一种A位掺杂的卤化物钙钛矿型太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN115942757A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211409548.2

    申请日:2022-11-11

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种A位掺杂的卤化物钙钛矿型太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明要解决现有钙钛矿太阳能电池环境稳定性较差,受空气中氧气、湿度影响较大的问题。本发明利用大体积阳离子形成的低维钙钛矿在三维钙钛矿层上进行表面修饰能够钝化缺陷并增加钙钛矿中的离子迁移活化能。除此之外,低维钙钛矿中的大体积阳离子还可防止无机钙钛矿层受到氧气和湿气腐蚀,有助于提高热稳定性和光稳定性,从而实现长期环境稳定性。

    一种钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109873080B

    公开(公告)日:2023-02-07

    申请号:CN201910066171.7

    申请日:2019-01-24

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法,该钙钛矿单晶X射线探测器包括钙钛矿单晶以及单晶上下两侧的电极,所述钙钛矿单晶是在(NH2CH=NH2)PbI3钙钛矿生长单晶的溶液中添加卤化铷和卤化铅制备成分子式为(NH2CH=NH2)xRb1‑xPb(IyBr1‑y)3的钙钛矿结构,其中0.9≦x<1,0.8≦y<1。该类卤化铷和卤化铅掺杂材料可以抑制(NH2CH=NH2)PbI3单晶的由黑相到黄相的相变,同时,也能有效的改善单晶内部的离子迁移,使单晶的性能有了有效的提高。

    一种混合卤化物钙钛矿单晶及多晶薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN114808124A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210258428.0

    申请日:2022-03-16

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及光电功能材料与器件技术领域,具体涉及一种混合卤化物钙钛矿单晶及多晶薄膜的制备方法。所述混合卤化物钙钛矿单晶和混合卤化物钙钛矿多晶薄膜中的卤原子包括氯、溴、碘中的两种或三种;使用添加有添加剂的二甲基亚砜溶液作为配制混合卤化物钙钛矿单晶生长的前驱体溶液的溶剂;本发明通过溶剂工程、组分工程,首次实现混合卤化物钙钛矿材料中不同卤素原子的有序排布以及晶体生长取向调控,以改善该材料的晶体缺陷、稳定性以及其太阳能电池的性能。

    一种钙钛矿型太阳能电池及其修饰层制备方法

    公开(公告)号:CN108039411B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201711281967.1

    申请日:2017-12-07

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿型太阳能电池及其修饰层制备方法。该钙钛矿型太阳能电池包括FTO、空穴传输层、修饰层、钙钛矿层、电子传输层、BCP层和电极;所述空穴传输层的材料为NiO,构成修饰层的材料选自乙酰丙酮金属盐和醋酸盐的至少一种。该类修饰材料可以增加电子注入效率,改变空穴传输层的功函,增大器件的短路电流、填充因子和开路电压。并且材料价格低廉,操作方法简便,容易控制,为钙钛矿太阳能电池的界面行为的研究提供了新的思路。

    一种8-羟基喹啉金属配合物钙钛矿型太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN109638167A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201910032401.8

    申请日:2019-01-14

    Applicant: 暨南大学

    CPC classification number: H01L51/42 H01L51/0032

    Abstract: 本发明公开了一种掺杂8‑羟基喹啉金属配合物钙钛矿型太阳能电池及其制备方法,该8‑羟基喹啉金属配合物钙钛矿型太阳能电池,包括自下而上依次层叠设置的FTO层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、BCP层和电极,所述钙钛矿层为经过掺杂8‑羟基喹啉金属配合物得到的钙钛矿层,所述掺杂后的钙钛矿层材料为Cs0.17(NH2CH=NH2)0.83PbI3和CH3NH3PbI3中的至少一种。该太阳能电池掺杂材料价格低廉,操作方法简便,容易控制;它增大了器件的短路电流、填充因子和开路电压,为钙钛矿太阳能电池的稳定性和转化效率的研究提供了新的思路。

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