公开(公告)号：CN101346810A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680049220.7

申请日：2006-09-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 安松拓人

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。本发明提供一种半导体装置的制造方法，能够以低温且简单的工艺制造高性能的半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法是在基板上依次具有第一绝缘膜、半导体层和第二绝缘膜的半导体装置的制造方法，所述制造方法包括：形成包括氢阻隔层的第一绝缘膜的工序；在配置有第一绝缘膜的氢阻隔层的区域上形成半导体层的工序；使半导体层中含有氢的工序；至少在配置有半导体层的区域形成包括氢阻隔层的第二绝缘膜的工序；和进行半导体层的氢化退火的工序。