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公开(公告)号：CN1098559A
公开(公告)日：1995-02-08
申请号：CN94105493.4
申请日：1994-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/08 , H01L21/02381 , H01L21/02466 , H01L21/02502 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L43/065 , Y10S438/974
Abstract: 本发明的半导体薄膜制造方法，其特征在于包括：除去表面由硅单晶组成的基板的表面氧化膜，由氢终止表面硅悬空键的工序；在该氢终止Si单晶基板上形成Al、Ga、In中至少选一种所组成的起始层的工序；在该起始层上形成至少含In与Sb的缓冲淀积层的工序；以高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该淀积层上形成至少含In与Sb的半导体薄膜的工序。本发明还包括加工上述方法所得半导体薄膜，在其上设电极的磁电变换元件制造方法。
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公开(公告)号：CN100576738C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN03800554.9
申请日：2003-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/02559 , H03H9/02661 , H03H9/02929 , H03H9/145 , H03H9/6483
Abstract: 本发明的目的在于在表面声波谐振器或者滤波器等表面声波(SAW)器件中，使损失最小，提高陡峭性，通过在用能够激励漏泄表面声波(LSAW)的切割角切割出的压电基板上设置具有预定厚度和电极指间间距(p)的IDT电极和反射器，使所利用的SAW的音速比沿着压电基板传输的慢横波的音速(vb)还慢，而且当令谐振频率为f时满足2×p≤vb/f的关系，能够利用不发生传输损失的RSAW，与以往的LSAW类型的SAW器件相比较改善插入损失和陡峭特性。
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公开(公告)号：CN1736025A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200380107526.X
申请日：2003-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电子部件，以改善温度特性及电特性为目的。为了达到所述目的，本发明的电子部件具有基片(1)、设置在基片(1)上表面的梳状电极(2)和覆盖该梳状电极(2)且顶面有凹凸形状的保护膜(4)。设定各参数，使得当设保护膜(4)的凹凸形状的每组凹凸的间距宽度为L，保护膜(4)的凹凸形状的每组凹凸的凸部(4a)宽度为L1，凹部(4b)宽度为L2，梳状电极(2)的每组电极的间距宽度为p，构成梳状电极(2)的每根电极指的宽度为p1，电极指间的宽度为p2时，满足L1≤p1且L2≥p2(此时，满足L≒p、p1+p2＝p、L1+L2＝L的关系)。
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公开(公告)号：CN100517963C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200380107526.X
申请日：2003-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电子部件，以改善温度特性及电特性为目的。为了达到所述目的，本发明的电子部件具有基片(1)、设置在基片(1)上表面的梳状电极(2)和覆盖该梳状电极(2)且顶面有凹凸形状的保护膜(4)。设定各参数，使得当设保护膜(4)的凹凸形状的每组凹凸的间距宽度为L，保护膜(4)的凹凸形状的每组凹凸的凸部(4a)宽度为L1，凹部(4b)宽度为L2，梳状电极(2)的每组电极的间距宽度为p，构成梳状电极(2)的每根电极指的宽度为p1，电极指间的宽度为p2时，满足L1≤p1且L2≥p2(此时，满足L≒p、p1+p2＝p、L1+L2＝L的关系)。
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公开(公告)号：CN1930448A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007155.7
申请日：2005-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01C19/5628 , G01C19/5621 , Y10T29/42
Abstract: 基板由单晶硅制成且具有音叉形状。所述基板包括多个彼此平行延伸的音叉臂和用于彼此连接所述音叉臂的相应端的连接部分。角速度传感器包括：在所述基板的所述音叉臂中的各音叉臂上提供的含有氧化硅的阻挡层；在所述阻挡层上提供的含有钛的第一粘附层；在所述第一粘附层上提供的含有钛和氧化钛中至少一者的第一电极层；在所述第一电极层上提供的取向控制层；在所述取向控制层上提供的压电层；在所述压电层上提供的第二粘附层；和在所述第二粘附层上提供的第二电极层。这种角速度传感器具有小尺寸和稳定的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1190007C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN01803197.8
申请日：2001-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/02661 , H03H3/08 , H03H9/02897 , H03H9/02929 , H03H9/14541 , Y10T29/42
Abstract: 在具有基片和形成在基片上的电极的弹性表面波(SAW)滤波器中，电极具有底层、第1金属层、第2层和第3层，第1金属层由Al或者以Al为主体的金属组成、而且对基片沿一定方向取向，第2层抑制第1金属层的Al原子向对基片垂直方向的移动，第3层是为了调整膜厚。由此，在具有任意膜厚的SAW滤波器中，能够同时达到具有难于引起晶界扩散的膜质和对应力性很有效的膜的粒径的微细化。因此，在这种SAW滤波器中，能够阻止伴随SAW的传播在电极上产生的负荷引起的应力而引起的电极的Al原子的移动，因而，该滤波器具有优秀的耐电功率性。
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公开(公告)号：CN100585330C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200580007155.7
申请日：2005-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01C19/5628 , G01C19/5621 , Y10T29/42
Abstract: 基板由单晶硅制成且具有音叉形状。所述基板包括多个彼此平行延伸的音叉臂和用于彼此连接所述音叉臂的相应端的连接部分。角速度传感器包括：在所述基板的所述音叉臂中的各音叉臂上提供的含有氧化硅的阻挡层；在所述阻挡层上提供的含有钛的第一粘附层；在所述第一粘附层上提供的含有钛和氧化钛中至少一者的第一电极层；在所述第一电极层上提供的取向控制层；在所述取向控制层上提供的压电层；在所述压电层上提供的第二粘附层；和在所述第二粘附层上提供的第二电极层。这种角速度传感器具有小尺寸和稳定的特性。
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公开(公告)号：CN1551496A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410063350.9
申请日：2001-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/02661 , H03H3/08 , H03H9/02897 , H03H9/02929 , H03H9/14541 , Y10T29/42
Abstract: 一种弹性表面波滤波器的制造方法，它包含以下工程：在基片上形成具有含Al金属层的电极的工程；与所述电极同时、用溅射刻蚀法在所述电极的侧壁上形成Al扩散防止层的至少一部分的工程。
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公开(公告)号：CN1522492A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN03800554.9
申请日：2003-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/02559 , H03H9/02661 , H03H9/02929 , H03H9/145 , H03H9/6483
Abstract: 本发明的目的在于在表面声波谐振器或者滤波器等表面声波(SAW)器件中，使损失最小，提高陡峭性，通过在用能够激励漏泄表面声波(LSAW)的切割角切割出的压电基板上设置具有预定厚度和电极指间间距(p)的IDT电极和反射器，使所利用的SAW的音速比沿着压电基板传输的慢横波的音速(vb)还慢，而且当令谐振频率为f时满足2×p≤vb/f的关系，能够利用不发生传输损失的RSAW，与以往的LSAW类型的SAW器件相比较改善插入损失和陡峭特性。
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公开(公告)号：CN1394388A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN01803197.8
申请日：2001-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/02661 , H03H3/08 , H03H9/02897 , H03H9/02929 , H03H9/14541 , Y10T29/42
Abstract: 在具有基片和形成在基片上的电极的弹性表面波(SAW)滤波器中，电极具有底层、第1金属层、第2层和第3层，第1金属层由Al或者以Al为主体的金属组成、而且对基片沿一定方向取向，第2层抑制第1金属层的Al原子向对基片垂直方向的移动，第3层是为了调整膜厚。由此，在具有任意膜厚的SAW滤波器中，能够同时达到具有难于引起晶界扩散的膜质和对应力性很有效的膜的粒径的微细化。因此，在这种SAW滤波器中，能够阻止伴随SAW的传播在电极上产生的负荷引起的应力而引起的电极的Al原子的移动，因而，该滤波器具有优秀的耐电功率性。
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