公开(公告)号：CN1059756C

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：CN94105493.4

申请日：1994-05-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川崎哲生 ,  是近哲広 ,  北畠真 ,  平尾孝

IPC: H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02631 ,  H01L43/065 ,  Y10S438/974

Abstract: 本发明的半导体薄膜制造方法包括：在氢终止基板上形成由铝、镓、铟中选一种或两种所组成的厚度在0.1～3nm范围的起始层的工序；在该起始层上在250～430℃温度范围内开始成膜、成膜温度不高于430℃形成由铟与锑、或者是铝和镓中一种同铟与锑组成的缓冲淀积层的工序；以370～460℃温度范围内高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该缓冲淀积层上形成由铟与锑、或者是铋和镓中一种同铟与锑组成的半导体薄膜的工序。