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公开(公告)号：CN103178155A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210560046.X
申请日：2012-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/182 , H01L31/1872 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供多晶硅型太阳能电池板，通过用少工序且短时间形成形成有pn结的多晶硅膜，降低成本。具体而言，提供多晶硅型太阳能电池板的制造方法，该方法具有：使用由掺杂为n型或p型的硅构成的蒸镀材料，通过蒸镀在基板表面形成非晶硅膜的工序；对所述非晶硅膜的表层，用p型或n型掺杂剂进行等离子体掺杂的工序；以及在所述等离子体掺杂后的非晶硅膜上扫描等离子体，使非晶硅膜熔融且再晶化的工序。
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公开(公告)号：CN102844877A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180016052.2
申请日：2011-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/182 , H01L31/03682 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于通过简便地形成具有PN结的多晶硅膜而提供低成本的多晶型硅太阳能电池。具体来说，对使用含掺杂剂硅靶材进行溅镀成膜而得的非晶硅膜，利用等离子体进行多晶化，且在该膜上形成PN结，从而形成具有PN结的多晶硅膜，将其作为多晶型硅太阳能电池的硅基板。此外，本发明提供一种从硅晶锭获得含掺杂剂硅靶材的方法。
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公开(公告)号：CN102576749A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045578.9
申请日：2010-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01B33/02 , C01B33/037 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种硅粉末的制造方法，包括：将纯度等级为99.999％以上的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的硅粉末的工序。由此，提供一种从硅锭迅速地得到硅粉末且不使其纯度下降的技术。
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公开(公告)号：CN100555574C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510092358.2
申请日：2005-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/223
Abstract: 一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器(1)、设于容器(1)内的试料台(2)、与试料台(2)相对设置的窗口(3)、隔着窗口(3)与试料台(2)相对的作为紫外线光源的五个Xe灯(4)。在试料台(2)上载置作为试料的硅基板(5)，从Xe灯(4)发出的紫外线照射硅基板(5)的表面，则硅基板(5)的表面附近的结晶结构被破坏，而进行非晶质化。然后，在已非晶质化的基板表面上施加离子供给处理、活性化处理，由此，能够在基板表面极浅地导入杂质。
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公开(公告)号：CN100517573C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200580018635.3
申请日：2005-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/0276
Abstract: 一种掺入杂质的方法包括：通过等离子体掺入方法将杂质引入固态基体，以形成杂质掺入区域的步骤；在该固态基体上形成起着降低光反射的功能的抗光反射膜的步骤；测量杂质掺入区域的光学特性和厚度的步骤；基于所述测量的光学特性和厚度选择所述抗光反射层的步骤；以及通过光辐射执行退火的步骤。降低了退火时辐射光的反射率，有效地将能量引入杂质掺入层中，改善了激活效率，在防止扩散的同时降低杂质掺入层的薄层电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101286448A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710127002.7
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。
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公开(公告)号：CN100373549C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03160202.9
申请日：2003-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明的掺杂装置具有其中限定有室的真空容器。该容器具有由电介质材料制成的一个半圆形穹顶部分，该部分具有将被掺杂在基片中的杂质，基片设在室中。所述装置还包括：等离子体源，其通过形成穿过容器的所述部分的电场来在室中产生等离子体，使等离子体中的离子撞击容器的所述部分，以将杂质从容器的所述部分中取出并进入到室中，其中，所述等离子体源具有围在半圆形穹顶部分周围的线圈或天线以及第一功率源，所述第一功率源用来向线圈或天线的一端施加高频功率，从而在室中产生等离子体；磁性线圈，其设置在线圈或天线的周围，用来产生通过半圆形穹顶部分并朝向基片的磁场；以及第二功率源，其与磁性线圈电气连接，以向磁性线圈施加电流。
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公开(公告)号：CN101086964A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710127001.2
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/263 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力，一边向等离子体源供给比在上述第2阶段的高频功率大的高频功率。
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公开(公告)号：CN1118090C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN98800305.8
申请日：1998-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/321 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理方法及装置包括，边导入规定的气体边排气，在保持真空室(1)内规定的压力的同时，在通过天线用高频电源(4)向轮辐天线(5)，通过电极用高频电源(8)向电极(6)分别供给高频电力，使真空室(1)内产生等离子体，在对电极(6)上的基片(7)进行腐蚀等的等离子体处理时，通过外皮，由电磁波屏蔽的发热体构成的电阻加热的加热器(11)和设置在电介体(9)上的压接式热电偶(10)连接温调器(12)，在电阻加热的加热器(11)和轮辐天线(5)之间，设置隔热材料(13)，通过带有区域层加热器(22)的内室(16)，将真空室内加热到80℃以上。
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公开(公告)号：CN1102801C
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN98109290.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/205 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 等离子体处理方法包括：通过抽气真空室内部同时将气体输至真空室，控制真空室内部至规定压力；在真空室内部压力控制下，高频功率供给第一导体的一端，第一导体的另一端断开，成涡流型，第二导体的一端接地，另一端断开，成涡流型，从第一导体和第二导体辐射电磁波至真空室，在真空室产生等离子体，并处理位于真空室内电极上的基底。
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