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公开(公告)号：CN106505409B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610805765.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造光学半导体元件的方法，该方法包括：第一步骤，在该第一步骤中，形成在半绝缘基板上形成的半导体层的圆柱结构；第二步骤，在该第二步骤中，在所述圆柱结构的外周暴露所述基板；第三步骤，在该第三步骤中，预处理包括所述第一接触层及所述基板的暴露表面的区域；第四步骤，在该第四步骤中，在所述第一接触层的所述暴露表面上形成第一电极；第五步骤，在该第五步骤中，在包括所述圆柱结构的侧面并且包括所述暴露表面的区域中形成中间层绝缘膜；第六步骤，在该第六步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第一电极配线；以及第七步骤，在该第七步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第二电极配线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107072526A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059728.4
申请日：2015-11-19
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: A61B3/117 , A61B3/0025 , A61B3/10 , A61B5/14507 , A61B5/14532 , A61B5/1455 , A61B5/14551 , A61B5/6821 , A61B2562/0238 , A61B2562/0242
Abstract: 一种用于执行眼球(10)的光学测量的装置(1)设置有设置在眼球(10)的内角侧的光发射系统(21)以及光接收系统(23)。光发射系统(21)具有光发射部(25)、用于控制来自光发射部(25)的光的偏振的偏振器(27)以及反射镜(29)，反射镜(29)相对于眼球(10)的深度与偏振器(27)相比更靠里设置，并且反射经偏振控制的光，以使得经偏振控制的光横穿眼球(10)的眼前房(13)。设置在眼球(10)的外角侧的光接收系统(23)接收在不经过用于改变光偏振状态的光反射构件的情况下横穿过眼前房(13)的光，并且检测所接收的光的偏振状态的变化。
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公开(公告)号：CN107072525A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059671.8
申请日：2015-11-19
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: A61B3/117 , A61B3/0025 , A61B3/10 , A61B5/14507 , A61B5/14532 , A61B5/1455 , A61B5/6821
Abstract: 用于眼球(10)的该光学测量装置(1)设置有：光发射系统(21)，其发射穿过要经受测量的人的眼球(10)中的眼前房(13)的光；光接收系统(23)，其接收穿过眼前房(13)的光；保持构件(50)，其用于保持光发射系统(21)和光接收系统(23)；以及控制单元(40)，其被设置到保持构件(50)，并且将从光发射系统(21)朝着眼前房(13)发射的光的角度调节为使得所述光能够穿过眼前房(13)并被光接收系统(23)接收的角度。
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公开(公告)号：CN102891230B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201210230065.6
申请日：2012-07-04
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41J2/45 , H01L27/156 , H01L33/0016 , H01L33/10 , H01L33/40
Abstract: 发光器件、发光器件阵列、光学记录头、图像成形装置和制造发光器件的方法。提供了一种发光器件，包括：第一导电类型的半导体基板；第一导电类型的半导体多层反射镜，形成在半导体基板上；第一导电类型的第一半导体层，形成在半导体多层反射镜上；第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层上；第一导电类型的第三半导体层，形成在第二半导体层上；第二导电类型的第四半导体层，形成在第三半导体层上；第一电极，形成在半导体基板的背面；以及第二电极，形成在第四半导体层上，其中，所述半导体多层反射镜包括被选择性地氧化的第一氧化区和与所述第一氧化区相邻的第一导电区，并且所述第一导电区电连接所述半导体基板和所述第一半导体层。
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公开(公告)号：CN102969421A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210102366.0
申请日：2012-04-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/04054 , B41J2/45 , H01L33/0016 , H01L33/145
Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件阵列、光写头、及图像形成设备。所述发光元件包括半导体衬底和形成在该半导体衬底上的岛结构。所述岛结构包括发光单元晶闸管和电流限制结构。所述发光单元晶闸管包括具有pnpn结构的堆叠的多个半导体层。所述电流限制结构包括高阻区和导电区，并限制所述导电区中的载流子。
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公开(公告)号：CN102891230A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210230065.6
申请日：2012-07-04
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41J2/45 , H01L27/156 , H01L33/0016 , H01L33/10 , H01L33/40
Abstract: 发光器件、发光器件阵列、光学记录头、图像成形装置和制造发光器件的方法。提供了一种发光器件，包括：第一导电类型的半导体基板；第一导电类型的半导体多层反射镜，形成在半导体基板上；第一导电类型的第一半导体层，形成在半导体多层反射镜上；第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层上；第一导电类型的第三半导体层，形成在第二半导体层上；第二导电类型的第四半导体层，形成在第三半导体层上；第一电极，形成在半导体基板的背面；以及第二电极，形成在第四半导体层上，其中，所述半导体多层反射镜包括被选择性地氧化的第一氧化区和与所述第一氧化区相邻的第一导电区，并且所述第一导电区电连接所述半导体基板和所述第一半导体层。
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