-
公开(公告)号:CN102804033B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201180014439.4
申请日:2011-03-18
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02F1/225 , G02F1/0121 , G02F2001/212 , H04B10/5051 , H04B10/5053 , H04B10/5162 , H04B10/54 , H04B10/5561 , H04L27/206
Abstract: 本发明提供实质上损失低且调制后的光信号的强度衰减小的光调制器。光调制器具备:1×2RZ脉冲化器,在由1×2耦合器和2×2耦合器夹住的2根支路波导路中具备调制用光移相器;2个干涉计型调制器,与所述2×2耦合器的2输出的各个连接;以及2×1耦合器,使所述干涉计型调制器的各个的输出合流。
-
公开(公告)号:CN104620147A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201380047618.7
申请日:2013-09-13
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: H04B10/40 , G02B6/12 , G02B6/12011 , H04J14/02
Abstract: 本发明提供一种为了制作实现高速的以太网(注册商标)用收发器中所需的小型且廉价的收发模块,而作为特别小的AWG型滤光器来发挥作用的合波分波器。光合波分波器具备:至少一条输入波导,其在一端具有输入部;第一片状波导,其一端与所述输入波导的另一端连接;阵列波导组,其具有一端与所述片状波导的另一端连接的多条波导;第二片状波导,其一端与所述阵列波导组的另一端连接;以及至少一条输出波导,其一端与所述第二片状波导的另一端连接,且在另一端具有输出部,所述阵列波导组的各波导具有:第一弯曲部,其波导的延伸方向变化180度以上;以及第二弯曲部,在与该第一弯曲部相反的方向上其波导的延伸方向变化180度以上。
-
公开(公告)号:CN102623544A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201210017208.5
申请日:2012-01-19
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L31/0203 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/105 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置,该光半导体装置充分降低了光接收元件间的串扰(漏电流)、小型且简单。如果使用根据本发明的光半导体装置,则由于背面电极是镜面状的薄膜,所以可以容易地抑制对相邻的光接收元件的串扰,减少光半导体装置的光强度检测时的误差。另外,通过在整个背面上在构图了的背面电极或绝缘膜的底面上设置欧姆电极,可以减小背面上的接触电阻。另外,通过使用二维地配置的光半导体元件和使背面电极为镜面状的薄膜,可以改善串扰。另外,通过在具有高气密性的状态下被收存于框体,保护光半导体元件免受外部环境影响,耐湿性优良,能够确保高可靠性。
-
公开(公告)号:CN102472900A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080029876.9
申请日:2010-07-09
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02F1/0327 , G02B2006/12142 , G02B2006/12159 , G02F1/225 , G02F2201/126 , G02F2203/20 , G02F2203/21
Abstract: 在各臂上具备子MZI的嵌套MZI调制器中,降低对来自子MZI的光信号的相对相位进行调整的相对相位调整部本身和相对相位调整部的驱动电路这两方的消耗电力。方式(1a)的复合集成型嵌套MZI调制器的结构如下:代替在母MZI中配置相对相位调整部而在各个子MZI内设置对上下两臂均施加方向与极化方向相同(或相反方向)的电场的偏置电极Bias90°和接地电极(参照图4B),设置于各个子MZI的偏置电极Bias90°和接地电极整体构成相对相位调整部。这种相对相位调整部能够对子MZI的上下臂波导的光信号分别赋予同方向的相位变化,因此从光信号的角度来看与在子MZI输出之后接受相位变化(参照图1A)是等价的。
-
公开(公告)号:CN202817007U
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201220025472.9
申请日:2012-01-19
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L31/0203 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/105 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型提供一种光半导体装置,该光半导体装置包括:导电性半导体衬底、在上述导电性半导体衬底上形成的光吸收层、和在上述光吸收层上形成的导电性半导体层,其特征在于:上述导电性半导体层通过具有多个与上述导电性半导体衬底相反的导电类型的扩散区,而在上述光半导体装置中形成阵列状的光接收元件;在上述导电性半导体衬底的底部具有镜面状的薄膜。该光半导体装置充分降低了光接收元件间的串扰、小型且简单,并且可以容易地抑制对相邻的光接收元件的串扰,减少光半导体装置的光强度检测时的误差外,减小背面上的接触电阻,改善串扰,保护光半导体元件免受外部环境影响,耐湿性优良,能够确保高可靠性。
-
-
-
-