公开(公告)号：CN104637962B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201410599391.3

申请日：2014-10-30

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 关根裕之 ,  石野隆行 ,  浮田亨 ,  田村文识 ,  竹知和重

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14658 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14663 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14692 ,  H01L27/307 ,  H01L27/3234 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/204

Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括基板、以及在基板上依次层叠形成的多个光电转换元件和多个开关元件。各光电转换元件包括氢化非晶硅层。各开关元件包括非晶氧化物半导体层。图像传感器还包括阻挡层，所述阻挡层设置在光电转换元件的氢化非晶硅层与开关元件的非晶氧化物半导体层之间，其中，阻挡层抑制从氢化非晶硅层分离的氢的透过。

公开(公告)号：CN104078421B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201310110174.9

申请日：2013-03-29

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 谢振宇 ,  陈旭 ,  徐少颖

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/03762

Abstract: 本发明公开一种非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置，其中，该方法包括：在基板上形成栅电极层、光电二极管结构的光传感器及位于所述光传感器下方的接触层的图形，所述接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述接触层与栅电极层同层设置且材料相同；进行第二次构图工艺，在第一次构图工艺得到的基板上依次形成第一绝缘层、半导体层和源漏电极层的图形；在第二次构图工艺得到的基板上形成第二绝缘层，进行第三次构图工艺，形成使所述接触层、所述光传感器、所述源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。根据本发明的技术方案，能够简化非晶硅光电二极管基板的制造流程，提高制造效率，降低成本。

公开(公告)号：CN103943710B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201410025785.8

申请日：2014-01-20

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 尹银彗 ,  朴相昱 ,  沈承焕 ,  李有真

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/547

Abstract: 讨论了一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的杂质；发射区，其设置在所述基板的前表面，并且包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；后钝化层，其设置的所述基板的后表面上，并且具有开口；后表面场区，其包含所述第一导电类型的杂质；第一电极，其连接到所述发射区；以及第二电极，其连接到所述后表面场区。所述后表面场区包括设置在所述后钝化层上第一后表面场区和设置在所述基板的通过所述后钝化层的开口所露出的后表面的第二后表面场区。

公开(公告)号：CN105723524B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201480061045.8

申请日：2014-10-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 广瀬浩一 ,  松原义宏 ,  川本训裕

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池(10)包括：作为一个导电型具有n型的导电型的结晶衬底(11)；n型半导体层(12)，其与结晶衬底(11)的一个主面的受光面和结晶衬底(11)的侧面相连地层叠；p型半导体层(13)，其与作为结晶衬底(11)的另一主面的背面和结晶衬底(11)的侧面相连地层叠，在结晶衬底(11)的侧面与n型半导体层(12)至少一部分重叠；受光面侧的透明导电膜(14)，其在结晶衬底(11)的受光面上层叠n型半导体层，具有比结晶衬底(11)的平面形状小的面积；和与p型半导体层(13)层叠的背面侧的透明导电膜(15)。

公开(公告)号：CN106910796A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710120563.8

申请日：2017-03-02

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 赵磊

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14663 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/115 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/035272

Abstract: 本申请公开了一种射线探测基板及其制造方法、射线探测装置，属于显示技术领域。所述射线探测基板包括：衬底基板，衬底基板上设置有光电二极管，光电二极管包括两个掺杂层和本征层，本征层位于两个掺杂层之间，两个掺杂层的排布方向平行于衬底基板。本申请解决了X射线探测装置的性能较差的问题，提高了X射线探测装置的性能，本申请用于射线探测装置。

公开(公告)号：CN106611799A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201710020815.X

申请日：2017-01-12

Applicant: 合肥海润光伏科技有限公司

Inventor： 黄石明 ,  孙海平 ,  陈文浩 ,  刘仁中 ,  王海超 ,  张斌

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/068 ,  H01L31/20 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02167 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208

Abstract: 本发明公开了一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，包括P型硅基体，P型硅基体的正面设有磷扩散层、绒面织构、减反钝化膜、正面银电极，背面设置有纳米氧化硅层、非晶/多晶P+层、透明导电薄膜层、背面银电极；其能够有效改进光线吸收和电流收集，减少光学和电学损失。本发明还公开了一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法，其通过增加纳米氧化硅层、非晶/多晶P+层、透明导电薄膜层，采用喷墨打印技术形成全黑的太阳能电池，从而有效改进光线吸收和电流收集，减少光学和电学损失。

公开(公告)号：CN106549065A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610926273.8

申请日：2016-10-24

Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司

Inventor： 袁中存 ,  党继东 ,  龙维绪 ,  俞亚东 ,  徐东升 ,  张标

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0376

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03762

Abstract: 本发明公开了一种低反射率膜层结构，包括硅片，所述硅片的正面有正面绒面，所述正面绒面上由下至上依次设有非晶硅膜层、底层高折射率膜层、中间高折射率膜层和表面渐变膜层，所述表面渐变膜层上设有表面低折射率膜层。该低反射率膜层结构通过增加非晶硅膜层，用以增强吸光性和光的吸收率；通过增加底层高折射率膜层，用以钝化非晶硅层中的缺陷，从而非晶硅膜层、底层高折射率膜层、中间高折射率膜层和表面渐变膜层共同配合降低反射率，提高电池转换效率。

公开(公告)号：CN104584237B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380043653.1

申请日：2013-08-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 绵引达郎 ,  桧座秀一 ,  佐藤刚彦

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/022475 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 在n型硅基板1的第1主面(1A)、侧面(1C)以及第2主面(1B)的周缘部处具备第1非晶硅i层和侧面(1C)上具有第1ITO层(6)，在第2主面(1B)上具备第2非晶硅i层(3)和非晶硅n层(5)，在其上残留周缘部而具有面积比n型硅基板(1)小的第2ITO层(7)。而且，在第2主面(1B)上的周缘部处，具有将第1非晶硅i层(2)、非晶硅p层(4)、第2非晶硅i层(3)、非晶硅n层(5)按该顺序层叠的构造。因而，不需要追加的工艺而能够分离第1ITO层(6)和第2ITO层(7)，能够防止泄漏电流。而且，在端部处也确保各个膜的顺序，正常地维持电荷的流动，由此能够发挥集电效果并发挥电池功能，使有效面积最大。(2)和非晶硅p层(4)。另一方面，在第1主面(1A)

公开(公告)号：CN106449815A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610653541.3

申请日：2016-08-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 金琦 ,  黄璐 ,  瞿兴灵 ,  杨煌

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/202 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/075

Abstract: 本发明公开了一种基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件的制备方法，通过等离子体化学气相沉积法在涂了均匀银浆并退火后的单晶硅表面上沉积两层分别为i型和p型的非晶硅薄膜，然后用磁控溅射的方法制备阳极导电电极层。本发明通过制造的非晶—晶体异质结来有效增强光生载流子的传输与收集，同时通过沉积i型非晶硅薄膜，作为此种异质结薄膜的缓冲薄层，以达到收集载流子、提高光学转换效率的目的。本发明的基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件，具有大面积、高效率、低价格、稳定性好的优点，可应用于用于发电的光伏器件上。

公开(公告)号：CN102971070B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201180032443.3

申请日：2011-06-28

Applicant: 纳克公司

Inventor： 希夫库马尔·基鲁沃卢 ,  伊戈尔·奥尔特曼 ,  伯纳德·M·弗雷 ,  李卫东 ,  刘国钧 ,  罗伯特·B·林奇 ,  吉娜·伊丽莎白·佩格拉-梁 ,  乌马·斯里尼瓦桑

IPC: B01J13/00 ,  C01B33/02 ,  C01G17/00 ,  C09D11/38 ,  C09D11/03 ,  B01J19/08

CPC classification number: C09D11/38 ,  B01D21/262 ,  B01J19/121 ,  B01J2219/0869 ,  B01J2219/0871 ,  B01J2219/0875 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/02 ,  C08K3/08 ,  C08K3/36 ,  C08K9/02 ,  C09D5/24 ,  C09D7/67 ,  C09D7/68 ,  C09D7/80 ,  C09D11/037 ,  C09D11/101 ,  C09D11/322 ,  C09D11/36 ,  C09D11/52 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L23/4828 ,  H01L23/53276 ,  H01L31/00 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1864 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了激光热解反应器设计和相应反应物入口喷嘴以提供尤其适合于合成元素硅粒子的所需粒子淬灭。具体来说，所述喷嘴的设计可基于包围反应物前体流的相当大的惰性气体流用惰性气体和用有效包围所述反应物前体流和淬灭气体流的较大惰性夹带流来促进成核和淬灭。本发明还描述了改进的硅纳米粒子墨水，其具有的硅纳米粒子未经任何有机化合物表面改性。硅墨水性质可经改造以用于特定印刷应用，例如喷墨印刷、凹版印刷或丝网印刷。本发明还描述了适当加工方法以不对硅纳米粒子进行表面改性即向墨水设计提供灵活性。