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公开(公告)号：CN1300836C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN03155173.4
申请日：2003-08-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种电路仿真方法，它可以利用在精细化了的集成电路设计方面，并可得到信赖性和精度的提高。在本发明的电路仿真方法中，基于由电路的掩模平面图数据作成的网表和由器件特性的实测数据得到的参数进行电路仿真。在晶体管尺寸以外，基于加在晶体管上的应力，从实测数据抽出参数，再考虑了由应力引起的晶体管特性变化，具有更高精度和正确性的电路仿真就成为可能。
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公开(公告)号：CN1485894A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN03155173.4
申请日：2003-08-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/70
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种电路仿真方法，它可以利用在精细化了的集成电路设计方面，并可得到信赖性和精度的提高。在本发明的电路仿真方法中，基于由电路的光罩平面图数据作成的网表和由器件特性的实测数据得到的参数进行电路仿真。在晶体管尺寸以外，基于加在晶体管上的应力，从实测数据抽出参数，再考虑了由应力引起的晶体管特性变化，具有更高精度和正确性的电路仿真就成为可能。
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公开(公告)号：CN1462068A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN03138118.9
申请日：2003-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R31/275 , G01R31/312
Abstract: 一种半导体装置和电容测量方法，CBCM测量装置具有：PMIS晶体管(11)和(12)、NMIS晶体管(13)和(14)、与第一节点(N1)相连的参照用第一导体部(15)、在与参照用第一导体部之间构成虚设电容的参照用第二导体部(17)、与第二节点相连的测试用第一导体部、与测试用第一导体部之间构成测试电容的第二导体部(18)。通过控制电压(V1、V2)，控制各晶体管的导通和截止，从流过第一、第二节点的电流测量测试电容器中的目标电容器的电容。通过增大虚设电容，使电容测量精度提高。提供电容的测量精度高的半导体装置或电容的测量方法。
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公开(公告)号：CN1248090A
公开(公告)日：2000-03-22
申请号：CN99119063.7
申请日：1999-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G05F1/573 , G05F1/575 , Y10S323/908
Abstract: 一种电源电路,包括:将电流供到输出端4的输出晶体管1;和控制输出晶体管1的电流供给,使得基准电压REF和输出电压OUT相等的差动放大电路2。在差动放大电路2的输出级的电流通路上设置作为源随器的抑制用晶体管11,它的源电位控制输出晶体管1的栅电位。在电源电路启动之前,由动作控制部15给电容器16充电,而在初始动作时靠电流源17使电容器16逐渐放电。因此,输出晶体管1的栅源极间电压逐渐上升,突入电流的产生可被抑制。
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公开(公告)号：CN1300848C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410005325.5
申请日：2004-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/118 , H01L21/82
CPC classification number: G06F17/5045 , H01L27/0207
Abstract: 一种半导体电路装置及其电路仿真方法，在半导体电路装置的N阱(2)中设置由沟槽分离(Ris)包围的PMIS用活性区域(Rtp)，而在P阱(3)中设置由沟槽分离(Ris)包围的NMIS用活性区域(Rtn)。在各活性区域(Rtp、Rtn)中，分别设置有P沟道型或者N沟道型的栅极(7、9)。NMIS用活性区域(Rtn)和PMIS用活性区域(Rtp)之间在Y方向上的间隔(Dpn)按照实质上为一定值进行布局。这样，从沟槽分离(Ris)施加到栅极下方的沟道区域的沟槽分离应力，对各晶体管被均等化，从而提高了电路仿真的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1298057C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200310118019.8
申请日：2003-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/118 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/823828 , H01L21/823437 , H01L27/0203
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。需要高电流能力的P沟道型MISFET的栅极是配置于不连续型活性区域(R10p)上的高驱动型栅极(10ph)，或者是配置于二输入型活性区域(R20p)上的高驱动型活性区域(20ph)。并不需要太高的电流能力的PMISFET的栅极是配置于连续型活性区域(R30p)的通常型栅极(30pu)。在不连续型活性区域(R10p)或二输入型活性区域(R20p)中，由于配置高驱动型栅极(10ph)或(20ph)，因此利用由格子形变产生的轻型空穴可以得到高驱动型P沟道型MISFET。可以消除由活性区域的沟道分离的应力而引起的对MISFET的性能的不良影响。
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公开(公告)号：CN1645615A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004697.0
申请日：2005-01-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L29/41725
Abstract: 本发明涉及静电放电保护晶体管，在由P型半导体基板(1)构成，周围被元件分离区(2)包围的活性区，设置晶体管(21、22、23)。在由P型半导体基板(1)构成的活性区上，设置源极上硅化物膜(5S)、漏极上硅化物膜(5D)。在这里，漏极上硅化物膜(5D)不在位于晶体管(21、22、23)的各边界的部分设置，而被各晶体管(21、22、23)分离。这样，由于晶体管(21、22、23)各自之间的区域成为高电阻，所以能够防止流进不同的晶体管的电流局部集中，从而能够不增加晶体管的面积，最大限度地发挥单位面积的静电放电保护能力。从而在静电放电保护晶体管中，不带来面积的增大，提高静电特性。
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公开(公告)号：CN1198376C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN00800170.7
申请日：2000-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M1/36 , H02M1/32 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466
Abstract: 一种同步整流式开关稳压器，其具备：在电源(Vdd)和接地(Vss)之间串联连接的第1及第2开关(SW1、SW2)；对开关(SW1、SW2)进行通断控制的开关控制部(1)；将输出节点电位(Vnd)平滑化的平滑电路(4)。在第1开关(SW1)导通期间内，若信号(Sc1)表征输出节点电位(Vnd)低于为突入电流检测基准的第1基准电位(Vr1)，控制电路(10)则将第1开关(SW1)断开。换句话说，本发明中，利用第1开关(SW1)的通态电阻所引起的压降来检测突入电流，因此不用设置用以检测突入电流的电阻元件。
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公开(公告)号：CN1503375A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310118019.8
申请日：2003-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/118 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/823828 , H01L21/823437 , H01L27/0203
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。需要高电流能力的P沟道型MISFET的栅极是配置于不连续型活性区域(R10p)上的高驱动型栅极(10ph)，或者是配置于二输入型活性区域(R20p)上的高驱动型活性区域(20ph)。并不需要太高的电流能力的PMISFET的栅极是配置于连续型活性区域(R30p)的通常型栅极(30pu)。在不连续型活性区域(R10p)或二输入型活性区域(R20p)中，由于配置高驱动型栅极(10ph)或(20ph)，因此利用由格子形变产生的轻型空穴可以得到高驱动型P沟道型MISFET。可以消除由活性区域的沟道分离的应力而引起的对MISFET的性能的不良影响。
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公开(公告)号：CN1294773A
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN00800170.7
申请日：2000-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M1/36 , H02M1/32 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466
Abstract: 一种同步整流式开关稳压器,其具备:在电源Vdd和接地Vss之间串联连接的第1及第2开关SW1、SW2;对开关SW1、SW2进行通、断控制的开关控制部1;将输出节点电位Vnd平滑化的平滑电路4。在第1开关SW1导通期间内,若信号Scl表征输出节点电位Vnd低于为突入电流检测基准的第1基准电位Vrl,控制电路10则将第1开关SW1断开。换句话说,本发明中,利用第1开关SW1的通态电阻所引起的压降来检测突入电流,因此不用设置用以检测突入电流的电阻元件。
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