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公开(公告)号:CN100382261C
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN00809896.4
申请日:2000-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/67144 , H01L21/67138
Abstract: 本发明的目的是提供可以防止对电荷发生半导体基板(201、202)的热电破坏及物理破损的凸起形成装置(101、501)、利用该凸起形成装置实施的电荷发生半导体基板的除静电方法、电荷发生半导体基板用除静电装置、及电荷发生半导体基板。采用以下所述构成:即,至少在向晶片(202)焊接凸起后冷却该晶片时,使该晶片直接接触后热装置(170),除去由于该冷却而蓄积在该晶片中的电荷,或者,通过可在非接触状态下除去静电的温度下降控制来除去静电。因此,与以往相比可以降低所述晶片的带电量,所以,可以防止所述晶片的热电破坏,而且可以防止晶片自身的断裂等损伤的发生。
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公开(公告)号:CN1147101A
公开(公告)日:1997-04-09
申请号:CN96110817.7
申请日:1996-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G05B19/19
CPC classification number: G06T7/66 , G06T2207/30108
Abstract: 一种零部件检测方法包含:(1)求得相对边的边缘点;(2)求得按照使所述零部件的偏角为零度所设定的二维坐标轴;(3)将从各边任选各一点计两点边缘点的中点位置向所述坐标轴中与所述两相对边垂直的轴上投影,将重复求得的中点位置向上述轴投影相加,作成分布图;(4)检测上述(3)处理结果获得的分布图中的峰值位置,将通过该峰值位置与所述相对边平行的线作为零部件的中心线。
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