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公开(公告)号：CN1051595A
公开(公告)日：1991-05-22
申请号：CN90109125.1
申请日：1990-10-16
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/14 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
Abstract: 按照旋转式切克劳斯基(CZ)单晶生长法制造大直径硅单晶的装置，该装置可以提高原料利用率和生产效率。通常引起原料利用率和生产效率恶化的一个重要原因是在隔离元件的近旁点发生熔体凝固，为防止此问题，在熔体弯液面位置的对面设置一个具有特定位置及特定遮蔽宽度的热遮蔽体，借此遮挡来自弯液面位置的热辐射。
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公开(公告)号：CN1034400A
公开(公告)日：1989-08-02
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板复盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
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公开(公告)号：CN1019031B
公开(公告)日：1992-11-11
申请号：CN89109188.2
申请日：1989-11-11
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
Abstract: 一种硅单晶的制取设备，其中一个在其下部形成有至少一个贯穿小孔的分离构件设置在一个旋转石英坩锅内使之包围住一个旋转拉出的大圆柱形硅单晶。分隔构件的全部或一部分由泡沫石英玻璃制成。这种泡沫石英玻璃的气泡含量(体积百分比)在0.01%与15%之间，或者是小于0.01%、但通过用于熔化硅原料的热提高到0.01%至15%。因此，防止跟分隔构件内侧接触的熔融物料降低温度，并防止熔融物料在此部位上凝固。
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公开(公告)号：CN1016973B
公开(公告)日：1992-06-10
申请号：CN89102980.X
申请日：1989-04-28
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 本发明是关于用切克劳斯基法(Czochralskimethod)制备硅单晶的方法和设备，其中包括步骤：分隔盛熔融硅的坩埚为单晶生长区和外加料区以使熔融硅运动缓慢，以及一面给加料区连续地加入硅原料一面从单晶生长区拉出硅单晶，其中改进包括加料区和熔融硅的温度保持在高于硅的熔点至少12℃以上。
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公开(公告)号：CN1015649B
公开(公告)日：1992-02-26
申请号：CN87101952
申请日：1987-03-13
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。
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公开(公告)号：CN1056136A
公开(公告)日：1991-11-13
申请号：CN91102923.0
申请日：1991-04-27
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 一种按照坩埚不旋转的切克劳斯基法高速提拉直径大、组成稳定的单晶硅的单晶硅生产设备。通过妥善维持单晶硅外周边与分隔件内侧熔融硅自由表面的热平衡，可以高速提拉大直径单晶硅。必须满足的条件如下：4＝18-24英寸，3/4＝0.75-0.84；2-1＝30-50毫米，α＝15-25度；及h＝10-30毫米，其中1为单晶硅直径，2为保温盖圆柱形侧面部分下端处的孔径，3为分隔件的直径，4为坩埚直径，h为熔融硅表面至2部分的距离。
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公开(公告)号：CN1055964A
公开(公告)日：1991-11-06
申请号：CN91102023.3
申请日：1991-04-02
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 一种制造硅单晶的设备，其中有一个隔离元件安装于旋转石英坩埚中，使它环绕着一边旋转一边拉制的大圆柱形硅单晶，该隔离元件至少有一个小孔通过其下部。隔离元件的全部或一部分由多孔石英玻璃制成，其孔含量(体积百分数)在0.01至15％之间。或者小于0.01％，但利用来熔化硅原料的热使其增加到0.01％至15％，这样就防止了与隔离元件内侧接触的熔融物料的温度降低，并防止了该部位的熔融物料发生凝固。
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公开(公告)号：CN87101952A
公开(公告)日：1987-09-23
申请号：CN87101952
申请日：1987-03-13
Applicant: 日本钢管株式会社
IPC: C30B15/22
Abstract: 一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。
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