公开(公告)号：CN202231159U

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201120410538.1

申请日：2011-10-25

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 贺训军 ,  王玥 ,  齐迹 ,  梅金硕 ,  王建民 ,  桂太龙 ,  殷景华

IPC: H01Q17/00

Abstract: 磁控微机械系统双带可调微波超材料吸收器，属于电磁器件领域，本实用新型为解决现有的可调超材料吸收器存在带宽窄、结构复杂、精度不高、不能集成以及制备成本高的问题。本实用新型包括衬底、下金属地板层、绝缘介质层、电子开口谐振环层和悬臂梁，衬底上依次设置有下金属地板层、绝缘介质层和电子开口谐振环层，电子开口谐振环层上的左端开口连接条、中间开口连接条和右端开口连接条的中部为断开的开口部位；开口部位上分别设置有一个悬臂梁；悬臂梁包括支撑件、下层微梁、上层微梁和敏感材料层，下层微梁的上表面依次设置有上层微梁、敏感材料层，下层微梁和上层微梁表面尺寸相同，敏感材料层表面尺寸为上层微梁表面尺寸的一半。

公开(公告)号：CN201750403U

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201020514804.0

申请日：2010-09-02

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 宋明歆 ,  金钊 ,  梅金硕 ,  刘倩 ,  殷景华

IPC: H03F3/45 ,  H03F1/30

Abstract: 单极点多级增益增强放大器，属于放大器技术领域。它解决了现有集成运算放大器的工艺发展造成其增益降低的问题。它由第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管、第二十晶体管、第二十一晶体管、第二十二晶体管和四输入两输出从放大器组成，它基于在晶体管的源极和栅极之间增加一个放大器的原理，增加晶体管栅极的负反馈环路，来降低晶体管的栅极电压，使其输出阻抗变大，从而达到高增益的目的。本实用新型适用于多级放大器电路。

公开(公告)号：CN211567670U

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201920738185.4

申请日：2019-05-21

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 胡文胜 ,  梅金硕 ,  郑岩

IPC: B60K35/00 ,  B60F1/00

Abstract: 一种基于STM32的公铁两用车液晶仪表盘,涉及车液晶仪表盘技术领域,为了解决现有的液晶仪表盘盘面设置的各种仪表及按钮设置不合理，不方便操作，表盘显示参数有限，无法在公铁两用车具上有更宽更广的应用推广的问题。在所述仪表盘液晶显示屏上设有车速表、油量表、燃油低位指示灯、制动系统指示灯、驻车制动按钮、安全带警示灯、变速箱挡位组、里程表、水温表、转速表、左转向灯和右转向灯；转速表、车速表左右对称设置在仪表盘液晶显示屏的中上部，本实用新型根据驾驶员的操作习惯及观察习惯来设置仪表及操作按钮的位置。合理设计各种仪表及操作按钮的位置关系,方便驾驶员操作和使用。

公开(公告)号：CN206650639U

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201720314243.1

申请日：2017-03-29

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 梅金硕 ,  张勇 ,  郑国旭

IPC: H03F3/45

Abstract: 本实用新型公开了一种低压轨至轨运算放大电路，包括：偏置电路、恒定跨导的输入级电路、折叠共源共栅放大电路和自适应负载的AB类输出电路；偏置电路，用于给输入级电路的尾电流源提供偏置电压；恒定跨导的输入级电路，用于实现输入共模电压范围接近轨至轨的范围，输入级的跨导在共模输入电压范围内保持恒定；折叠共源共栅放大电路，用于提高电压增益和电源抑制比；自适应负载的AB类输出电路，用来降低输出级的静态电流对工艺变化的敏感性，实现高驱动能力。本实用新型能在较低的电源电压下工作，在输入信号共模电压达到电源电压时，轨至轨运算放大器仍能正常工作。

公开(公告)号：CN202259698U

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201120410530.5

申请日：2011-10-25

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 贺训军 ,  王玥 ,  齐迹 ,  梅金硕 ,  王建民 ,  殷景华 ,  桂太龙

IPC: H01Q17/00

Abstract: 基于分形结构多带极化不敏感太赫兹超材料吸收器，属于电磁器件领域，本实用新型为解决现有的太赫兹超材料吸收器存在电磁波极化敏感和吸收带宽窄的问题。本实用新型包括衬底、下金属地板层、绝缘介质层和上金属层，衬底上依次设置下金属地板层、绝缘介质层和上金属层，所述上金属层由主谐振结构、次谐振结构和第三谐振结构构成，主谐振结构为十字交叉结构的偶极子，在主谐振结构的偶极子的每个末端均设置有一个次谐振结构，所述次谐振结构为十字交叉结构的偶极子，所述次谐振结构与主谐振结构为一体结构，在次谐振结构的三个外部末端均设置有一个第三谐振结构，所述第三谐振结构为十字交叉结构的偶极子，所述第三谐振结构与次谐振结构为一体结构。

公开(公告)号：CN201417715Y

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200920306699.9

申请日：2009-07-23

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 宋明歆 ,  梅金硕 ,  宋亮 ,  殷景华 ,  王东兴

IPC: H01H59/00

Abstract: 扭转梁电容式射频微机械开关，它涉及一种电容式射频微机械开关。针对目前电容式射频微机械(RF－MEMS)开关主要采用折叠梁或斜拉梁结构，电容式射频微机械开关存在着驱动电压过大，远远超过CMOS集成电路的标准电压5V问题。衬底的上端面与第一绝缘介质层的下端面连接，第一绝缘介质层的上端面分别与多个信号输出线连接，信号输出线的上端面与锚的下端面连接，悬臂梁由制成一体的挠度悬臂梁和扭转悬臂梁构成，挠度悬臂梁的一端固定在锚上，挠度悬臂梁的另一端与上电极的下端面连接。本实用新型用于控制高频信号的通断。