公开(公告)号：CN1016973B

公开(公告)日：1992-06-10

申请号：CN89102980.X

申请日：1989-04-28

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 神尾宽 ,  荒木健治 ,  岛芳延 ,  铃木真 ,  风间彰 ,  堀江重豪 ,  中滨泰光

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/12

Abstract: 本发明是关于用切克劳斯基法(Czochralskimethod)制备硅单晶的方法和设备，其中包括步骤：分隔盛熔融硅的坩埚为单晶生长区和外加料区以使熔融硅运动缓慢，以及一面给加料区连续地加入硅原料一面从单晶生长区拉出硅单晶，其中改进包括加料区和熔融硅的温度保持在高于硅的熔点至少12℃以上。

公开(公告)号：CN1056136A

公开(公告)日：1991-11-13

申请号：CN91102923.0

申请日：1991-04-27

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 岛芳延 ,  神尾宽 ,  铃木真

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/14 ,  C30B15/12 ,  C30B29/06

Abstract: 一种按照坩埚不旋转的切克劳斯基法高速提拉直径大、组成稳定的单晶硅的单晶硅生产设备。通过妥善维持单晶硅外周边与分隔件内侧熔融硅自由表面的热平衡，可以高速提拉大直径单晶硅。必须满足的条件如下：4＝18-24英寸，3/4＝0.75-0.84；2-1＝30-50毫米，α＝15-25度；及h＝10-30毫米，其中1为单晶硅直径，2为保温盖圆柱形侧面部分下端处的孔径，3为分隔件的直径，4为坩埚直径，h为熔融硅表面至2部分的距离。

公开(公告)号：CN1055965A

公开(公告)日：1991-11-06

申请号：CN91102343.7

申请日：1991-03-20

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 神尾宽 ,  荒木健治 ,  岛芳延 ,  钤木真 ,  兼头武 ,  中滨泰光 ,  钤木威 ,  藤林晃夫

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B15/14

Abstract: 一种利用切克劳斯基单晶生长法的大直径单晶制造装置，在保温罩上部设置适当的开口，防止气体介质产生不良影响。开口总面积大于保温罩下端和硅熔液液面之间形成间隙的面积，保温罩和热屏蔽件用金属板构成。

公开(公告)号：CN1055964A

公开(公告)日：1991-11-06

申请号：CN91102023.3

申请日：1991-04-02

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 岛芳延 ,  神尾宽 ,  铃木真

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/12 ,  C30B15/14

Abstract: 一种制造硅单晶的设备，其中有一个隔离元件安装于旋转石英坩埚中，使它环绕着一边旋转一边拉制的大圆柱形硅单晶，该隔离元件至少有一个小孔通过其下部。隔离元件的全部或一部分由多孔石英玻璃制成，其孔含量(体积百分数)在0.01至15％之间。或者小于0.01％，但利用来熔化硅原料的热使其增加到0.01％至15％，这样就防止了与隔离元件内侧接触的熔融物料的温度降低，并防止了该部位的熔融物料发生凝固。