-
公开(公告)号:CN113619740A
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN202110835890.8
申请日:2021-07-23
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本说明书一个或多个实施例提供一种基于全固态激光雷达的无人水面垃圾清理船,通过在船体上设置清理装置、传动装置,探测设备和控制中心,通过各个装置、系统、设备的协同控制方法,实现湖面上垃圾的清理任务规划,行驶过程通过全固态激光雷达扫描,将信息发送至控制中心,然后控制中心根据信息制定规划任务,本发明的探测设备利用全固态激光雷达技术,适用于湖面各种恶劣环境,扫描精度高、范围广;稳定性好;提升了无人水面垃圾清理船的适用情况,有效解决了目前垃圾清理船探测清理精度不高的问题。
-
公开(公告)号:CN115061145B
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202210695741.0
申请日:2022-06-20
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于VCSEL的多功能可调谐激光系统,包括:发射模块包括垂直腔面发射激光器;透镜模块包括第一透镜模块和第二透镜模块;第二透镜模块包括微光学型可调光功率分配器;接收模块用于对微光学型可调光功率分配器输出的光束进行采集和应用;控制模块用于对微光学型可调光功率分配器进行控制,来改变微光学型可调光功率分配器各输出端的光功率;微光学型可调光功率分配器包括半波片和控制半波片旋转的旋转机构;控制模块包括控制单元和外部监测模块;外部监测模块用于获取与光功率分配相关的外部数据,并将该外部数据发送至控制单元;控制单元向旋转机构发送控制信号;旋转机构用于调整半波片的光轴与输入光振动方向的角度。
-
公开(公告)号:CN116719133A
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202310701123.7
申请日:2023-06-14
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于错位阶梯棱镜的高效光纤耦合系统,包括:若干激光源、若干错位阶梯棱镜、若干半波片、若干梯形棱镜、若干波长合束镜、扩束柱面镜,以及聚焦透镜。本发明在不需要平板镜、条纹镜或棱镜堆栈的同时,利用空间合束技术结合错位阶梯棱镜透射面与反射面的高效利用实现光束暗区压缩,慢轴方向上的光束采用偏振合束技术均匀快轴与慢轴方向上的光束质量,通过波长合束技术增加功率,系统整体紧凑,简洁,实用,且最终以较高的光效率耦合进目标光纤。
-
公开(公告)号:CN115061145A
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN202210695741.0
申请日:2022-06-20
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于VCSEL的多功能可调谐激光系统,包括:发射模块包括垂直腔面发射激光器;透镜模块包括第一透镜模块和第二透镜模块;第二透镜模块包括微光学型可调光功率分配器;接收模块用于对微光学型可调光功率分配器输出的光束进行采集和应用;控制模块用于对微光学型可调光功率分配器进行控制,来改变微光学型可调光功率分配器各输出端的光功率;微光学型可调光功率分配器包括半波片和控制半波片旋转的旋转机构;控制模块包括控制单元和外部监测模块;外部监测模块用于获取与光功率分配相关的外部数据,并将该外部数据发送至控制单元;控制单元向旋转机构发送控制信号;旋转机构用于调整半波片的光轴与输入光振动方向的角度。
-
-
公开(公告)号:CN113703244A
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN202110953527.6
申请日:2021-08-19
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种大规模集成的电光微环光学相控阵,至下而上包括硅衬底、二氧化硅掩埋层和硅芯层;二氧化硅掩埋层附着在硅衬底;在硅芯层这一层上还包括用于接收激光光源并将激光光源引导至光分束网络的光栅耦合器、用于将光栅耦合器输出的光源分成多路信号并传输至相位调谐区的光分束网络、用于产生相位差光束的相位调谐区和用于将产生的相位差光束发射至自由空间的天线阵列;相位调谐区包括由多个阵元构成的调谐阵列、与光分束网络连接的直波导、用于控制阵元的电压输出的控制总线;每个阵元均包括定向耦合器、p‑i‑n调制器和电极片;定向耦合器将直波导上的光信号耦合至p‑i‑n调制器,所述p‑i‑n调制器通过电极片与控制总线连接,用于使各路光产生相位差。
-
公开(公告)号:CN112436078A
公开(公告)日:2021-03-02
申请号:CN202011195544.X
申请日:2020-10-31
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高发光效率的GaN基LED外延结构,该外延结构的发光层由势垒层和量子阱层交替构成,其中,势垒层命名为GaN‑AlxGa1‑xN‑GaN势垒层,简称GAG势垒层,按生长顺序该势垒层依次由GaN势垒、AlxGa1‑xN势垒和GaN势垒构成,AlxGa1‑xN势垒中的x沿生长方向从0到0.15再到0渐变。本发明采用GAG势垒结构可以在不增大器件发光层内的极化电场的情况下,有效提高势垒层对发光层中载流子的限制能力,从而达到提高GaN基LED的光电性能的目的。
-
公开(公告)号:CN216569909U
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN202122492217.7
申请日:2021-10-17
Applicant: 扬州大学
IPC: A61B5/00
Abstract: 本实用新型提供一种通过红外线分析检测肤质的美容仪,该装置利用红外线对皮肤厚度、水分、温度、粗糙程度以及色素沉着程度的不同,有不同反射率和相位变化的原理,对肤质进行检测分析。将皮肤厚度、水分、温度、粗糙程度以及色素沉着程度数值化,并且在APP上进行汇总分析,从而让使用者可以根据皮肤厚度、水分、温度、粗糙程度以及色素沉着程度,选择适合自己的美容方式,使美容更加智能化和高效化。
-
-
-
-
-
-
-