公开(公告)号：CN100391006C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200410097839.8

申请日：2004-12-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能米雅信 ,  田村彰良 ,  村山启一

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0821

Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高高输出化时的破坏耐压的半导体器件，其具有：n型GaAs次集电极层(101)，在集电极层(103)与次集电极层(101)之间形成的n型GaAs中间集电极层(102)，n型GaAs集电极层(103)，p型GaAs基极层(104)，n型InGaP第2发射极层(105)，n型GaAs第1发射极层(106)，n型InGaAs发射极接触层(107)，中间集电极层(102)的杂质浓度比集电极层(103)的杂质浓度高，而且比次集电极层(101)的杂质浓度低。

公开(公告)号：CN1577883A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410031807.8

申请日：2004-03-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村山启一 ,  田村彰良 ,  能米雅信

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0821 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供满足伴随高输出化而要求的高耐破坏化的异质结双极型晶体管，该异质结双极型晶体管具有：由GaAs构成的n型子集电极层(110)；在子集电极层(110)上形成的、由比子集电极层(110)的雪崩系数小的半导体材料构成的n型第1集电极层(121)；在第1集电极层(121)上形成的、比子集电极层(110)的杂质浓度低的n型或者i型GaAs构成的第2集电极层(132)；在第2集电极层(132)上形成的、由GaAs构成的P型基极层(133)；在基极层(133)上形成的、由比基极层(133)的带隙大的半导体材料构成的发射极层(134)。

公开(公告)号：CN100347861C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200410031807.8

申请日：2004-03-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村山启一 ,  田村彰良 ,  能米雅信

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0821 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供满足伴随高输出化而要求的高耐破坏化的异质结双极型晶体管，该异质结双极型晶体管具有：由GaAs构成的n型子集电极层(110)；在子集电极层(110)上形成的、由比子集电极层(110)的雪崩系数小的半导体材料构成的n型第1集电极层(121)；在第1集电极层(121)上形成的、比子集电极层(110)的杂质浓度低的n型或者i型GaAs构成的第2集电极层(132)；在第2集电极层(132)上形成的、由GaAs构成的P型基极层(133)；在基极层(133)上形成的、由比基极层(133)的带隙大的半导体材料构成的发射极层(134)。

公开(公告)号：CN1638142A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410097839.8

申请日：2004-12-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能米雅信 ,  田村彰良 ,  村山启一

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0821

Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高高输出化时的破坏耐压的半导体器件，其具有：n型GaAs次集电极层(101)，在集电极层(103)与次集电极层(101)之间形成的n型GaAs中间集电极层(102)，n型GaAs集电极层(103)，p型GaAs基极层(104)，n型InGaP第2发射极层(105)，n型GaAs第1发射极层(106)，n型InGaAs发射极接触层(107)，中间集电极层(102)的杂质浓度比集电极层(103)的杂质浓度高，而且比次集电极层(101)的杂质浓度低。