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公开(公告)号:CN1688739A
公开(公告)日:2005-10-26
申请号:CN03823900.0
申请日:2003-08-07
Applicant: 埃西勒国际通用光学公司
Abstract: 本发明的方法涉及在SiOxFy层上形成通过下述两种方法制得的二氧化硅SiO2和/或金属氧化物保护层:通过离子束辅助的气相沉积法,包括用由稀有气体、氧气或两种或多种这类气体的混合物形成的阳离子束轰击形成的层;或通过阴极溅射硅层或金属层然后对硅层或金属层进行氧化步骤的方法。本发明可用于制造抗反射涂层。