太阳能电池及太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN101471390B

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN200910003203.5

    申请日:2005-10-13

    CPC classification number: H01L31/02168 H01L31/02167 Y02E10/50

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法。太阳能电池包括硅基板,在硅基板的后表面侧上的p型杂质扩散区和n型杂质扩散区;后表面侧钝化膜,形成于所述硅基板的后表面侧;光接收表面侧钝化膜,形成于所述硅基板的光接收表面上;抗反射膜,形成于所述光接收表面侧钝化膜上。所述光接收表面侧钝化膜的折射率高于所述抗反射膜的折射率。所述光接收表面侧钝化膜和所述抗反射膜分别由氮化硅膜制成。所述后表面侧钝化膜由氧化硅制成。根据本发明,可以提高太阳能电池的最大电功率。

    太阳能电池及太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN101471390A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200910003203.5

    申请日:2005-10-13

    CPC classification number: H01L31/02168 H01L31/02167 Y02E10/50

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法。太阳能电池包括硅基板,在硅基板的后表面侧上的p型杂质扩散区和n型杂质扩散区;后表面侧钝化膜,形成于所述硅基板的后表面侧;光接收表面侧钝化膜,形成于所述硅基板的光接收表面上;抗反射膜,形成于所述光接收表面侧钝化膜上。所述光接收表面侧钝化膜的折射率高于所述抗反射膜的折射率。所述光接收表面侧钝化膜和所述抗反射膜分别由氮化硅膜制成。所述后表面侧钝化膜由氧化硅制成。根据本发明,可以提高太阳能电池的最大电功率。

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