公开(公告)号：CN106104822A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580012783.8

申请日：2015-04-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 金子和昭 ,  大沼宏彰 ,  松田诚

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/507 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014

Abstract: 发光装置具备：放射在380nm以上且480nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的光的至少一个发光元件；被从发光元件放射的一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光的第1绿色荧光体；被一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光的第2绿色荧光体；和被一次光激励，放射在红色区域具有峰值发光波长的光的红色荧光体。第2绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长比第1绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长短。

公开(公告)号：CN100376042C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200410090000.1

申请日：2004-10-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 金子和昭 ,  梅田浩 ,  佐佐木和明 ,  中村淳一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体发光元件，其可得到均匀的发光的同时，可实现半导体发光元件的小型化。其具有：n型GaAs衬底(3)；由n型AlInP下涂敷层(4a)、AlGaInP活性层(5)以及p型AlInP上涂敷层(4b)构成的发光区域层(6)；p型AlGaInP电流扩散层(9)；由AuZn构成的p型电极(10)；还具有用于将发光限制在电流扩散层(9)的发光区域层(6)侧而部分形成的n型GaP电流阻止层(8)；由AuGe构成的n型电极(2)。其中，通过由中央区域部分(8a)和从该中央区域部分(8a)介由电流扩散层(9)的区域部分包围的外侧区域部分(8b)形成电流阻止层(8)，从而将在光取出侧面得到的发光部分(7)形成为环状，并且使电极(10)朝向所述中央区域部分(8a)。

公开(公告)号：CN1612368A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410090000.1

申请日：2004-10-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 金子和昭 ,  梅田浩 ,  佐佐木和明 ,  中村淳一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体发光元件，其可得到均匀的发光的同时，可实现半导体发光元件的小型化。其具有：n型GaAs衬底(3)；由n型AlInP下涂敷层(4a)、AlGaInP活性层(5)以及p型AlInP上涂敷层(4b)构成的发光区域层(6)；p型AlGaInP电流扩散层(9)；由AuZn构成的p型电极(10)；还具有用于将发光限制在电流扩散层(9)的发光区域层(6)侧而部分形成的n型GaP电流阻止层(8)；由AuGe构成的n型电极(2)。其中，通过由中央区域部分(8a)和从该中央区域部分(8a)介由电流扩散层(9)的区域部分包围的外侧区域部分(8b)形成电流阻止层(8)，从而将在光取出侧面得到的发光部分(7)形成为环状，并且使电极(10)朝向所述中央区域部分(8a)。