公开(公告)号：CN102844877A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180016052.2

申请日：2011-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  山西齐 ,  大井户良久 ,  上木原伸幸 ,  奥村智洋

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/182 ,  H01L31/03682 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的在于通过简便地形成具有PN结的多晶硅膜而提供低成本的多晶型硅太阳能电池。具体来说，对使用含掺杂剂硅靶材进行溅镀成膜而得的非晶硅膜，利用等离子体进行多晶化，且在该膜上形成PN结，从而形成具有PN结的多晶硅膜，将其作为多晶型硅太阳能电池的硅基板。此外，本发明提供一种从硅晶锭获得含掺杂剂硅靶材的方法。

公开(公告)号：CN102576749A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080045578.9

申请日：2010-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  山西齐 ,  大井户良久 ,  上木原伸幸 ,  奥村智洋

IPC: H01L31/04 ,  C01B33/02

CPC classification number: C01B33/02 ,  C01B33/037 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种硅粉末的制造方法，包括：将纯度等级为99.999％以上的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的硅粉末的工序。由此，提供一种从硅锭迅速地得到硅粉末且不使其纯度下降的技术。