公开(公告)号：CN101471390A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200910003203.5

申请日：2005-10-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊坂隆行 ,  安彦义哉 ,  殿村嘉章

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法。太阳能电池包括硅基板，在硅基板的后表面侧上的p型杂质扩散区和n型杂质扩散区；后表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的后表面侧；光接收表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的光接收表面上；抗反射膜，形成于所述光接收表面侧钝化膜上。所述光接收表面侧钝化膜的折射率高于所述抗反射膜的折射率。所述光接收表面侧钝化膜和所述抗反射膜分别由氮化硅膜制成。所述后表面侧钝化膜由氧化硅制成。根据本发明，可以提高太阳能电池的最大电功率。

公开(公告)号：CN101044630A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580035580.7

申请日：2005-10-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊坂隆行 ,  安彦义哉 ,  殿村嘉章

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，其包括形成在硅基板(1)的光接收表面上的钝化膜(2)和形成在该钝化膜(2)上的抗反射膜(3)，其中该钝化膜(2)的折射率高于抗反射膜(3)的折射率。还公开了制造这样的太阳能电池的方法。在该太阳能电池中，钝化膜(2)和抗反射膜(3)均可以由氮化硅膜构成。