公开(公告)号：CN101136350A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147771.3

申请日：2007-08-28

Applicant: 新电元工业株式会社 ,  本田技研工业株式会社

Inventor： 西川恒一 ,  清水正章 ,  野中贤一 ,  横山诚一 ,  桥本英喜

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68721 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49124

Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法、工具和装置。这种制造半导体器件的方法包括：通过使用接合度增加机构，增加作为加热件的基座和放置在该基座上的半导体基板之间的接合度，或通过使用传热增加机构，增加传递至放置在作为加热件的基座上的半导体基板的热量；以及通过加热所述基座将所述半导体基板加热到具有预定温度。所述接合度增加机构可以包括所述基座和以下其一：放置在所述半导体基板上的重石、放置在所述半导体基板上且与所述基座啮合的盖子，以及设置在所述基座与所述半导体基板之间的粘合层。所述传热增加机构可以包括所述基座和放置在所述半导体基板上且具备辐射光吸收能力的小片。所述基座能够支承呈堆叠形式的多个半导体基板。

公开(公告)号：CN1838428A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065386.X

申请日：2006-03-23

Applicant: 新电元工业株式会社 ,  本田技研工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  西川恒一 ,  福田祐介 ,  清水正章 ,  佐藤雅 ,  岩黑弘明 ,  野中贤一

IPC: H01L29/00

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 碳化硅半导体器件。一种半导体器件，包括：绝缘膜；第一半导体层，其具有第一导电型4H－SiC的第一主要成分；以及第二半导体层，其具有第二导电型4H－SiC的第二主要成分。所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的pn结。该pn结具有结边缘。所述第一半导体层和第二半导体层进一步包含局部区域，所述局部区域包含所述结边缘。所述局部区域具有与所述钝化膜相接的第一主平面。所述第一主平面的法线从第一轴[0001]或者[000－1]向第二轴 倾斜在25度到45度范围内的第一倾角。

公开(公告)号：CN102132388A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980133246.3

申请日：2009-08-25

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 根来佑树 ,  堀内明彦 ,  岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  前山雄介 ,  佐藤雅 ,  清水正章

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L29/73 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66295 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种降低双极型晶体管的表面态(即表面能级)密度、提高其电流增幅率，从而提高晶体管的性能的双极型半导体装置。双极型半导体装置(100)的半导体元件表面具有表面保护膜(30)，该表面保护膜由在半导体元件表面上形成的热氧化膜(31)和在热氧化膜上形成的堆积氧化膜(32)构成。所述堆积氧化膜中包含的氢元素或氮元素中，至少有一种在1018cm-3以上。

公开(公告)号：CN100543938C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200610108343.5

申请日：2006-08-02

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩黑弘明 ,  西川恒一 ,  清水正章 ,  福田裕介

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/337 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/8083 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明披露了一种离子注入掩模(10)的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材(11)的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜(12)；在所述氧化物膜(12)上形成金属薄膜(13)；在所述金属薄膜(13)上形成由离子阻止性金属构成的离子阻止层(14)。所得的离子注入掩模(10)可以用来形成较深的选择性导电区域。

公开(公告)号：CN100508216C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200610065381.7

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722 ,  Y10S438/931

Abstract: 结型半导体装置及其制造方法。本发明的结型半导体装置具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区(11)；由形成于半导体晶体的另一面上的第一导电型的低电阻层构成的源区(12)；形成于源区(12)周围的第二导电型的栅区(13)；以及源区(12)和漏区(11)之间的第一导电型的高电阻层(14)。在栅区(13)和源区(12)之间的半导体晶体的表面附近设有第二导电型的复合抑制半导体层(16)。

公开(公告)号：CN101199058A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680021188.1

申请日：2006-06-09

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 野中贤一

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/73 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/732

Abstract: 本发明提供一种双极半导体器件及其制造方法。一种半导体晶体包括布置在基极接触区(16)与发射极区(14)之间的表面的附近的具有第二导电类型的复合抑制半导体层(17)，并且该复合抑制半导体层(17)将具有大量表面状态的半导体表面与主要传导空穴电流的部分和电子电流的部分分离。抑制了复合，从而增大了电流放大因子并降低了导通电压。

公开(公告)号：CN1838390A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065382.1

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三 ,  岩黑弘明 ,  清水正章 ,  福田祐介 ,  西川恒一 ,  前山雄介

IPC: H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722

Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。