公开(公告)号：CN1551431A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410059538.6

申请日：2004-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蛭川秀一 ,  河西秀典 ,  山本圭

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/20 ,  G11B7/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/00

Abstract: 在具有大于760nm并小于800nm的振荡波长的半导体激光装置中，在n－型GaAs衬底(101)上，依次堆叠有n－型第一和第二下覆盖层(103，104)、下波导层(105)、GaAs下界面保护层(106)、InGaAsP应变多量子阱有源层(107)、GaAs上界面保护层(108)、上波导层(109)和p－型AlGaAs上覆盖层(110)。量子阱有源层(107)与上波导层(109)之间的界面和量子阱有源层(107)与上波导层(105)之间的界面变得陡峭，晶体的外延生长也变得良好。

公开(公告)号：CN1543025A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410031581.1

申请日：2004-03-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蛭川秀一 ,  河西秀典 ,  岸本克彦

IPC: H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373

Abstract: 本发明公开一种半导体激光装置和光盘装置，该激光装置具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，在n型GaAs基板(101)上，顺次叠置n型第一和第二下包层(103，104)、下引导层(106)、应变InGaAsP多量子阱有源层(107)、上引导层(109)和p型上包层(110)。因为下引导层(106)由InGaP形成，所以减少了载流子从有源层中的泄漏。另外，因为上引导层(109)由AlGaAs形成，所以抑制了载流子(尤其是电子)的溢出。