公开(公告)号：CN112513959B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201880096085.4

申请日：2018-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  谷山博己 ,  郡司辽佑 ,  有贺广司 ,  仲田芳浩 ,  谷村康治 ,  小原义博 ,  神村浩治 ,  井上彬

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09F9/33

Abstract: 氧化物半导体层包含岛状的半导体线(SS)，所述岛状的半导体线(SS)在俯视下位于多个驱动器与显示区域之间，与多个控制线以及多个电源线正交，所述半导体线在栅极绝缘膜(16)的开口中与所述多个控制线(Gn、En)接触，并且在第一无机绝缘膜(18)的开口中与所述多个电源线(In、Qn)接触，且包括多个变细部(WT)。

公开(公告)号：CN111937489A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201880091987.9

申请日：2018-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  谷山博己 ,  郡司辽佑 ,  有贺广司 ,  仲田芳浩 ,  谷村康治 ,  小原义博 ,  井上彬 ,  神村浩治 ,  家根田刚士

IPC: H05B33/02 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/06 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

Abstract: 与阳极(22)同层的第一导电层(22M)经由形成在非显示区域(DA)的平坦化膜(21)的第一狭缝(H1)及第二狭缝(H2)和与源极(SE)同层的第三导电层(SM)和阴极(25)连接，与第一狭缝(H1)和第二狭缝(H2)重叠的电容电极(CE)设置有同层的第二导电层CM1/CM2。

公开(公告)号：CN111919510A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201880091929.6

申请日：2018-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 郡司辽佑 ,  冈部达 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  有贺广司 ,  谷山博己 ,  仲田芳浩 ,  谷村康治 ,  小原义博 ,  神村浩治 ,  井上彬

IPC: H05B33/02 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

Abstract: 在显示设备中，第二配线(SH)延伸显示区域，向第二配线(SH)的延伸方向，从第二配线(SH)延伸的虚拟直线与边缘罩(23)的开口(23A)正交，第二配线(SH)以避开与边缘罩(23)的开口(23A)的正交的方式沿着开口(23A)的周缘延伸。

公开(公告)号：CN111902855A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201880091769.5

申请日：2018-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  谷山博己 ,  郡司辽佑 ,  有贺广司 ,  仲田芳浩 ,  谷村康治 ,  小原义博 ,  神村浩治 ,  井上彬

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30

Abstract: 在形成由第一金属层构成的多个控制线(G)的工序中，形成将相邻的控制线彼此局部连接的第一金属层分支线(Ga)。在形成由第二金属层构成的多个电源线(P)的工序中，形成经由第一绝缘膜(18)的通孔而使电源线与第一金属层分支线连接的第二金属层连接部(Pb)。将控制线/电源线与显示区域(55)外的电路元件(57)连接，使第一金属层分支线/第二金属层连接部切割。