公开(公告)号：CN107004743B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201580060595.2

申请日：2015-10-22

Applicant: 斯坦雷电气株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 十川博行 ,  杉山正和 ,  M·玛尼施

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

Abstract: 一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，该发光功能层包括形成在所述第一半导体层上的发光层；以及第二半导体层，该第二半导体层形成在所述发光功能层上并且具有与所述第一半导体层相反的导电类型。所述发光层包括：基底层，该基底层具有从所述第一半导体层经受应力应变的这种组分，并且具有形成为像随机网格的多个基底区段；以及量子阱结构层，该量子阱结构层由至少一个量子阱层和至少一个势垒层组成，所述至少一个量子阱层以嵌入所述基底层的方式形成。所述基底层具有多个子基底层，所述多个子基底层由具有相互不同的Al组分的AlGaN构成。

公开(公告)号：CN109791963A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780060374.4

申请日：2017-09-27

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 道上敦生

IPC: H01L33/24

CPC classification number: H01L33/24

Abstract: 发光元件(1)包括：具有以构成多棱柱的侧面的方式配置的多个侧面(10c)的第1导电型半导体晶棒(10)；包含覆盖第1导电型半导体晶棒(10)的侧面(10c)的半导体的活性层(20)；以及覆盖活性层(20)的第2导电型半导体层(30)，活性层(20)包括分别被配置在多个侧面(10c)中至少相邻的2个侧面的多个阱层(21)，多个阱层(21)中相邻的阱层(21)彼此分别沿着相邻的侧面(10c)彼此接触的棱线(10r)被分开，活性层(10)还具有包含半导体且被配置在棱线(10r)上并将相邻的阱层(21)彼此连结的棱线部(22)，棱线部(22)的带隙比多个阱层(21)各自的带隙宽。

公开(公告)号：CN109328222A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201780039937.1

申请日：2017-06-26

Applicant: 法雷奥照明公司

Inventor： 皮尔·阿尔布

IPC: C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  C09K11/08 ,  F21K2/00 ,  H01L27/15 ,  H01L33/52

CPC classification number: F21S41/141 ,  B60Q1/14 ,  B82Y20/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  F21K2/00 ,  F21S43/14 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/502 ,  H01L33/508 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: 一种发光模块，更特别地用于机动车辆。发光模块包括：-包括多个电致发光杆(16)的光源(12)，和-层(20)，其适于封装电致发光杆和将杆发出的至少一部分光转换成转换光，所述层包括：○转换子层(24)，其延伸到电致发光杆(16)的自由端之外，所述转换子层包括磷光体化合物(26)，其适于从电致发光杆发出的光产生所述转换光，磷光体化合物是颗粒(30)的形式，其尺寸设置成防止所述颗粒出现横向地限定在杆之间的空间之间，和○封装子层(22)，至少一部分电致发光杆(16)嵌入其中。

公开(公告)号：CN108931864A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810006844.5

申请日：2018-01-04

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 宋熙光 ,  金煐千

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/13357

CPC classification number: G02F1/133514 ,  C09K11/06 ,  F21V9/30 ,  G02B5/23 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/133617 ,  G02F1/13363 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2001/133541 ,  G02F2001/133548 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  G02F1/1336 ,  G02F2001/133614

Abstract: 提供了一种显示装置，所述显示装置包括：背光单元，产生光并且将光提供到利用光显示图像的显示面板；第一偏振器，设置在背光单元上；第三偏振器，设置在第一偏振器上；第二偏振器，设置在第一偏振器和第三偏振器之间；透光层，阻挡或透射经其的光以显示图像，设置在第一偏振器和第二偏振器之间；以及颜色转换层，设置在第二偏振器和第三偏振器之间，并且包括转换经透光层和第二偏振器透射的光的颜色的颜色转换材料。第三偏振器的偏振轴不同于第二偏振器的偏振轴。

公开(公告)号：CN108626688A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810249558.1

申请日：2018-03-23

Applicant: 法雷奥照明公司

Inventor： 玛丽·佩拉林 ,  瓦妮莎·桑彻茨 ,  贝诺特·德朗德

IPC: F21S41/663 ,  F21S41/151 ,  F21W102/135

CPC classification number: F21S41/143 ,  B60Q1/14 ,  B60Q2400/20 ,  F21S41/155 ,  F21S41/663 ,  F21W2102/10 ,  F21W2102/135 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/387

Abstract: 用于机动车辆照明模块的单片光源(1)，包括由多个发光元件(8)形成的发光区域(30)，并且被构造为使得发光元件被布置在至少三个可选择性激活的区段内，这至少三个可选择性驱动的区段包括相对于对称平面(P1)彼此对称且具有沿所述对称平面延伸的接触区域(35)的第一区段(31)和第二区段(32)，以及从所述接触区域的一端延伸并且在所述对称平面的任一侧对称地延伸的第三区段(33)。

公开(公告)号：CN108550676A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810532508.4

申请日：2018-05-29

Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司

Inventor： 丁杰 ,  秦双娇 ,  胡任浩

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/005 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、P型掺杂层和P型接触层，P型掺杂层包括至少一个叠层结构，当P型掺杂层包括多个叠层结构时，多个叠层结构依次层叠设置，每个叠层结构包括依次层叠设置的第一子层和第二子层，第一子层为掺Mg的AlxGa1-xN层，0＜x≤0.3，第二子层为掺Mg的InyGa1-yN层，0＜y≤0.2；该P型掺杂层可以阻挡电子向P型层移动，同时提高空穴的有效注入，使电子和空穴在多量子阱层的辐射复合发光，进而提高LED的光效。

公开(公告)号：CN108550674A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810259674.1

申请日：2018-03-27

Applicant: 南昌大学 ,  南昌黄绿照明有限公司

Inventor： 方芳 ,  刘军林 ,  江风益

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了一种可增强空穴注入的发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底，依次层叠于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、有源区准备层、发光有源层和P型半导体层，所述有源区准备层包含若干个分布密度为1e7～1e10cm-2的阱型结构，所述阱型结构为凹坑结构或凸起结构，所述发光有源层为与所述有源区准备层的阱型结构相匹配的阱型结构。本发明通过采用具有阱型结构的发光有源层，由于发光有源层中阱型结构的侧壁为非极性面或半极性面，其具有更小的压电效应，从而能够有效降低量子阱中的压电场，增强空穴的有效注入，降低电子的泄漏，进而能够提高发光二极管的发光效率。

公开(公告)号：CN108352424A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680053114.X

申请日：2016-07-13

Applicant: 科莱约纳诺公司 ,  挪威科技大学

Inventor： 金东彻 ,  艾达·玛丽·E·霍埃斯 ,  卡尔·菲利普·J·海姆达尔 ,  比约恩·奥韦·M·菲姆兰 ,  赫尔格·韦曼

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L31/035227 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44

Abstract: 一种物质的组合物，其包含：可选地携载于支撑件上的石墨基板；直接沉积于该基板的顶部上与任何支撑件相对的具有不大于50nm的厚度的晶种层；及直接于该晶种层的顶部上的氧化物或氮化物遮罩层；其中多个孔是贯通该晶种层及贯通该遮罩层至该石墨基板而存在；且其中多个纳米线或纳米锥来自于该基板于该孔中生长，该纳米线或纳米锥包含至少一种半导III-V族化合物。

公开(公告)号：CN108346721A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810079389.1

申请日：2018-01-26

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 陈功 ,  许圣贤 ,  林素慧 ,  彭康伟 ,  洪灵愿 ,  张家宏

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/005 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，并生长第一发光外延层；在第一发光外延层上形成掩膜层并进行图案化，形成图案化掩膜层；进行蚀刻工艺，使得第一发光外延层形成图案化凹凸结构；在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒；继续生长第二发光外延层。

公开(公告)号：CN108342773A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810154259.X

申请日：2011-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴性秀 ,  李文相

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明涉及生长镓氮化物半导体层的方法。一种生长镓氮化物半导体层的方法包括：准备衬底；在该衬底上形成镓氮化物半导体点；以及在该镓氮化物半导体点上生长镓氮化物半导体层。该镓氮化物半导体层可从该衬底分离以用作镓氮化物半导体衬底。