公开(公告)号：CN1784788A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200480011944.3

申请日：2004-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 七井识成 ,  竹内孝之

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/002 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明的场效应晶体管包括：在基板上形成的栅极；在栅极上形成的栅极绝缘层：在栅极绝缘层上形成的源极和漏极；包括碳纳米管的n－型半导体层，它形成在源极和漏极之间从而与源极和漏极接触；在n－型半导体层上形成的n－型改性聚合物层，该n－型改性聚合物层用于将碳纳米管的极性从p－型原始极性变为n－型并使极性稳定。CNT的半导体性能转变与半导体保护层形成同时进行，从而简化了制造工艺。因此可以提供即使在空气中也稳定的CNT－FET电路。