公开(公告)号：CN111393165B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202010234167.X

申请日：2020-03-27

Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司

Inventor： 白雪 ,  刘宇阳 ,  桂涛 ,  杨磊 ,  王星明 ,  储茂友 ,  韩沧 ,  段华英

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/30

Abstract: 本发明公开了一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)以高纯氧化铈粉体为原料，向其中添加去离子水并进行造粒处理，得到结合紧密的氧化铈片状物；(2)将得到的片状物研磨破碎，并筛分出＜0.1mm的预处理粉体；(3)将所得预处理粉体装入胶套中进行冷等静压成型为坯体。(4)将所得坯体按照如下烧结工艺进行烧结：2‑3小时升温到300‑400℃保温1h‑2h，2小时升到600℃‑800℃保温1h‑2h，4小时升温到1000℃‑1200℃保温1h‑2h，4小时升温到1300℃保温1h‑2h，2小时升温至1400℃保温1‑2h，1小时升温到1450‑1550℃保温3h‑5h；(5)冷却得到氧化铈烧结坯料，将坯料进行破碎和筛分得到镀膜用氧化铈颗粒。该方法生产的氧化铈颗粒具有高纯度、高密度、低喷溅等优点。

公开(公告)号：CN114591089A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210343585.1

申请日：2022-04-02

Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司

Inventor： 王星明 ,  刘宇阳 ,  白雪 ,  李小宁 ,  杨磊 ,  桂涛 ,  王星奇 ,  储茂友 ,  韩沧

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明提供了一种基于缺陷调控的超高温陶瓷的致密化方法，所述方法包括：采用多种合成方法制备得到与每种合成方法对应的超高温陶瓷粉体；计算得到超高温陶瓷粉体的位错密度；基于计算得到的粉体的位错密度，确定多种合成方法分别得到超高温陶瓷粉体的混合比例；按照所述混合比例，将多种合成方法分别得到的超高温陶瓷进行混合以调控超高温陶瓷粉体缺陷浓度；将混合后的超高温陶瓷粉体进行烧结，得到超高温陶瓷；本发明通过计算位错密度并利用不同位错密度的粉体调控粉体缺陷，制备得到致密度高的超高温陶瓷。

公开(公告)号：CN114956832B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202210342262.0

申请日：2022-04-02

Applicant: 有研科技集团有限公司

Inventor： 王星明 ,  刘宇阳 ,  白雪 ,  李小宁 ,  杨磊 ,  桂涛 ,  王星奇 ,  储茂友 ,  韩沧

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种超高温陶瓷致密化方法和超高温陶瓷，所述方法包括：按照添加剂与原料混合物之间的目标比例，在合成所述超高温陶瓷粉体的过程中添加所述添加剂以实现缺陷调控，得到超高温陶瓷粉体；其中，所述添加剂包括B粉、NaCl、Na2B4O7、KCl中的至少一种；对所述超高温陶瓷粉体进行烧结，以得到致密化的超高温陶瓷；本发明通过添加添加剂对超高温陶瓷粉体进行缺陷调控，得到了烧结活性高的超高温陶瓷粉体，从而烧结得到了致密度高的超高温陶瓷。