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公开(公告)号：CN112771603B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201880098066.5
申请日：2018-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/3233 , G09G3/20
Abstract: 本申请公开了即使在进行中止驱动时也能够进行不发生闪烁的良好的显示的电流驱动型的显示装置。在像素电路(15)中，在基于第一初始化晶体管(T4)的栅极电压(Vg)的初始化后，数据信号线(Di)的电压经由写入控制晶体管(T2)和驱动晶体管(T1)被写入保持电容器(Cst)。之后，发光控制晶体管(T5)、(T6)导通，有机EL元件(OL)通过来自驱动晶体管(T1)的驱动电流(I1)而发光。在该发光期间，即使栅极电压(Vg)由于截止状态的第一初始化晶体管(T4)的漏电流而降低，也能够通过增大提供给驱动晶体管(T1)的阈值控制端子(TG)的阈值控制电压来补偿该降低。其结果是，即使因中止驱动而刷新周期变长，也能抑制由上述栅极电压(Vg)的降低而引起的亮度的增大，能够防止闪烁的发生。
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公开(公告)号：CN111886925B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201880091493.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B33/02 , G09F9/30 , H10K59/131 , H10K50/805 , H05B33/06 , H05B33/12 , H05B33/22
Abstract: 显示设备(2)在非显示区域(NA)的边缘盖上设置有缝隙(H)，在狭缝(H)中，在阳极(22)上连接同层的第一导电层(22M)、和阴极(25)，以使在电容电极(CE)上同层的第二金属层(CM)与狭缝(H)重叠方式设置。
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公开(公告)号：CN112823568A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201880097946.0
申请日：2018-09-25
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在边框区域以与框状的阻挡壁交叉延伸的方式设置，通过与依次层叠有第一金属层(Ma)、第二金属层(Mb)以及第三金属层(Mc)的各显示配线(18f、18g)相同的材料形成在同一层，在显示区域侧与显示配线(18f、18g)电连接，在端子部侧与端子电连接的引绕配线(18f、18g)中，第三金属层(Mc)以覆盖第一金属层(Ma)的侧面以及第二金属层(Mb)的侧面以及上表面的方式设置。
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公开(公告)号：CN112753058A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201880097830.7
申请日：2018-09-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 使形成在表面显示区域的第一电极(22)露出的边缘罩(23)的第一开口(HA)比使形成在侧面显示区域的第一电极(22)露出的边缘罩(23)的第二开口(HB)大，与第一开口(HA)重叠的发光层(24)具有与第二开口(HB)重叠的发光层(24)相同的形状并且相同的大小。
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公开(公告)号：CN110476255A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201780089175.6
申请日：2017-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
Abstract: 本发明是设置在显示装置(1)的像素电路中的半导体装置(10)，从下方向侧起依次包括基板(11)、LTPS层(135SLA)、第一栅极绝缘层(14)、第一金属层(145GA、145GB)、第一平坦化层(15)、第二栅极绝缘层(16)、氧化物半导体层(165SLB)半导体层、第二金属层(165SB、165DB)、钝化层(17)以及第三金属层(165CA)。LTPS-TFT(10A)的栅极电极(145GA)与氧化物半导体TFT(10B)的栅极电极(145GB)由第一金属层形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110476255B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201780089175.6
申请日：2017-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
Abstract: 本发明是设置在显示装置(1)的像素电路中的半导体装置(10)，从下方向侧起依次包括基板(11)、LTPS层(135SLA)、第一栅极绝缘层(14)、第一金属层(145GA、145GB)、第一平坦化层(15)、第二栅极绝缘层(16)、氧化物半导体层(165SLB)、第二金属层(165SB、165DB)、钝化层(17)以及第三金属层(165CA)。LTPS‑TFT(10A)的栅极电极(145GA)与氧化物半导体TFT(10B)的栅极电极(145GB)由第一金属层形成。
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公开(公告)号：CN113474830B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201980092859.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在TFT层形成工序中，首先，在通过进行半导体层形成工序来形成树脂基板(10)上的半导体层之后，通过进行栅极绝缘膜形成工序来形成栅极绝缘膜(13)以覆盖半导体层，接着，通过进行第一金属膜成膜工序、第一光刻工序以及第一蚀刻工序来形成第一金属层(14a)，进而，通过进行第二金属膜成膜工序、第二光刻工序以及第二蚀刻工序来形成第二金属层(15a)，从而形成层叠有第一金属层(14a)及第二金属层(15a)的栅极层(16a)。
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公开(公告)号：CN111886925A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201880091493.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 显示设备(2)在非显示区域(NA)的边缘盖上设置有缝隙(H)，在狭缝(H)中，在阳极(22)上连接同层的第一导电层(22M)、和阴极(25)，以使在电容电极(CE)上同层的第二金属层(CM)与狭缝(H)重叠方式设置。
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公开(公告)号：CN109313871A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037820.X
申请日：2017-06-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供难以在接触孔内产生金属膜的断接的有源矩阵基板。该有源矩阵基板在玻璃基板(1)上包括：第一绝缘膜～第三绝缘膜(4、6、11)和第一金属膜～第三金属膜(5、9、12)；和将第一金属膜和第二金属膜(5、9)电连接的接触孔(CH)，上述接触孔(CH)具有分别形成在第一绝缘膜～第三绝缘膜(4、6、11)中的第一孔～第三孔(H1、H2、H3)，在第一孔(H1)的内侧，第一金属膜和第三金属膜(5、12)接触，在上述第三孔(H3)的下方的区域，第二绝缘膜(6)和氧化物半导体膜(7)重叠，在上述第一绝缘膜(4)的上方且第三孔(H3)的内侧或下方的区域，第二金属膜和第三金属膜(9、12)接触。
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公开(公告)号：CN101155693A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680011723.5
申请日：2006-04-11
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 家根田刚士
IPC: B41J2/175
CPC classification number: B41J2/17513 , B41J2/175 , B41J2/19
Abstract: 本发明提供一种喷墨装置(100)，包括：从喷嘴孔喷出墨水的喷墨头(1)；为了覆盖具有喷嘴孔的面而对喷墨头(1)装卸自如的压盖装置(2)；通过过滤器将从墨盒(9)供给的墨水引导到所述喷墨头(1)的过滤室(5)；连接于压盖装置(2)并在装于喷墨头(1)的状态下，使压盖装置(2)内部为负压，排出压盖装置内部的空气的第一负压发生装置(7)；以及连接于排气孔(55)并使过滤室(5)内部为负压，从该排气孔(55)排出该内部空气的第二负压发生装置(8)，在使压盖装置(2)内部为负压期间，从排气孔(55)使所述过滤室(5)的内部为负压。
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