公开(公告)号：CN1806471A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016589.9

申请日：2004-06-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野雅行 ,  堀贤哉 ,  青山俊之 ,  小田桐优 ,  名古久美男 ,  长谷川贤治

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/02 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

Abstract: 发光元件具备：透明或半透明的第1基板、与上述第1基板相对地设置的第2基板、设在上述第1基板上的透明或半透明的第1电极、与上述第1电极相对地设在上述第2基板上的第2电极、包括在表面上担持有发光性有机材料的金属氧化物半导体多孔体并被夹在上述第1电极和上述第2电极之间的发光体层。

公开(公告)号：CN1236959A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99106925.0

申请日：1999-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 名古久美男

IPC: H01F10/14 ,  H01F41/14 ,  C22C38/00

CPC classification number: H05K9/0084 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/66 ,  G11B5/84 ,  H01F10/147 ,  H01F10/32 ,  H01F17/0013 ,  H01F17/06 ,  H02K37/00 ,  H05K9/0088 ,  Y10S428/90

Abstract: 本发明是在基片1上形成Fe－N系薄膜2,使主相是α－Fe和γ’－Fe4N,α－Fe和γ’－Fe4N相的晶粒细微化到10nm以下,并且与膜面平行的α－Fe的晶面(110)和γ’ －Fe4N的晶面(200)的间隔,与无晶格畸变的状态相比更为伸展,γ’－Fe4N的晶面(111)的间隔与无晶格畸变的状态相比更为收缩,基于这样的组织,形成具有优异软磁性的高饱和磁通密度的软磁膜、软磁多层膜以及使用这些膜的磁体元件,满足电子设备的小型化、薄型化、轻型化以及高性能化的要求。

公开(公告)号：CN101794811A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010143460.1

申请日：2004-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野雅行 ,  堀贤哉 ,  名古久美男 ,  青山俊之 ,  长谷川贤治 ,  小田桐优

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5036

Abstract: 发光元件(10)具有：相对置的空穴注入电极(2)与电子注入电极(8)；以及夹在上述空穴注入电极与电子注入电极之间，从上述空穴注入电极侧向上述电子注入电极侧依次层叠的空穴输送层(3)、发光体层(4)、以及电子输送层(7)；上述发光体层，含有表面的至少一部分被有机材料(5)所覆盖的无机荧光体层(4)。

公开(公告)号：CN100484351C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200480016589.9

申请日：2004-06-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野雅行 ,  堀贤哉 ,  青山俊之 ,  小田桐优 ,  名古久美男 ,  长谷川贤治

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/02 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

Abstract: 发光元件具备：透明或半透明的第1基板、与上述第1基板相对地设置的第2基板、设在上述第1基板上的透明或半透明的第1电极、与上述第1电极相对地设在上述第2基板上的第2电极、夹在上述第1电极和上述第2电极之间的发光体层，发光体层包括金属氧化物半导体多孔体，在金属氧化物半导体多孔体的表面上担持有发光性有机材料。在上述第1电极和上述第2电极之间，除了上述发光体层之外，还具备至少1个有机层，上述有机层含有具有粘接性的有机材料，将上述含有具有粘接性的有机材料的有机层作为粘接层，使其上下的层相贴合。

公开(公告)号：CN101351888A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200780001020.9

申请日：2007-01-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三谷觉 ,  小佐野浩一 ,  村冈俊作 ,  名古久美男

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 电元件具备第一电极、第二电极、以及连接到第一电极和第二电极之间的可变电阻薄膜。可变电阻薄膜含Fe3O4作为构成元素，并且，结晶粒径在5nm以上150nm以下。

公开(公告)号：CN1813498A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200480018279.0

申请日：2004-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 堀贤哉 ,  小野雅行 ,  名古久美男 ,  青山俊之 ,  长谷川贤治 ,  小田桐优

IPC: H05B33/14 ,  C09K11/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/08

CPC classification number: H05B33/14 ,  C09K11/025 ,  C09K11/59

Abstract: 一种发光元件，具有相互对置的一对电极和夹在所述一对电极之间且具有平均粒径为100nm以下的硅微粒的发光层，所述硅微粒表面的至少一部分被导电性物质包覆。另外，所述导电性物质包含氧化物或复合氧化物，所述氧化物或复合氧化物包含从铟、锡、锌、镓的群组中选择的至少一个元素。