的制备方法，它涉及一种金属复合材料粉末的制备方法。本发明是要解决传统制备方法无法制备出Mg-Ti合金的问题。制备方法：一、混粉；二、球磨；即得到Mg-Ti合金粉末。本发明通过向Mg基体中引入Ti质点，使得机械球磨法制备的Mg-Ti合金粉末具有很好的组织热稳定性，后续研究表明将粉末冷压坯在350℃下真空退火5h处理后，其晶粒尺寸仅由85nm长大到120nm，说明其组织热稳定性较好；本发明采用机械球磨的方法制备Mg-Ti合金粉末，得到了硬度为105HV以上的粉末冷压坯，而传统镁合金的硬度在45HV～85HV之间。本发明可用于制备Mg-Ti合金粉末。
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公开(公告)号：CN1310711C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200510009905.6
申请日：2005-04-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制造微晶镁合金反向温度场挤压方法，它是对挤压方法的改进。本发明是这样实现的：预热挤压模具，将镁合金坯料放入挤压模具中，控制挤压模具温度与坯料表面温度一致或高于坯料表面温度30℃～50℃，坯料心部温度与表温度差在20℃～400℃范围内，在挤压比为2～64、挤压模冲头速度为20～30mm·S-1的条件下进行挤压。按本发明给出的反向温度场挤压镁合金，挤压比在4～6时，可细化晶粒到10μm以下，最佳可控制在5μm以下。反向温度场挤压可大幅度细化晶粒，因此一般镁合金挤压后的塑性均有较大提高，延伸率可达到20%以上，它具有工艺简单、成本低、生产效率高、使镁合金塑性提高的优点，可以生产镁合金棒材，板材，型材和管材。
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公开(公告)号：CN1672828A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510009905.6
申请日：2005-04-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制造微晶镁合金反向温度场挤压方法，它是对挤压方法的改进。本发明是这样实现的：预热挤压模具，将镁合金坯料放入挤压模具中，控制挤压模具温度与坯料表面温度一致或高于坯料表面温度30℃～50℃，坯料心部温度与表温度差在20℃～400℃范围内，在挤压比为2～64、挤压模冲头速度为20～30mm·S－1的条件下进行挤压。按本发明给出的反向温度场挤压镁合金，挤压比在4～6时，可细化晶粒到10μm以下，最佳可控制在5μm以下。反向温度场挤压可大幅度细化晶粒，因此一般镁合金挤压后的塑性均有较大提高，延伸率可达到20％以上，它具有工艺简单、成本低、生产效率高、使镁合金塑性提高的优点，可以生产镁合金棒材，板材，型材和管材。
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公开(公告)号：CN1204282C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01145324.9
申请日：2001-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出一种添加有过渡金属氧化物的镁基储氢材料，该材料在组成上主要是在纯镁和过渡金属元素粉末中加入过渡金属的氧化物，如Cr2O3、MnO2、Fe2O3、V2O5、TiO2、Fe3O4、NiO、MnO、V2O3，本发明改善了纯镁储氢材料的充放氢动力学和热力学性能。在140℃提高了充氢速度，1分钟可以达到近5%的储氢量。提高了储氢容量，可达到6%以上。
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公开(公告)号：CN105197891B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510654627.3
申请日：2015-10-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B6/06
Abstract: 一种从AlH3/MgCl2纳米复合物中提取α‑AlH3粉末的方法，它涉及一种制备α‑AlH3粉末的方法。本发明的目的是要解决现有制备α‑AlH3粉末的方法存在成本高，反应产率低，对设备要求高，危险性大，污染环境的问题。方法：一、制备固相的金属盐和液相的AlH3醚合物的乙醚溶液；二、制备液相的AlH3醚合物的乙醚溶液；三、制备灰白色粉体；四、将灰白色粉体加入到盐酸溶液中，再使用蒸馏水和无水乙醇进行清洗，再进行干燥，得到α‑AlH3粉末。本发明制备的α‑AlH3粉末的颗粒大小可达20μm～30μm左右，且经过盐酸溶液洗涤后的α‑AlH3粉末分解温度可达184℃左右，稳定性好。本发明适用于制备α‑AlH3粉末。
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