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    柔性半导体基板的制造方法
    1.
    发明授权
    柔性半导体基板的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102089858B

    公开(公告)日：2013-03-13

    申请号：CN200980105243.9

    申请日：2009-02-13

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 安松拓人

    IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603

    Abstract: 本发明的柔性半导体基板的制造方法包含：准备无机基板11的工序；在无机基板上利用溶液状的材料形成厚度为10μm不到的聚酰亚胺层22a的工序；在聚酰亚胺层上形成半导体元件的工序；在形成半导体元件之后从无机基板剥离聚酰亚胺层的工序；以及形成厚度在聚酰亚胺层的厚度以上的聚对二甲苯树脂层35、37的工序。聚对二甲苯树脂层在剥离工序之前形成在半导体元件上亦可，在剥离工序之后形成在聚酰亚胺层的与半导体元件相反的一侧亦可。本发明的制造方法在量产性方面优良。

    有机电致发光显示装置及其制造方法
    3.
    发明公开
    有机电致发光显示装置及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN102224613A

    公开(公告)日：2011-10-19

    申请号：CN200980147116.5

    申请日：2009-09-11

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 箕浦洁 ,  浅冈康 ,  安松拓人

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

    CPC classification number: H01L51/5268 ,  H01L27/3253 ,  H01L51/003 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5275

    Abstract: 本发明提供有机电致发光显示装置及其制造方法，该有机电致发光显示装置的制造方法能够成品率良好地制造外部取出效率高的有机电致发光显示装置。本发明的有机电致发光显示装置具有以下结构：具有有机电致发光元件的元件配置基板与具有上述有机电致发光元件的驱动电路的电路基板相互接合，上述元件配置基板从观察面一侧起具备透明剥离层、光散射层、透明电极、发光层和反射电极，在上述元件配置基板与上述电路基板之间的间隙，设置有将上述反射电极与上述驱动电路的电极电连接的导电体。

    半导体装置的制造方法和半导体装置
    5.
    发明授权
    半导体装置的制造方法和半导体装置 失效

    公开(公告)号：CN101346810B

    公开(公告)日：2012-04-18

    申请号：CN200680049220.7

    申请日：2006-09-06

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 安松拓人

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675

    Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。本发明提供一种半导体装置的制造方法，能够以低温且简单的工艺制造高性能的半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法是在基板上依次具有第一绝缘膜、半导体层和第二绝缘膜的半导体装置的制造方法，所述制造方法包括：形成包括氢阻隔层的第一绝缘膜的工序；在配置有第一绝缘膜的氢阻隔层的区域上形成半导体层的工序；使半导体层中含有氢的工序；至少在配置有半导体层的区域形成包括氢阻隔层的第二绝缘膜的工序；和进行半导体层的氢化退火的工序。

    半导体装置和显示装置
    6.
    发明公开
    半导体装置和显示装置 失效

    公开(公告)号：CN101356650A

    公开(公告)日：2009-01-28

    申请号：CN200680050933.5

    申请日：2006-09-06

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 安松拓人

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368

    CPC classification number: H01L27/1237 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621

    Abstract: 本发明提供在同一基板上具有能够实现高性能化的电路元件和能够实现高耐压化的电路元件、并且能够实现高可靠性的半导体装置和显示装置。本发明的半导体装置在基板上具有第一电路元件和第二电路元件，上述第一电路元件具有依次叠层有第一半导体层、第一绝缘膜、第一导电层和第三绝缘膜的结构，上述第二电路元件具有依次叠层有第二半导体层、膜厚比第一绝缘膜的膜厚大的第二绝缘膜、和第二导电层的结构，上述第一绝缘膜具有最上层由氮化硅构成的叠层结构，上述第二绝缘膜由具有第一绝缘膜的叠层结构的下层部、和包括第一导电层上的第三绝缘膜的结构的上层部构成。

    植物用照明装置、栽培棚、植物工厂和植物栽培方法
    7.
    发明公开
    植物用照明装置、栽培棚、植物工厂和植物栽培方法 无效 转让

    公开(公告)号：CN104335842A

    公开(公告)日：2015-02-11

    申请号：CN201410389720.1

    申请日：2014-08-08

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 久保智树 ,  安松拓人 ,  藤宽

    IPC: A01G9/20

    CPC classification number: A01G7/045

    Abstract: 一种植物用照明装置、栽培棚、植物工厂和植物栽培方法。一种植物用照明装置，减轻作业者的心理负担并且对植物高效地照射用于促进生长的光。生长用照明部的出射光和辅助照明部的出射光的合成光在400nm以上、500nm以下的波长具有光量子通量的第1峰值，在600nm以上、700nm以下的波长具有光量子通量的第2峰值，合成光中的500nm以上、600nm以下的各波长的光量子通量小于第1峰值及第2峰值的光量子通量。

    半导体装置和显示装置
    8.
    发明授权
    半导体装置和显示装置 失效

    公开(公告)号：CN101356650B

    公开(公告)日：2012-04-04

    申请号：CN200680050933.5

    申请日：2006-09-06

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 安松拓人

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368

    CPC classification number: H01L27/1237 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621

    Abstract: 本发明提供在同一基板上具有能够实现高性能化的电路元件和能够实现高耐压化的电路元件、并且能够实现高可靠性的半导体装置和显示装置。本发明的半导体装置在基板上具有第一电路元件和第二电路元件，上述第一电路元件具有依次叠层有第一半导体层、第一绝缘膜、第一导电层和第三绝缘膜的结构，上述第二电路元件具有依次叠层有第二半导体层、膜厚比第一绝缘膜的膜厚大的第二绝缘膜、和第二导电层的结构，上述第一绝缘膜具有最上层由氮化硅构成的叠层结构，上述第二绝缘膜由具有第一绝缘膜的叠层结构的下层部、和包括第一导电层上的第三绝缘膜的结构的上层部构成。

    柔性半导体基板的制造方法
    9.
    发明公开
    柔性半导体基板的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102089858A

    公开(公告)日：2011-06-08

    申请号：CN200980105243.9

    申请日：2009-02-13

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 安松拓人

    IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603

    Abstract: 本发明的柔性半导体基板的制造方法包含：准备无机基板11的工序；在无机基板上利用溶液状的材料形成厚度为10μm不到的聚酰亚胺层22a的工序；在聚酰亚胺层上形成半导体元件的工序；在形成半导体元件之后从无机基板剥离聚酰亚胺层的工序；以及形成厚度在聚酰亚胺层的厚度以上的聚对二甲苯树脂层35、37的工序。聚对二甲苯树脂层在剥离工序之前形成在半导体元件上亦可，在剥离工序之后形成在聚酰亚胺层的与半导体元件相反的一侧亦可。本发明的制造方法在量产性方面优良。

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