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公开(公告)号：CN1308146C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03147943.X
申请日：2003-06-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/1646 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1643 , B41J2/1645 , B41J2002/14266
Abstract: 本发明涉及如油墨喷出头(H)等那样，在喷出油墨等液体的液体喷出头中，当在压电元件(2)的液体室构件(油墨室构件1)一侧的表面上，用非电解镀层法形成液体室构件时，至少该表面一侧的一部分由含有用于辅助该镀层成长的核形成的材料的、核形成辅助材料含有层(2d)构成。在该核形成辅助材料含有层(2d)上，用非电解镀层法形成液体室构件。
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公开(公告)号：CN1468711A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03147943.X
申请日：2003-06-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/1646 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1643 , B41J2/1645 , B41J2002/14266
Abstract: 本发明涉及如油墨喷出头(H)等那样，在喷出油墨等液体的液体喷出头中，当在压电元件(2)的液体室构件(油墨室构件1)一侧的表面上，用非电解镀层法形成液体室构件时，至少该表面一侧的一部分由含有用于辅助该镀层成长的核形成的材料的、核形成辅助材料含有层(2d)构成。在该核形成辅助材料含有层(2d)上，用非电解镀层法形成液体室构件。
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公开(公告)号：CN1076850C
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN94119379.9
申请日：1994-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , C04B35/472 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C30B23/02 , C30B29/32 , H01L37/025
Abstract: 提供了一种强电介质薄膜，它是通过向添加了La的钛酸铅中添加由能与氧原子进行6配位结合的Mg和Mn中选取的至少一种元素而形成的强电介质薄膜，在薄膜形成时赋予了高的C轴取向性，并且不需要象大晶体那样进行极化处理。它的制造方法是在MgO单晶板9上预先通过溅射形成基底白金电极，然后将单晶板9置于基板加热器10上。从真空室7内抽气，用基板加热器10加热基板9，通过喷嘴14向真空室7内通入作为溅射气体的Ar和O2，保持高真空度。由高频电源8向靶1输入高频电功率其产生等离子体，从而在基板9上成膜。例如，可制造组成为[(1-x)·Pb1-yLayTi1-y/4O3+x·MgO](x＝0.01～0.10，y＝0.05～0.25)的强电介质薄膜。
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公开(公告)号：CN1158163A
公开(公告)日：1997-08-27
申请号：CN96190708.8
申请日：1996-05-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种测定汽车发动机排放的气体温度用的温度传感元件，它备有平板状金属支撑体、位于上述支撑体上的第1电绝缘膜、位于上述第1电绝缘膜上的备有一对电极的热敏膜、及位于上述热敏膜上的第2电绝缘膜。该温度传感元件耐热冲击性好、而且不需要耐热帽、热容量小，所以热应答性能好。
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公开(公告)号：CN1153398A
公开(公告)日：1997-07-02
申请号：CN96112720.1
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31
Abstract: 一种有经过精细加工的电介质元件的制造方法。该方法包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序、以及通过利用由还原剂构成的第1处理液、接着利用由酸构成的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。能不产生残渣而使电介质膜形成精细的图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1111388A
公开(公告)日：1995-11-08
申请号：CN94119379.9
申请日：1994-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , C04B35/472 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C30B23/02 , C30B29/32 , H01L37/025
Abstract: 提供了一种强电介质薄膜，它是通过向添加了La的钛酸铅中添加由能与氧原子进行6配位结合的Mg和Mn中选取的至少一种元素而形成的强电介质薄膜，在薄膜形成时赋予了高的C轴取向性，并且不需要象大晶体那样进行极化处理。它的制造方法是在MgO单晶板9上预先通过溅射形成基底白金电极，然后将单晶板9置于基板加热器10上。从真空室7内抽气，用基板加热器10加热基板9，通过喷嘴14向真空室7内通入作为溅射气体的Ar和O2，保持高真空度。由高频电源8向靶1输入高频电功率其产生等离子体，从而在基板9上成膜。例如，可制造组成为[(1-x)·Pb1-yLayTi1-y/4O3+x·MgO](x＝0.01～0.10，y＝0.05～0.25)的强电介质薄膜。
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公开(公告)号：CN101355134A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810135194.0
申请日：2003-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01P15/0922 , B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2002/1425 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明涉及压电元件、喷墨头、角速度传感器及其制法和喷墨式记录装置，压电元件具备第一电极层、压电体层和第二电极层，第一电极层由选自钴、镍、铁、锰及铜的至少一种金属与贵金属构成，压电体层由钙钛矿型氧化物构成，在第一电极层与压电体层间设有由优先取向于立方或正方晶系的(100)或(001)面的钙钛矿型氧化物构成的取向控制层，该控制层的第一电极层侧的部分为：(100)或(001)面取向的区域存在于位于第一电极层中取向控制层侧的表面部的所述至少一种金属上，且与层厚方向垂直的截面中的所述(100)或(001)面取向区域的面积从第一电极层侧向着压电体层侧变大，所述至少一种金属，在第一电极层以控制取向控制层的成长方向的方式形成图案。
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公开(公告)号：CN100345320C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN02807189.1
申请日：2002-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/0815 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1646 , B41J2002/14491 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/49401
Abstract: 在压电元件中，在基板(11)上设置附着层(12)，在该附着层(12)上设置由含有钛或氧化钛的贵金属构成的第1电极层(14)，在该第1电极层(14)上设置优先取向(100)面或(001)面的取向控制层(15)。该取向控制层(15)中的第1电极层(14)侧的表面附近部的结构为：(100)面或(001)面取向的区域存在于位于第1电极层(14)中的取向控制层(15)侧的表面部的钛或氧化钛上且上述区域在垂直于层厚方向的截面上的面积从第1电极层(14)侧向相反侧变大。于是，在该取向控制层(15)上设置优先取向(001)面的压电体层(16)。
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公开(公告)号：CN1498428A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN02807189.1
申请日：2002-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/0815 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1646 , B41J2002/14491 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/49401
Abstract: 在压电元件中，在基板(11)上设置附着层(12)，在该附着层(12)上设置由含有钛或氧化钛的贵金属构成的第1电极层(14)，在该第1电极层(14)上设置优先取向(100)面或(001)面的取向控制层(15)。该取向控制层(15)中的第1电极层(14)侧的表面附近部的结构为：(100)面或(001)面取向的区域存在于位于第1电极层(14)中的取向控制层(15)侧的表面部的钛或氧化钛上且上述区域在垂直于层厚方向的截面上的面积从第1电极层(14)侧向相反侧变大。于是，在该取向控制层(15)上设置优先取向(001)面的压电体层(16)。
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公开(公告)号：CN1471181A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03149264.9
申请日：2003-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01P15/0922 , B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2002/1425 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 一种压电元件(20)，在硅基板(1)上形成第一电极层，该第一电极层由从钴、镍、铁、锰及铜的组中选择的至少一种金属与贵金属的合金构成，在该第一电极层(2)上形成由菱面体晶系或正方晶系的钙钛矿型氧化物(PZT等)构成的压电体层(3)，使该压电体层(3)优先取向于(001)面。
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