公开(公告)号：CN1956186A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610132131.0

申请日：2006-10-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤好弘 ,  小川久

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/823425 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475

Abstract: 提供一种栅电极的布线电阻小、且栅电极和共用接触插头的接触电阻小的半导体装置。半导体装置具备：形成在半导体衬底(10)上且被完全转化成硅化物的第1栅布线(19A)；形成在第1栅布线(19A)的侧面上的第1侧壁(21A)；和形成在活性区域(12)的杂质扩散层(14B)。在形成于半导体衬底(10)上的层间绝缘膜(35)形成有与第1栅布线(19A)及杂质扩散层(14B)连接的共用接触插头(24)。第1栅布线(19A)在与共用接触插头(24)连接的部分具有从第1侧壁(21A)突出的突出部(20A)。

公开(公告)号：CN1790642A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510120089.6

申请日：2005-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤好弘

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823828

Abstract: 提供一种能够抑制阈值电压及漏极电流的随时间变化的半导体装置的制造方法。本发明的第1实施方式的半导体装置制造方法中，在半导体衬底(10)中离子注入氟素后，在半导体衬底(10)上形成栅极绝缘膜(14A)、栅极电极(15A)及保护绝缘膜(16A)，然后再次注入氟素。还形成p型源极·漏极扩张区域(18)及源极·漏极区域(19)。