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公开(公告)号：CN100385692C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410090081.5
申请日：2004-11-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/0079
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法。本发明以低成本和高成品率提供并制造了一种半导体发光器件，该器件允许发射层中产生的光不仅从其顶部表面而且从其侧表面发出，并且该器件具有高亮度。AlGaInP基半导体发光器件具有设置在发射层(3)和对来自发射层(3)的发射波长透明的透明衬底(2)之间的由(AlyGa1-y)zIn1-zP(0≤y≤1，0＜z＜1)制成的接触层(8)。
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公开(公告)号：CN1319183C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200310101530.7
申请日：2003-10-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 由单层或多层半导体层组成的发光层4在未掺杂型、弱p型，或者n型第一半导体衬底上进行层叠。由单层或多层组成的n型半导体层5-7在该发光层4上进行层叠。对于发光层4所发射光的波长透明的第二半导体层8在n型半导体层7的表面形成。然后，第一半导体衬底被去除。对于发光层所发射光的波长透明的透明电极层9在通过去除第一半导体衬底所暴露的平面上形成。
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公开(公告)号：CN100377377C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510118739.3
申请日：2005-10-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0%的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1248322C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN03160266.5
申请日：2003-06-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/105
Abstract: 本发明公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al0.5Ga0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P或Al0.5In0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×103Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。因此，该发光二极管有很好的高速响应。
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公开(公告)号：CN1612370A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410090081.5
申请日：2004-11-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/0079
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法。本发明以低成本和高成品率提供并制造了一种半导体发光器件，该器件允许发射层中产生的光不仅从其顶部表面而且从其侧表面发出，并且该器件具有高亮度。AlGaInP基半导体发光器件具有设置在发射层(3)和对来自发射层(3)的发射波长透明的透明衬底(2)之间的由(AlyGa1－y)zIn1－zP(0≤y≤1，0＜z＜1)制成的接触层(8)。
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