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公开(公告)号：CN1307757C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200310104682.2
申请日：2003-10-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173
Abstract: 一种半导体激光器件具有至少一层第一导电型下覆盖层，一层量子势阱活性层和一层第二导电型上覆盖层，它们是堆积在第一导电型GaAs基底上的。该量子势阱活性层是由交替堆积的、由以InGaAs为基的材料制成的阻挡层和势阱层组成的。该量子势阱活性层是在用第二导电型杂质掺杂中生长的，为的是让该半导体激光器件除具有长的寿命之外，即使在大功率的驱动这时也能显示出高可靠性。
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公开(公告)号：CN1290239C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200410031581.1
申请日：2004-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2223 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373
Abstract: 本发明公开一种半导体激光装置和光盘装置，该激光装置具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，在n型GaAs基板(101)上，顺次叠置n型第一和第二下包层(103，104)、下引导层(106)、应变InGaAsP多量子阱有源层(107)、上引导层(109)和p型上包层(110)。因为下引导层(106)由InGaP形成，所以减少了载流子从有源层中的泄漏。另外，因为上引导层(109)由AlGaAs形成，所以抑制了载流子(尤其是电子)的溢出。
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公开(公告)号：CN1499685A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310104682.2
申请日：2003-10-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173
Abstract: 一种半导体激光器件具有至少一层第一导电型下覆盖层，一层量子势阱活性层和一层第二导电型上覆盖层，它们是堆积在第一导电型GaAs基底上的。该量子势阱活性层是由交替堆积的、由以InGaAs为基的材料制成的阻挡层和势阱层组成的。该量了势阱活性层是在用第二导电型杂质掺杂中生长的，为的是让该半导体激光器件除具有长的寿命之外，即使在大功率的驱动这时也能显示出高可靠性。
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公开(公告)号：CN101055970A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710096023.7
申请日：2007-04-10
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01S5/0202 , H01S5/02252 , H01S5/02288 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/34353 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了在高功率输出时能稳定工作而不损伤谐振腔端面的半导体激光装置及其制造方法，以及使用该半导体激光装置的光传输模块和光盘设备。一种半导体激光装置的制造方法，包括：形成至少具有半导体层以形成谐振腔端面的激光器晶片的激光器晶片形成步骤；在空气中解理该激光器晶片并形成具有该谐振腔端面的半导体激光元件的解理步骤；将该谐振腔端面与含氮气90－100体积％的含氮气气体接触至少一个小时的接触步骤；以及形成与该谐振腔端面接触的反射控制膜的反射控制膜形成步骤。
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公开(公告)号：CN1271760C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410038742.X
申请日：2004-03-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 提供一种即使在高功率操作中仍高度可靠并具有长寿命的半导体激光器件，以及一种使用该半导体激光器件的光盘装置。一种具有大于760nm且小于800nm振荡波长的半导体激光器件，其中：在n型GaAs衬底(101)上，依次叠置有n型第一和第二下包层(103、104)，下波导层(105)、量子阱有源层(107)、上波导层(109)和p型上包层(110)。该量子阱有源层由按如下方式交替排列的两层InGaAsP压缩应变量子阱层和三层InGaAsP势垒层构成，该交替排列方式使n-侧势垒层存在于下波导层的一侧，且p-侧势垒层存在于上波导层的一侧。该n-侧势垒层具有130的厚度，以使空穴难以隧穿。该p-侧势垒层具有50的厚度，以促进空穴的隧穿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1533004A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410038742.X
申请日：2004-03-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 提供一种即使在高功率操作中仍高度可靠并具有长寿命的半导体激光器件，以及一种使用该半导体激光器件的光盘装置。一种具有大于760nm且小于800nm振荡波长的半导体激光器件，其中：在n型GaAs衬底(101)上，依次叠置有n型第一和第二下包层(103、104)，下波导层(105)、量子阱有源层(107)、上波导层(109)和p型上包层(110)。该量子阱有源层由按如下方式交替排列的两层InGaAsP压缩应变量子阱层和三层InGaAsP势垒层构成，该交替排列方式使n－侧势垒层存在于下波导层的一侧，且p－侧势垒层存在于上波导层的一侧。该n－侧势垒层具有130的厚度，以使空穴难以隧穿。该p－侧势垒层具有50的厚度，以促进空穴的隧穿。
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公开(公告)号：CN109074854A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680079989.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种与以往相比能够更简单地获取与被实验者的精神或肉体的状态的变化相关的信息的计算机、信息处理方法以及网络系统。提供一种计算机(100)，其包括：存储器(120)，其用于积存从被实验者获取的头发而获得的第一数据；与头发获取时期不同的从被实验者获取的检测体而获得的第二数据；及处理器(110)，其用于基于第一及第二数据生成被实验者的精神或肉体的状态的变化。
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公开(公告)号：CN102047511A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980118976.6
申请日：2009-05-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/483 , H01L33/507 , H01L2224/48091 , H01S5/02212 , H01S5/02288 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其通过抑制生产率的下降，能够降低制造成本。该发光装置具备：发光元件(11)、密封发光元件(11)的帽(20)、被覆帽(20)的上面的光转换构造部(16)。帽(20)包含：具有用于取出从发光元件(11)射出的光的孔的基部(14)、和覆盖于孔的玻璃部(15)。玻璃部(15)设置于基部(14)的外侧，光转换构造部(16)设置于玻璃部(15)的外侧。
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公开(公告)号：CN100581013C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710096023.7
申请日：2007-04-10
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01S5/0202 , H01S5/02252 , H01S5/02288 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/34353 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了在高功率输出时能稳定工作而不损伤谐振腔端面的半导体激光装置及其制造方法，以及使用该半导体激光装置的光传输模块和光盘设备。一种半导体激光装置的制造方法，包括：形成至少具有半导体层以形成谐振腔端面的激光器晶片的激光器晶片形成步骤；在空气中解理该激光器晶片并形成具有该谐振腔端面的半导体激光元件的解理步骤；将该谐振腔端面与含氮气90-100体积%的含氮气气体接触至少一个小时的接触步骤；以及形成与该谐振腔端面接触的反射控制膜的反射控制膜形成步骤。
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公开(公告)号：CN1293685C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200410059538.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 在具有大于760nm并小于800nm的振荡波长的半导体激光装置中，在n-型GaAs衬底(101)上，依次堆叠有n-型第一和第二下覆盖层(103，104)、下波导层(105)、GaAs下界面保护层(106)、InGaAsP应变多量子阱有源层(107)、GaAs上界面保护层(108)、上波导层(109)和p-型AlGaAs上覆盖层(110)。量子阱有源层(107)与上波导层(109)之间的界面和量子阱有源层(107)与上波导层(105)之间的界面变得陡峭，晶体的外延生长也变得良好。
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