-
公开(公告)号:CN103907197B
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201280051972.2
申请日:2012-08-31
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/046
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的薄膜太阳能电池模块的特征是,在透明导电性氧化物膜(2)上形成有保护涂膜(3),分割光电转换层(4)的第二分离沟(P2)的顶端位于透明导电性氧化物膜(2)内,藉此,即使在由于激光刻划的实施而保护涂膜(3)发生热变性、其电阻值增加的情况下,由于在第二分离沟(P2)内所形成的背面电极层(5)与透明导电性氧化物膜(2)电连接,所以可抑制电阻引起的电力损失。
-
公开(公告)号:CN101489946B
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN200780025869.X
申请日:2007-06-27
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C17/22 , C03C3/062 , C03C3/064 , C03C3/078 , C03C3/083 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/089 , C03C3/091 , C03C23/00 , C03B18/14 , G02F1/1333
CPC classification number: C03C21/007 , C03B18/02 , C03C17/22 , C03C2217/28 , C03C2217/283 , C03C2218/355 , G02F2001/133302 , Y02P40/57
Abstract: 本发明的课题在于,提供高效地生成能利用清洗工序容易地除去的保护皮膜、并且在实现降低亚硫酸气体的使用量的同时抑制玻璃基板背面的损伤产生的无碱玻璃基板的制造方法以及通过该制造方法得到的无碱玻璃基板。本发明涉及制造无碱玻璃基板的方法,通过浮法制造无碱玻璃基板,其特征在于,具有使熔融玻璃在熔融锡上成形为玻璃基板的成形工序和使由所述成形工序成形的所述玻璃基板缓冷的缓冷工序,并且具有向所述玻璃基板的与所述熔融锡接触侧表面喷吹含有碱金属的无机物质的第一供给工序;和在所述第一供给工序之后向所述玻璃基板的与所述熔融锡接触侧表面喷吹SO2气体的第二供给工序。
-
公开(公告)号:CN102113124A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN200980130556.X
申请日:2009-08-03
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01B5/14
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/022466 , H01L31/02366 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/03762 , H01L31/076 , H01L31/1884 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y10T428/24529
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜基板及使用该基板的太阳能电池,该明导电膜基板应用于太阳能电池等光电转换装置中时,不易因电场集中而发生电流的泄漏,不会发生光电转换性能的恶化,进而光的透射率高。透明导电膜基板的特征在于,其是在玻璃基板上依次形成有第一氧化物结构层、第二氧化物层及导电性氧化物层的光电转换装置用透明导电膜基板,前述第一氧化物结构层上设置有从前述玻璃基板的面突出的多个凸部,前述凸部从前述玻璃基板的面突出的高度为200nm以上且2000nm以下,设前述多个凸部中的相邻凸部间的凹处的深度为前述第一氧化物结构层的平均高度的20%以上的凹部的角度的平均值为A1,形成于该凹部区域之上的前述第二氧化物层的凹部的角度的平均值为A2时,A2/A1为1.1以上。
-
公开(公告)号:CN101528976A
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200780040233.2
申请日:2007-08-29
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C23C16/42 , B32B9/00 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/401 , C08J7/06 , C08J2327/18 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供表面的亲水性高且透光性良好的乙烯-四氟乙烯(ETFE)类共聚物成形品及可制造该成形品的制造方法。所述制造方法是具有由含50质量%以上的ETFE类共聚物的材料形成的基材12和成膜于基材12表面的掺有氟的氧化硅膜14的ETFE类共聚物成形品的制造方法,其中,以电极间的功率密度达到0.5~1.1W/cm3的条件向电极间供给电力而引发放电,将含四氟化硅、氧和烃且氧和碳的原子比(O/C)为1~10、氧和硅的原子比(O/Si)为1.7~25的混合气体等离子体化,从而在基材12上形成氧化硅膜14。
-
-
-