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公开(公告)号:CN1812931A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200480017844.1
申请日:2004-06-22
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor: 助丈史 , 吉武务 , 久保佳实 , 糟屋大介 , 饭岛澄男 , 汤田坂雅子
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B32/18
Abstract: 在纳米碳制造装置(173)中,在制造室(107)内设置平面镜(169)和抛物面镜(171)。由激光束源(111)发射出并透过ZnSe窗(133)的出射光束被平面镜(169)和抛物面镜(171)反射。另外,在用抛物面镜(171)将光束聚焦之后,以所述光束照射石墨棒(101)的表面。