公开(公告)号：CN105518870B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201480048387.6

申请日：2014-09-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷本贵博 ,  夏秋和弘 ,  内田雅代 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  名仓满

IPC: H01L31/0232 ,  H01L27/146 ,  G01J3/51 ,  G01J3/02

CPC classification number: H01L27/14621 ,  G01J3/0259 ,  G01J3/513 ,  G02B5/008 ,  G02B5/20 ,  G02B5/204 ,  H01L31/02327

Abstract: 光电转换装置包括：由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6a)，其包括周期性地具有多个结构(11)的第一图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第一光电转换元件(A)之上；和由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6b)，其包括周期性地具有多个结构(12)的第二图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第二光电转换元件(B)之上。相互相邻的上述第一图案与第二图案的间隔(a)比第一图案的结构(11)的周期(P1)和第二图案的结构(12)的周期(P2)长。

公开(公告)号：CN109196663B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201780032650.6

申请日：2017-05-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  内田雅代

IPC: H01L31/12

Abstract: 本发明提供的光传感器(1)包括：向被检测物照射光的发光元件(20)；以及具有接受从发光元件(20)照射的光的受光面(40a)的受光元件(40)。在从发光元件(40)照射的光朝向受光面(40a)的路径上设置覆盖受光面(40a)的入射光限制部(60)，该入射光限制部(60)使向受光元件(40)入射的光中的入射角度低于规定值的光透射，而遮挡入射角度为规定值以上的光。

公开(公告)号：CN109891605B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201780066394.2

申请日：2017-09-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  内田雅代

IPC: H01L31/107

Abstract: 本发明的雪崩光电二极管，在第一导电型且具有均匀杂质浓度的基板半导体层(10)内部包括：第一导电型的第一半导体层(11)、第二导电型的第二半导体层(12)、第二导电型的第三半导体层(13)、第二导电型的第四半导体层(14)、形成于在横方向上远离第三半导体层(13)的位置的第一导电型的第五半导体层(15)、第二导电型的第六半导体层(16)、第一接点(31)以及第二接点(32)。第一半导体层(11)分别与第二半导体层(12)和第五半导体层(15)的正下方相接。第一半导体层(11)与第二半导体层(12)之间的结(AJ)处引起雪崩现象。

公开(公告)号：CN109891605A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780066394.2

申请日：2017-09-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  内田雅代

IPC: H01L31/107

Abstract: 本发明的雪崩光电二极管，在第一导电型且具有均匀杂质浓度的基板半导体层(10)内部包括：第一导电型的第一半导体层(11)、第二导电型的第二半导体层(12)、第二导电型的第三半导体层(13)、第二导电型的第四半导体层(14)、形成于在横方向上远离第三半导体层(13)的位置的第一导电型的第五半导体层(15)、第二导电型的第六半导体层(16)、第一接点(31)以及第二接点(32)。第一半导体层(11)分别与第二半导体层(12)和第五半导体层(15)的正下方相接。第一半导体层(11)与第二半导体层(12)之间的结(AJ)处引起雪崩现象。

公开(公告)号：CN109196663A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780032650.6

申请日：2017-05-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  内田雅代

IPC: H01L31/12

Abstract: 本发明提供的光传感器(1)包括：向被检测物照射光的发光元件(20)；以及具有接受从发光元件(20)照射的光的受光面(40a)的受光元件(40)。在从发光元件(40)照射的光朝向受光面(40a)的路径上设置覆盖受光面(40a)的入射光限制部(60)，该入射光限制部(60)使向受光元件(40)入射的光中的入射角度低于规定值的光透射，而遮挡入射角度为规定值以上的光。

公开(公告)号：CN105518870A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480048387.6

申请日：2014-09-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷本贵博 ,  夏秋和弘 ,  内田雅代 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  名仓满

IPC: H01L31/0232 ,  H01L27/146 ,  G01J3/51 ,  G01J3/02

CPC classification number: H01L27/14621 ,  G01J3/0259 ,  G01J3/513 ,  G02B5/008 ,  G02B5/20 ,  G02B5/204 ,  H01L31/02327

Abstract: 光电转换装置包括：由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6a)，其包括周期性地具有多个结构(11)的第一图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第一光电转换元件(A)之上；和由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6b)，其包括周期性地具有多个结构(12)的第二图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第二光电转换元件(B)之上。相互相邻的上述第一图案与第二图案的间隔(a)比第一图案的结构(11)的周期(P1)和第二图案的结构(12)的周期(P2)长。

公开(公告)号：CN105144384A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480023309.0

申请日：2014-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田雅代 ,  夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/14 ,  G02B5/20 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02162

Abstract: 本发明提供难以在等离子体滤光部之下的绝缘层产生凹陷，能够准确地进行等离子体滤光部的微细加工的电路内置光电转换装置及其制造方法。在比配线层(11、12、13)靠上方的绝缘层(7)上设置同一金属层(31)。该金属层(31)具有等离子体滤光部(32)和遮蔽光的屏蔽金属部(33)，该等离子体滤光部(32)具有用于将进行波长选择后的光向第一光电转换元件(101)引导的周期性的开口(32a)。