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公开(公告)号：CN1897301A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101566.9
申请日：2006-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L27/02
Abstract: 一种双极晶体管，其中将基极台面指(发射极凸出层15、基极层16和集电极层17)插入在两个集电极指(集电极电极13)之间，并且在该基极台面指上形成基极指(基极电极12)和该基极指两侧上的两个发射极指(发射极层14和发射极电极11)。这两个发射极指形成为相对于作为基准的基极指对称。
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公开(公告)号：CN1885555A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093821.X
申请日：2006-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L27/0605 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/66318
Abstract: 本发明提供加工性优良、且不增大导通电阻(Ron)的高性能的异质结双极晶体管及其制造方法。异质结双极晶体管，在由n型GaAs构成的辅助集电极层和由浓度比辅助集电极层低的n型GaAs构成的第2集电极层之间形成第1集电极层，该第1集电极层对于在第2集电极层的蚀刻工序中使用的蚀刻液具有耐性、且在与第2集电极层的接合处不妨碍电子的传导。
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公开(公告)号：CN1577883A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410031807.8
申请日：2004-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/0821 , H01L29/7371
Abstract: 本发明提供满足伴随高输出化而要求的高耐破坏化的异质结双极型晶体管，该异质结双极型晶体管具有：由GaAs构成的n型子集电极层(110)；在子集电极层(110)上形成的、由比子集电极层(110)的雪崩系数小的半导体材料构成的n型第1集电极层(121)；在第1集电极层(121)上形成的、比子集电极层(110)的杂质浓度低的n型或者i型GaAs构成的第2集电极层(132)；在第2集电极层(132)上形成的、由GaAs构成的P型基极层(133)；在基极层(133)上形成的、由比基极层(133)的带隙大的半导体材料构成的发射极层(134)。
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公开(公告)号：CN101533841A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910126300.3
申请日：2009-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/417 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L21/8248 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/0623 , H01L21/8248 , H01L27/0605 , H01L29/7371 , H01L29/802
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使具有折衷关系的HBT特性上的优点和HFET特性上的优点双方存在的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件为Bi－HFET，HBT具有被依次层叠的辅助集电极层、GaAs集电极层、GaAs基极层以及InGaP(磷化镓铟)发射极层，辅助集电极层具有GaAs外部辅助集电极区域、以及位于GaAs外部辅助集电极区域上的GaAs内部辅助集电极区域，在GaAs外部辅助集电极区域上具有被隔离形成的台面状的集电极部和集电极电极，HFET具有由GaAs外部辅助集电极区域的一部分构成的GaAs覆盖层、以及在GaAs覆盖层上形成的源极电极和漏极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100391006C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410097839.8
申请日：2004-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L29/205
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/0821
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高高输出化时的破坏耐压的半导体器件，其具有：n型GaAs次集电极层(101)，在集电极层(103)与次集电极层(101)之间形成的n型GaAs中间集电极层(102)，n型GaAs集电极层(103)，p型GaAs基极层(104)，n型InGaP第2发射极层(105)，n型GaAs第1发射极层(106)，n型InGaAs发射极接触层(107)，中间集电极层(102)的杂质浓度比集电极层(103)的杂质浓度高，而且比次集电极层(101)的杂质浓度低。
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公开(公告)号：CN1988172A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610169050.8
申请日：2006-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/0821 , H01L29/66318
Abstract: 本发明的目的在于提供可以再现性良好且高成品率地制造的、在抗击穿性上优良的异质结双极晶体管，其特征在于，具备辅助集电极层、集电极层、以及具有比构成基极层的半导体还大的能带间隙的发射极层；集电极层具有形成在辅助集电极层上的第1集电极层、形成在第1集电极层上的第2集电极层、以及形成在第2集电极层和基极层之间的第3集电极层；构成第1集电极层的半导体不同于构成第3集电极层以及第2集电极层的半导体；第2集电极层的杂质浓度比辅助集电极层的杂质浓度还低，且比第3集电极层的杂质浓度还高。
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公开(公告)号：CN1855533A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610073568.1
申请日：2006-04-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/66318
Abstract: 提供一种异质结双极晶体管，在高浓度n型的第一子集电极层(102)上，依次形成由带隙小的材料构成的高浓度n型的第二子集电极层(108)、i型或低浓度n型的集电极层(103)、高浓度p型的基极层(104)、由带隙大的材料构成的n型发射极层(105)、高浓度n型的发射极帽盖层(106)、和由带隙小的材料构成的高浓度n型的发射极接触层(107)。从发射极接触层(107)引出兼作发射极电极的布线(115A)，从发射极层(105)引出兼作基极电极的布线(115B)，从第二子集电极层(108)引出兼作集电极电极的布线(115C)。这样，可以缩小发射极尺寸，并且能够减少制造成本。
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公开(公告)号：CN1759481A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006662.4
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/73 , H01L27/06 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L23/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种晶体管集成电路装置及制造该晶体管集成电路装置的方法，该晶体管集成电路装置减小了电路的集成面积，同时避免由于热失控导致的元件毁坏。阻断电容器(13)由上部电极和下部电极构成，该上部电极由布线金属形成且处于第一层，该下部电极由布线金属形成且处于第二层。偏置电阻器(12)由与阻断电容器(13)的下部电极相同的布线金属形成。该偏置电阻器(12)由制成薄膜的布线金属形成，以用作片电阻器，并且可以根据布线金属的厚度或宽度来随意设定偏置电阻器(12)的电阻值。
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公开(公告)号：CN1667836A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510052558.5
申请日：2005-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/7371
Abstract: 本发明涉及异质结双极型晶体管及其制造方法。在高浓度n型第一子集电极层(102)上，依次形成：由能带隙小的材料构成的高浓度n型第二子集电极层(108)；由i型或者低浓度n型集电极层(103)；高浓度p型基极层(104)；由能带隙大的材料构成的n型发射极层(105)；高浓度n型发射极盖体层(106)；由能带隙小的材料构成的高浓度n型发射极接触层(107)。发射极电极(111)、基极电极(112)、以及集电极电极(113)的各自的下侧形成合金化反应层(114)～(116)。由此，基于本发明的异质结双极型晶体管，不仅可以降低制造成本，还能够实现各电极的良好的欧姆特性。
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