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公开(公告)号：CN119836718A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380061567.7
申请日：2023-08-24
Applicant: 国立大学法人京都大学
Abstract: 提供一种能够使激光束的截面中的光的强度分布接近均匀的二维光子晶体激光器。二维光子晶体激光器(10)具备：活性层(11)；二维光子晶体层(12)，其设置在活性层(11)的一个面侧，在板状的母材(121)内周期性地二维状地配置有折射率与母材(121)的折射率不同的异折射率区域(122)；以及第一电极(171)和第二电极(172)，该第一电极(171)和第二电极(172)以在层叠方向上夹着活性层(11)和二维光子晶体层(12)的方式设置，其中，第一电极(171)具有开口(175)，第二电极(172)的外切圆向第一电极(171)的投影(1721)位于开口(175)内，第一电极(171)的开口(175)的周围的至少一部分伸出到投影(1721)内。
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公开(公告)号：CN119481949B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510051803.8
申请日：2025-01-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种光子晶体面发射激光器，涉及半导体激光器技术领域。光子晶体面发射激光器包括：激发部，用于激发激光；发射部，用于使激光产生谐振，并通过衍射在谐振面的法向方向输出激光，其中，发射部包括阵列排布的多个光子晶体单元，每一个光子晶体单元用于在激光谐振时形成不同的多种谐振模式，并通过光子晶体单元的特定形状截面使多种谐振模式中电场矢量对称的两种谐振模式在能带点简并耦合。
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公开(公告)号：CN118783240A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310361964.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体激光器结构及其制作方法。所述激光器结构包含有光子晶体结构，所述光子晶体结构形成于所述激光器结构的n侧，并包括激光器结构内的至少部分n型III族氮化物半导体材料。以及，所述激光器结构的p侧表面通过p型欧姆接触电极与导热支撑基板导热连接。本发明的激光器结构具有串联电阻小、热阻低、发光效率高、应力小等优点，可大幅增强光子晶体表面发射激光器的性能，有效延长其使用寿命，且其制作工艺与现有半导体激光器制作工艺兼容，非常适合III族氮化物半导体光子晶体表面发射激光器的规模生产。
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公开(公告)号：CN117134193B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311305968.0
申请日：2023-10-10
Applicant: 深圳技术大学
Abstract: 本发明涉及激光技术领域，特别是涉及一种硅基电泵浦钙钛矿光子晶体面发射激光器。本发明激光器的有源区包括依次设置的n型超晶格层、二维钙钛矿发光层和p型超晶格层。该激光器的结构由下至上依次为Si基底，氧化硅层，n型电极，n型砷化镓层，n型渐变折射率层，n型砷化铝镓层，n型超晶格层，二维钙钛矿发光层，p型超晶格层，氮化硅层，p型砷化铝镓层，p型渐变折射率层，p型砷化镓层，ITO层和p型电极。本发明在硅基上直接制备了高稳定性的面发射激光器，避免了传统硅基异质集成中直接外延生长和晶片键合等复杂工艺，本发明产品可采用旋涂法和热蒸发方法制备，工艺简单，为硅基片上光互联、单片集成光电芯片等应用提供了可行性方案。
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公开(公告)号：CN112117637B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201910543553.4
申请日：2019-06-21
Applicant: 富昱晶雷射科技股份有限公司
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117595061A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202210973917.4
申请日：2022-08-15
Applicant: 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
IPC: H01S5/02253 , H01S5/18
Abstract: 本发明实施例公开了一种一字线光学模组和光学设备。一字线光学模组包括基板；激光器，激光器固定于基板上；第一光学单元和第二光学单元，第一光学单元和第二光学单元依次位于激光器的激光出射光路上；第一光学单元包括第一表面，第二光学单元包括第二表面；激光器发出的激光经第一表面后至少在第一方向上汇聚，并经第二表面后在第二方向发散；第一方向与第二方向垂直。本发明实施例提供的技术方案，能够使得一字线型光汇聚在距离激光器较近的位置，由此得到较短工作距离下具有较细线宽的一字线型光束，提高一字线光学模组的工作精度，扩展了一字线光学模组的应用范围。
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公开(公告)号：CN117134185A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310572937.5
申请日：2023-05-19
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 本发明的面发光激光元件的制造方法具备以下步骤：(a)在透光性的基板上形成包含光子晶体层的第一半导体层，(b)在第一半导体层上进行晶体生长而依次形成活性层和第二半导体层，(c)进行分光测定：从第二半导体层的表面入射照射光，测定从该表面到经光子晶体层反射照射光的反射位置为止的层厚，(d)在第二半导体层上形成透光性电极，该透光性电极具有基于光路长度计算出的层厚，该光路长度对应于通过分光测定得到的该层厚，(e)在透光电极上形成光反射层，透光性电极的层厚通过下述方式确定：从光子晶体层射出并从基板的背面出射的直接衍射光与从光子晶体层放射出并经光反射层反射的反射衍射光的干涉光的光强度大于直接衍射光的光强度。
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公开(公告)号：CN116780336A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310751360.4
申请日：2023-06-25
Applicant: 重庆师范大学
Abstract: 本发明属于激光技术领域，具体公开了利用半导体材料非线性效应实现自锁模的超快紫外激光器，包括半导体激光二极管激励光源、前端反射镜、偏振及滤波器件、面发射增益介质、第一折叠镜、第一频率转换晶体、第二折叠镜、第二频率转换晶体和后端反射镜；半导体激光二极管激励光源发出的激励光被面发射增益介质吸收并产生受激辐射；面发射增益介质产生非线性效应，形成负透镜并启动激光器自锁模。受激辐射在谐振腔内形成基频激光，被转换为二次谐波激光和最终的紫外激光。本发明不需要额外的锁模元件，利用增益介质中的非线性效应实现自锁模，而且锁模光的高峰值功率可提高基频激光到紫外激光的转换效率，可广泛用于科研领域及高端制造业。
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公开(公告)号：CN110546564B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201880026748.5
申请日：2018-06-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本实施方式涉及能够降低半导体发光元件对从空间光调制元件输出的调制后的光产生的衰减或衍射作用的发光装置，该发光装置包括从光输出面输出光的半导体发光元件，和对该光进行调制的反射型的空间光调制元件。空间光调制元件包括面积比半导体发光元件的光输入面大的光入射出射面，对经由光输入输出面中的与半导体发光元件的光输出面相对的区域取入的光进行调制，将调制后的光从该光输入输出面中的其他的区域输出到半导体发光元件的光输入面以外的空间。
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公开(公告)号：CN116435868A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310521244.3
申请日：2023-05-10
Applicant: 江苏长光时空光电技术有限公司
Inventor： 张星
Abstract: 本发明涉及激光半导体领域，尤其涉及一种面发射半导体激光器芯片及面发射外腔激光系统。包括横向振荡组件、垂直振荡组件、衬底组件、透镜组件和反射镜组件，所述反射镜组件设置在所述衬底组件的上表面，所述垂直振荡组件与横向振荡组件均设置在所述反射镜组件的上表面，所述横向振荡组件设置在所述垂直振荡组件的两侧，所述透镜组件安装在所述垂直振荡组件的顶端，所述横向振荡组件通过电注入形成激光并将激光泵浦至垂直振荡组件中，由透镜组件进行发射。本发明的横向振荡组件通过电注入形成激光，发射的激光直接泵浦垂直振荡组件的有源区并形成垂直振荡激光。通过垂直振荡组件顶部的压电组件调节腔长，可以改变激光的发射波长。
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