公开(公告)号：CN101268562B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680034699.7

申请日：2006-09-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 织地学 ,  龟井宏二 ,  三木久幸 ,  松濑朗浩

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明旨在提高III族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的III族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的III族氮化物半导体层，其中所述III族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。

公开(公告)号：CN101600824A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200880003387.9

申请日：2008-05-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 织地学 ,  神原英二

IPC: D01F9/127 ,  H01B1/04 ,  B01J23/847 ,  H01B1/24 ,  C01B31/02

CPC classification number: D01F9/127 ,  B01J21/18 ,  B01J23/8472 ,  B01J37/0203 ,  B01J37/0207 ,  B01J37/08 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/1273 ,  H01B1/24

Abstract: 本发明涉及(1)一种碳纳米纤维，其特征在于，作为碳以外的金属杂质，含有6质量％以下的Fe、3质量％以下的V，实质上不含有Fe和V以外的金属元素；(2)一种制造上述碳纳米纤维的方法，其特征在于，使在碳载体上担载了Fe和V的催化剂与含碳化合物在高温下接触；(3)一种树脂复合体，其配合了上述碳纳米纤维；以及(4)其用途。根据本发明，可得到金属杂质量少的、通过少量添加就能够呈现导电性的廉价的碳纤维填料材料。

公开(公告)号：CN101268562A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034699.7

申请日：2006-09-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 织地学 ,  龟井宏二 ,  三木久幸 ,  松濑朗浩

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明旨在提高Ⅲ族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的Ⅲ族氮化物半导体层，其中所述Ⅲ族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。