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公开(公告)号：CN102790073B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210287006.2
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x
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公开(公告)号：CN102067234B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201080001861.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种即使是能出现半LR的状态的电阻变化元件也能修正为正常的低电阻状态并能最大限确保电阻变化窗口的电阻变化元件的写入方法。一种针对根据所施加的电压的极性而可逆地转变高电阻状态与低电阻状态的电阻变化元件(10a)的数据的写入方法，其包括：高电阻化写入步骤(405)，作为以下部电极(14t)为基准施加于上部电极(11)的电压，施加正的电压以使电阻变化元件(10a)成为高电阻状态(401)；低电阻化写入步骤(406)和(408)，施加负的电压以使电阻变化元件(10a)成为低电阻状态(403)和(402)；以及低电阻稳定化写入步骤(404)，通过在由低电阻化写入步骤(408)施加了负的电压之后施加正的电压，从而使电阻变化元件(10a)经过低电阻状态成为高电阻状态(401)。
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公开(公告)号：CN1898749B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200480038984.7
申请日：2004-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/31 , G11C2213/75 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 第一可变电阻器(5)，连接在第一端子(7)与第三端子(9)之间，该第一可变电阻器(5)的电阻值根据被施加在第一端子(7)与第三端子(9)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。第二可变电阻器(6)，连接在第三端子(9)与第二端子(8)之间，该第二可变电阻器(6)的电阻值根据被施加在第三端子(9)与第二端子(8)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。在第一端子(7)与第三端子(9)之间和第三端子(9)与第二端子(8)之间施加规定脉冲电压，以让第一及第二可变电阻器(5、6)的电阻值可逆地变化，这样来记录一个位或多个位的信息。
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公开(公告)号：CN102077297A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201080001994.9
申请日：2010-05-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/14 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C2013/0073 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 可变电阻层具有下述特性：在向第二电阻状态(RL)变化时，当电极间电压到达作为负电压的第一电压(V1)时，电阻值停止降低，在向第一电阻状态(RH)变化时，当电极间电压到达作为绝对值与第一电压相同的正电压的第二电压(V2)时，电阻值开始上升，在向第一电阻状态变化时，当电极间电压到达比第二电压大的第三电压(V3)时，以保持电极间电压为第三电压的方式流动电极间电流，在向第一电阻状态变化时，当电极间电压处于第二电压以上且不足第三电压的期间，当电极间电流到达第一电流值(Ilim)时，电阻值停止上升；负载电阻具有下述特性：当电脉冲施加装置输出第二施加电压(VP2)的电脉冲时，第二施加电压减去第三施加电压而得的电压被施加到负载电阻上时的电流，在第一电流值以下。
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公开(公告)号：CN102067234A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201080001861.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种即使是能出现半LR的状态的电阻变化元件也能修正为正常的低电阻状态并能最大限确保电阻变化窗口的电阻变化元件的写入方法。一种针对根据所施加的电压的极性而可逆地转变高电阻状态与低电阻状态的电阻变化元件(10a)的数据的写入方法，其包括：高电阻化写入步骤(405)，作为以下部电极(14t)为基准施加于上部电极(11)的电压，施加正的电压以使电阻变化元件(10a)成为高电阻状态(401)；低电阻化写入步骤(406)和(408)，施加负的电压以使电阻变化元件(10a)成为低电阻状态(403)和(402)；以及低电阻稳定化写入步骤(404)，通过在由低电阻化写入步骤(408)施加了负的电压之后施加正的电压，从而使电阻变化元件(10a)经过低电阻状态成为高电阻状态(401)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101981695A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111679.9
申请日：2009-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。
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公开(公告)号：CN101351888B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780001020.9
申请日：2007-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一电极、第二电极、以及连接到第一电极和第二电极之间的可变电阻薄膜。可变电阻薄膜含Fe3O4作为构成元素，并且，结晶粒径在5nm以上150nm以下。
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公开(公告)号：CN101164168B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680013802.X
申请日：2006-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822 , G11C13/00 , H01L27/04
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 电气元件，具备第一电极(1)、第二电极(3)、以及在第一电极(1)和第二电极(3)之间被连接的可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)，含Fe(铁)及O(氧)作为构成元素，在薄膜厚度方向氧含有量被改变。
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公开(公告)号：CN101164167A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013537.5
申请日：2006-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 第一电极层，包括互相平行地延伸的多条第一电极线(W1、W2)。状态变化层，形成在第一电极层上，并且包括具有二极管特性和可变电阻特性的多个状态变化物(60－11、60－12、60－21、60－22)。第二电极层，形成在状态变化层上，并且包括互相平行地延伸的多条第二电极线(B1、B2)。多条第一电极线和多条第二电极线，从叠层方向看时夹着状态变化层互相交叉。状态变化物(60－11)，形成在第一电极线(W1)和第二电极线(B1)交叉的位置的、该第一电极线与该第二电极线之间。
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公开(公告)号：CN102099863B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201080001956.3
申请日：2010-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种能够使电阻变化元件的动作窗口最大化的电阻变化元件的适当的写入方法。该写入方法是对根据被施加的电压脉冲的极性而可逆地转变为高电阻状态和低电阻状态的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，包括准备步骤(S50)和写入步骤(S51、S51a、S51b)；在准备步骤(S50)中，通过一边对电阻变化元件施加电压逐渐变大的电压脉冲一边测量电阻变化元件的电阻值，决定高电阻化开始的第1电压V1以及电阻值为最大的第2电压V2；在高电阻化步骤(S51a)中，通过对电阻变化元件施加具有第1电压V1以上且第2电压V2以下的电压Vp的电压脉冲，使电阻变化元件从低电阻状态(S52)转变为高电阻状态(S53)。
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