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公开(公告)号：CN100533770C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200480020580.5
申请日：2004-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L27/3244 , H01L51/0048 , H01L51/0595
Abstract: 本发明提供一种场效应型晶体管，其具有载流子从源区域注入向漏区域移动的半导体层，上述半导体层由含有有机半导体材料和纳米管的复合材料形成。上述纳米管可以是多个纳米管连接形成的纳米管。
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公开(公告)号：CN100487919C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200480033200.1
申请日：2004-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0012 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的薄膜晶体管(100)具有半导体层(14)和在上述半导体层上相互相对地分离设置的源极区域(15)和漏极区域(16)，上述半导体层具有π共轭类有机半导体分子作为主成分，将上述π共轭类有机半导体分子取向，使得π轨道实质上相对、并且主链的分子轴相对于在上述半导体层中形成的沟道中的电场方向倾斜。
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公开(公告)号：CN1823426A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020580.5
申请日：2004-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L27/3244 , H01L51/0048 , H01L51/0595
Abstract: 本发明提供一种场效应型晶体管，其具有载流子从源区域注入向漏区域移动的半导体层，上述半导体层由含有有机半导体材料和纳米管的复合材料形成。上述纳米管可以是多个纳米管连接形成的纳米管。
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公开(公告)号：CN100456499C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480020581.X
申请日：2004-07-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0566 , H01L51/0068 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的薄膜晶体管，是具有半导体层(4)、和在该半导体层上相互分离地设置的源极区域(5)、漏极区域(6)和栅极区域(2)的薄膜晶体管(100)，所述半导体层由复合材料构成，所述复合材料是在有机物半导体材料的内部分散多个至少一种无机物材料颗粒的复合材料。
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公开(公告)号：CN100431169C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200580000408.8
申请日：2005-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0512 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管，该场效应晶体管包括：包含有机物质的半导体层(15)，以及至少电路上互不接触的第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)。第一电极(16)配置在半导体层(15)的上面，第二电极(12)配置在半导体层(15)的下面，第三电极(14)则配置在半导体层(15)的侧面。半导体层(15)与选自第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)的两个电极电连接，而电绝缘层(13、17)插入在电极(12、14、16)之间。第一电极(16)位于半导体层(15)的上方以便延伸超出半导体层(15)的外围。通过这样构造，有可能提供一种场效应晶体管以及使用这种场效应晶体管的显示器件，该场效应晶体管具有高度的耐氧和耐水性能，因此即使其中使用有机半导体，仍具有长的寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1823425A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480019832.2
申请日：2004-07-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/28 , H01L51/0052
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管，其具有基板(11)和设置在基板(11)上的由有机半导体构成的半导体层(14)，半导体层(14)由上述有机半导体的晶体构成；上述晶体的晶相与上述有机半导体的能量最稳定的块晶的晶相相同。并且，本发明的有机薄膜晶体管的制造方法是在基板(11)上蒸镀有机半导体而形成半导体层(14)的有机薄膜晶体管的制造方法，在蒸镀上述有机半导体时，将基板(11)的温度保持在40～150℃的范围内，以0.1～1nm/分的蒸镀速度进行蒸镀。
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公开(公告)号：CN1788355A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200580000408.8
申请日：2005-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0512 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管，该场效应晶体管包括：包含有机物质的半导体层(15)，以及至少电路上互不接触的第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)。第一电极(16)配置在半导体层(15)的上面，第二电极(12)配置在半导体层(15)的下面，第三电极(14)则配置在半导体层(15)的侧面。半导体层(15)与选自第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)的两个电极电连接，而电绝缘层(13、17)插入在电极(12、14、16)之间。第一电极(16)位于半导体层(15)的上方以便延伸超出半导体层(15)的外围。通过这样构造，有可能提供一种场效应晶体管以及使用这种场效应晶体管的显示器件，该场效应晶体管具有高度的耐氧和耐水性能，因此即使其中使用有机半导体，仍具有长的寿命。
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公开(公告)号：CN103210698A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180037873.4
申请日：2011-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/467 , H01L23/53295 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/5203 , H01L2227/323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 显示面板的制造方法包括：在第1层上形成构成第2层的感光性材料的层的子工序；在感光性材料的层上配置光掩模的子工序，所述光掩模的光透射性在俯视与预定形成第2开口部的部位重叠的第1区域和其以外的第2区域不同；以及经由光掩模对构成第2层的感光性材料的层进行曝光的子工序；俯视下光掩模的第1区域的面积比第1层的第1开口部的面积大。
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公开(公告)号：CN1879223A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033200.1
申请日：2004-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0012 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的薄膜晶体管(100)具有半导体层(14)和在上述半导体层上相互相对地分离设置的源极区域(15)和漏极区域(16)，上述半导体层具有π共轭类有机半导体分子作为主成分，将上述π共轭类有机半导体分子取向，使得π轨道实质上相对、并且主链的分子轴相对于在上述半导体层中形成的沟道中的电场方向倾斜。
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公开(公告)号：CN1823427A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020581.X
申请日：2004-07-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0566 , H01L51/0068 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的薄膜晶体管，是具有半导体层(4)、和在该半导体层上相互分离地设置的源极区域(5)、漏极区域(6)和栅极区域(2)的薄膜晶体管(100)，所述半导体层由复合材料构成，所述复合材料是在有机物半导体材料的内部分散多个至少一种无机物材料颗粒的复合材料。
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