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公开(公告)号：CN1324570C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200510052929.X
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1977327A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200680000426.0
申请日：2006-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2403 , G11B7/24067 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571
Abstract: 提供一种记录再现特性和耐腐蚀性优异的光学信息记录介质。为此，本发明的光学信息记录介质至少顺次具备：具有导向槽的基板(001)、反射层(002)、光吸收层(003)、反射侧保护层(004)、通过激光的照射光学特性会可逆地变化的记录层(006)、膜厚为50nm以下的光入射侧保护层(012)、树脂层(010)和被激光照射的透明基板(011)。光入射侧保护层(012)具有多个材料层，多个材料层中的最接近透明基板的光入射侧材料层(009)具有最小的内部应力。
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公开(公告)号：CN1922673A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005490.3
申请日：2005-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B9/04 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/254 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11C13/0004 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、并且重复重写性能优异的信息记录介质。为此，在基板(14)上至少具备通过照射激光束或外加电流而可记录及/或再生信息的记录层(104)、和第2电介质层(106)的信息记录介质(15)中，第2电介质层(106)含有M1(其中，M1为从Sc、Y、La、Gd、Dy及Yb中选择的至少一种元素)和O。
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公开(公告)号：CN1294030C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN00807627.8
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1833280A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022679.9
申请日：2004-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , G11B7/24076 , G11B7/266
Abstract: 提供在使用半透明的信息层的高密度记录中，也能使信号质量良好的光学信息记录介质。在具有1层以上的包含利用激光照射记录·再生信息信号的记录层的信息层、该信息层的照射面一侧的第1信息层表面具有螺旋状或同心圆状地形成的导向槽、该导向槽的内周侧和外周侧的倾斜面在对导向槽的底面而言分别具有倾斜角α和β的保护基板或分离层上形成。导向槽在半径方向上具有1个以上的倾斜角α和β不同的非对称区域，信息层在其非对称区域的内周侧和外周侧的倾斜面中，具有大体上一致的膜厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1273974C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN01145664.7
申请日：2001-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/00454 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供反射率高、高密度的信息记录再现中也得到C/N比和灵敏度高的良好记录再现特性的补写型光信息记录媒体。该媒体具有透明基板、在该基板上配置的至少1个信息层，该信息层具有包含Te、O和M的材料构成的记录层，对于从透明基板侧入射的光束，与在记录层上记录信息之前的非晶态反射率相比，记录层上记录信息后的结晶状态反射率低。其中，M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au和Bi中选择的至少1个元素。
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公开(公告)号：CN1681021A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510065134.2
申请日：2000-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24316
Abstract: 在基片上形成至少一层信息层，后者包括以经激光照射能在两种不同的光学状态之间变化的材料为主要成分的记录层。这种材料的能隙在非结晶状态下为0.9eV至2.0eV。受到波长在300nm至450nm的范围内的激光照射时，上述信息层的透光率在30％以上。用该波长范围内的激光照射该介质一侧即可把信息记录在多个记录层上，并将其重放出来。
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公开(公告)号：CN1670829A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052930.2
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1581323A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056457.0
申请日：2004-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , C23C14/08 , C23C14/205 , C23C14/542 , C23C14/568 , G11B7/24038
Abstract: 本发明提供一种即使在对半透明的信息层进行高密度记录时信号品质也良好的光学信息记录介质及其制造方法以及制造装置。本发明的光学信息记录介质，在圆盘状的透明基板以及保护基板之间至少设有半透明的信息层，该信息层具有光束引导用的螺旋状沟槽，还包括通过在能由来自所述透明基板侧的光束的照射光学检测出来的至少2个状态之间呈现变化、从而能够进行记录及再生的记录膜，并且在进行记录以及再生的全部区域上，所述沟槽的内周侧以及外周侧的斜面部分的膜厚的差在±10％以内。
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公开(公告)号：CN1551165A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410045805.4
申请日：2004-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种光信息记录介质，具有至少两个信息层。设置在前侧(从激光入射侧观察)的第一信息层(100)至少包括：反射层(3)；相对于反射层(3)设置在激光入射侧的记录层(6)，用于产生通过施加激光束光学地进行检测的、非晶相和晶相之间的可逆变化；以及设置在反射层(3)和记录层(6)之间的介电层(50)。所述介电层50至少包括锆、硅和铬，在反射层侧的介电层(50)的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝p∶q∶r(p+q+r＝100)，在记录层侧的接触面附近的介电层中的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝s∶t∶u(s+t+u＝100)，并且r＜u，或t＜q。
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